[发明专利]利用高温去光阻以形成高品质的多重厚度氧化物层的方法

摘要

本发明揭示一种藉由消除去光阻所导致的缺陷，以形成高品质的具有不同厚度的氧化物层的方法。该方法包含形成一个氧化物层(2)，以一层光阻层(8)将该氧化物层遮蔽，并将该光阻层加以显影以使该氧化物层的至少一部分(10)外露。然后将基板加热并去光阻以移除导自光阻的显影的任何残渣。此外，亦可于将该基板加热并且去光阻之前先将该光阻层(8)熟化。然后将该氧化物层(2)加以蚀刻，并将残余的光阻(8)剥除，之后再于该基板上生长另一层的氧化物(14)。

主权项

1.一种制造半导体结构的方法，此方法的特征为：将基板放置于温度在200℃至270℃的表面上2至5秒钟以将该基板加热，该基板的特征包括：(a)一片晶圆(4)；(b)在该晶圆上的第一氧化物层(2)；(c)在该第一氧化物层上的经显影的光阻掩模(8)；以及(d)在该第一氧化物层上的至少一个外露部份(10)；并且将该第一氧化物层的该外露部份(10)去光阻。