[发明专利]磁致电阻效应元件和磁致电阻效应型磁头无效
| 申请号： | 01804615.0 | 申请日： | 2001-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN1398434A | 公开（公告）日： | 2003-02-19 |
| 发明（设计）人： | 细见政功;牧野荣治 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11B5/39;G01R33/09;H01F10/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在GMR元件的CPP结构中，具有叠层结构部(10)，该叠层结构部至少由根据外部磁场磁化旋转的自由层(1)、钉扎层(3)、钉扎该钉扎层(3)的磁化的反强磁性层(4)、夹在上述自由层(1)和上述钉扎层(3)之间的非磁性层(2)层叠而成；该磁致电阻效应元件以上述叠层结构部(10)的大致层叠方向作为检测电流的通电方向；上述自由层(1)和钉扎层(3)中的至少一个是在膜厚方向上由膜厚1.9nm以下的薄膜层分割而成的多层膜状态，形成有多个异相界面。由此，可以提高传导电子的自旋依赖散射，提高灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 致电 效应 元件 磁头 | ||
【主权项】：
1.一种磁致电阻效应元件，其特征在于：具有叠层结构部，该叠层结构部至少由根据外部磁场磁化旋转的自由层、钉扎层、钉扎该钉扎层的磁化的反强磁性层、夹在上述自由层和上述钉扎层之间的非磁性层层叠而成；该磁致电阻效应元件以上述叠层结构部的大致层叠方向作为检测电流的通电方向；上述自由层是在膜厚方向上由膜厚1.9nm以下的薄膜层分割而成的多层膜状态，形成有多个异相界面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社，未经索尼株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01804615.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：缺陷源识别器
- 下一篇：阴极射线管用玻璃通风筒及阴极射线管用玻璃阀
