[发明专利]射频开关无效

专利信息
申请号: 01800631.0 申请日: 2001-02-28
公开(公告)号: CN1365525A 公开(公告)日: 2002-08-21
发明(设计)人: 中久保英明;岩崎智之 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01P1/15 分类号: H01P1/15
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 沈昭坤
地址: 日本国大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明揭示一种用于通信设备的RF单元的射频即RF开关,在发射期间具有较小插入损耗。通过组合具有互不相同特性阻抗值的第1和第2带状线形成设置在该RF开关中的带状线。
搜索关键词: 射频 开关
【主权项】:
1.一种用于把天线有选择地耦联至发射电路或接收电路的射频即RF开关,其特征在于,它包括:耦联在所述天线和所述发射电路间的第1二极管;耦联在所述天线和所述接收电路间的带状线;耦联在所述接收电路和地间的第2二极管;和控制器,用于控制所述第1和第2二极管通断;其中,所述带状线由第1和第2带状线构成,所述第1和第2带状线各有不同特性阻抗。
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  • 鲛岛文典;小浜正彦;森本卓男 - 三菱电机株式会社
  • 2012-05-23 - 2014-02-05 - H01P1/15
  • 本发明得到不需要来自外部的控制信号的小型的高频开关。高频开关具备一端与天线端子(1)(第一高频信号输入输出端子)连接且另一端与发送端子(2)(第二高频信号输入输出端子)连接、并且在规定的高频功率以上的输入功率成为导通状态的反平行二极管(4)(第一反平行二极管)。在高频开关为SPDT方式的情况下,也可以具备一端与天线端子(1)连接且另一端与接收端子(3)(第三高频信号输入输出端子)连接的高频开关的使用频率的1/4波长线路(5)和与接收端子(3)和接地(6)连接且在规定的高频功率以上的输入功率成为导通状态的反平行二极管(7)(第二反平行二极管)。
  • 高频开关-201210017976.0
  • 丹治康纪;杉浦毅 - 三星电机株式会社
  • 2012-01-19 - 2013-07-24 - H01P1/15
  • 本发明涉及高频开关。根据本发明的高频开关包括:至少一个发送端口(10)、至少一个接收端口(20)、共用端口(30)、发送侧串联开关(40)、发送侧分路开关(50)、接收侧串联开关(60)以及接收侧分路开关(70)。发送端口用于输入发送信号,接收端口用于输出接收信号,共用端口用于发送发送信号或接收接收信号。发送侧串联开关具有接触型FET,连接于发送端口与共用端口之间。发送侧分路开关具有接触型FET,连接于发送端口与接地端之间。接收侧串联开关具有接触型FET,连接于接收端口与共用端口之间。接收侧分路开关具有至少一个浮体型FET,连接于接收端口与接地端之间。
  • 同轴导体结构-201180044324.X
  • M·洛伦茨;K·努姆森;C·诺伊迈尔;N·施佩特 - 斯宾纳机床制造有限公司
  • 2011-07-11 - 2013-07-10 - H01P1/15
  • 本发明描述了一种同轴导体结构,用于在分散关系框架内构成的频带中的至少一个频带之内无干扰地传递HF信号波的TEM模,具有内导体(IL)和与内导体径向间隔的外导体(AL)以及内导体和外导体的轴向延伸的共同导体段,沿着该共同的导体段,数量n个导电的、环状构造的结构(R)以空间上的周期性顺序各以在两个沿导体段相邻的、环状结构(R)之间的等距间隔(P)布置,这些环状结构分别径向间隔地安置在内导体与外导体之间并且各具有一完全围住内导体(IL)的电路径。
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