[发明专利]防止氮化物内存晶胞被充电的制造方法及其装置有效
| 申请号： | 01123721.X | 申请日： | 2001-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1400655A | 公开（公告）日： | 2003-03-05 |
| 发明（设计）人： | 宋建龙;刘振钦;周立业 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种防止氮化物只读存储器(NitrideReadOnlyMemory；NROM)晶胞被充电的制造方法。本发明的方法在NROM单元的内层介质(Inter－LevelDielectrics；ILD)/内金属介质(Inter－MetalDielectrics；IMD)中形成保护层，此保护层可防止制造过程中的紫外线(Ultra－VioletLight)或等离子体穿透而进入NROM单元内，并可防止离子迁移率的增加，而导致制造过程的电荷量提高，影响NROM单元的电性稳定度。另外，尚可降低NROM单元的阈值电压(ThresholdVoltage)，而扩大阈值电压的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 氮化物 内存 晶胞 充电 制造 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1.一种防止氮化物只读存储器晶胞被充电的制造方法，至少包括：提供一基材，其中该基材上形成有一氧化硅/氮化硅/氧化硅结构；形成一栅极覆盖部分的该氧化硅/氮化硅/氧化硅结构；形成一间隙壁，其中该间隙壁位于该栅极的两侧，且覆盖另一部分的该氧化硅/氮化硅/氧化硅结构；形成一绝缘层覆盖该基材、该栅极、以及该间隙壁；以及形成一保护层覆盖该绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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