[发明专利]改善光致抗蚀剂图案轮廓的方法有效
| 申请号： | 00131452.1 | 申请日： | 2000-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN1141732C | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | 黄义雄;陈桂顺;王见明 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/02;H01L21/033;G03F7/26;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种改善光致抗蚀剂图案侧边轮廓的方法，在定义光致抗蚀剂的曝光显影步骤之后，在温度处于该光致抗蚀剂的玻态转换温度之下进行硬烤步骤，以使光致抗蚀剂得以回流整型，以避免顶凸角的产生，降低掩模误差因素，并提高了关键尺寸的均匀度。该硬烤步骤又可以由两个步骤取代，亦即分别实施一温度低于该光致抗蚀剂的玻态转换温度，以及温度高于该光致抗蚀剂的玻态转换温度的一回流烘烤步骤，以达到相同的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 光致抗蚀剂 图案 轮廓 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善光致抗蚀剂轮廓的方法，其至少包括下列步骤：形成一光致抗蚀剂层，该光致抗蚀剂层具有一图案；对该光致抗蚀剂层实施一硬烤步骤，该硬烤的温度低于该光致抗蚀剂的玻态转换温度；以及对该光致抗蚀剂层实施一回流烘烤步骤，该回流烘烤的温度高于该光致抗蚀剂的玻态转换温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
