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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]使用喇叭形间隔件的沟槽结构-CN201410738353.1在审
发明人：黄琮闵;李忠儒;吴永旭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种方法包括在目标层上方形成芯轴层；以及蚀刻芯轴层以形成芯轴。芯轴的顶部宽度大于相应的底部宽度，并且芯轴限定位于芯轴层中的第一开口。第一开口呈I形并且包括两个平行部分和互连两个平行部分的连接部分。在第一开口的侧壁上形成间隔件。间隔件填充连接部分，其中，两个平行部分中的每个的中心部分未被间隔件填充。使第一开口的未被间隔件填充的部分延伸至目标层内。本发明涉及使用喇叭形间隔件的沟槽结构。
使用喇叭间隔沟槽结构

[发明专利]免料管托盘式半导体无错有序自动装管装置-CN201510077390.7在审
发明人：丁海生;郑翔;刘正龙;陈迎志;杨亚萍;朱昇;汪宗华 -专利权人：铜陵三佳山田科技有限公司
申请日： 2015-02-13 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了免料管托盘式半导体无错有序自动装管装置，它包括底部敞开的料管箱、位于料管箱下方的由同步轮驱动的同步带和位于同步带一端的料管垂直输送通道，所述同步带的上表面和料管箱底部之间留有供单根料管经过的间隙。本发明的有益效果是被成批放入料管箱内的料管虽然是无序的，但通过第一料管输送轮、第二料管输送轮、料管换向轮及料管垂直输送通道，使料管从无序变为有序并实现自动识别、自动整列、自动整体输送至半导体制品装管位置实现自动装管。极大地提高设备的稳定性和制品的完好率，是一种免料管托盘式半导体自动换管装置，减少用工成本，提高了设备的自动化程度，操作维护方便。
免料管托盘半导体无错有序自动装置

[发明专利]半导体处理系统-CN201310646453.7在审
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种半导体处理系统，所述半导体处理系统包括：两个以上的操作单元，所述操作单元内具有机械手，用于夹取待处理晶圆；每个操作单元至少与两个以上的处理腔室连接，所述处理腔室用于对晶圆进行处理；相邻操作单元之间通过传输单元或处理腔室连接，并且至少有两个相邻操作单元之间通过传输单元连接，所述传输单元内具有载物台，用于放置待处理晶圆，并且所述传输单元作为待处理晶圆的传输通道。所述半导体处理系统可以提高晶圆处理的效率。
半导体处理系统

[发明专利]一种薄膜晶体管的制造方法-CN201310663309.4在审
发明人：刘洋 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2013-12-10 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管的制造方法，在薄膜晶体管的制备过程中，包括如下步骤：以截面为倒梯形的掩膜作为遮挡对半导体层进行掺杂形成薄膜晶体管的源、漏电极区，源、漏电极区包括沟道区、沟道区两侧的轻掺杂区以及轻掺杂区外侧的源电极区和漏电极区。本发明利用负性光刻胶形成特殊的光刻胶图案（截面倒梯形），在一次掺杂过程中形成类LDD结构，简化工艺流程，节省制作成本。
一种薄膜晶体管制造方法

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201310655119.8在审
发明人：曾以志;赵杰;宋伟基 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-05 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成包括伪栅的伪栅结构；在所述伪栅结构露出的衬底中形成源区、漏区；在所述衬底上形成与所述伪栅结构相齐平的层间介质层；干法刻蚀去除所述伪栅结构中的大部分伪栅；对残余的伪栅表面进行第一干法清洗；对残余的伪栅表面进行湿法清洗；对残余的伪栅表面进行第二干法清洗；湿法刻蚀去除残余的伪栅，形成对应伪栅形状的开口；在所述开口中形成栅介质层以及金属栅极。通过第一干法清洗、湿法清洗、第二干法清洗的步骤，将干法刻蚀伪栅后残余伪栅表面的污染物去除，以优化晶体管性能。
晶体管形成方法

[发明专利]一种沟槽型肖特基二极管的制备工艺方法-CN201310655056.6在审
发明人：李昊;刘远良 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型肖特基二极管的制备工艺方法，具体是利用两步干法刻蚀接触孔，将接触孔先刻蚀至硅表面，然后将硅和沟槽内的氧化硅一同刻蚀，其中最后一步接触孔刻蚀菜单对硅和氧化硅的选择比为1：1，并且刻蚀硅表面约1000埃以上，同时使沟槽侧壁内的氧化硅突出硅表面，最后利用金属形成肖特基接触。本发明旨在解决沟槽肖特基二极管产品漏电大的问题，且能提高产品面内均匀性，降低生产成本，提高产品良率，使其适合规模化量产。
一种沟槽型肖特基二极管制备工艺方法

[发明专利]蚀刻方法-CN201410758800.X在审
发明人：吉田亮一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻方法。目的在于控制蚀刻图案的CD收缩比。该蚀刻方法为对基板上的蚀刻对象膜进行蚀刻处理的方法，其包括如下步骤：供给包含含卤素气体、氢气、非活性气体以及氧气的处理气体，利用由该处理气体生成的等离子体对在蚀刻对象膜上形成有图案的掩模进行处理；对进行了前述处理的蚀刻对象膜利用由蚀刻气体生成的等离子体进行蚀刻。
蚀刻方法

[发明专利]自对齐双间隔件图案化工艺-CN201410738380.9在审
发明人：蔡政勋;吴永旭;黄琮闵;李忠儒;包天一;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明的实施例为形成半导体器件的方法和图案化半导体器件的方法。一个实施例为形成半导体器件的方法，该方法包括在半导体器件层上方形成第一硬掩模层，第一硬掩模层包括含金属材料，在第一硬掩模层上方形成第二硬掩模层，以及在第二硬掩模层上方形成第一组含金属间隔件。该方法进一步包括使用第一组含金属间隔件作为掩模来图案化第二硬掩模层，在图案化后的第二硬掩模层的侧壁上形成第二组含金属间隔件，以及采用第二组含金属间隔件作为掩模来图案化第一硬掩模层。本发明还提供自对齐双间隔件图案化工艺。
对齐间隔图案化工

[发明专利]等离子体处理装置以及聚焦环-CN201410757112.1在审
发明人：岸宏树;宫川正章;北畑利宪;岩田学 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置以及聚焦环。其抑制倾斜伴随着聚焦环的消耗进行变动。等离子体处理装置包括：腔室，其用于对被处理体进行等离子体处理；载置台，其设于腔室的内部，并具有用于载置上述被处理体的载置面；以及聚焦环，其以包围被载置于载置面的被处理体的方式设于载置台，自内周侧朝向外周侧依次形成有比载置面低的第1平坦部、比第1平坦部高并且不高于被处理体的被处理面的第2平坦部、以及比被处理体的被处理面高的第3平坦部。
等离子体处理装置以及聚焦

[发明专利]复合操作型输入装置-CN201410699475.4在审
发明人：松本忠直 -专利权人：日本航空电子工业株式会社
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01H25/00 文献下载
摘要：一种复合操作型输入装置。刻度盘(刻度盘基座41、刻度盘顶部42)使轴承部(41a)位于基座(39)的轴部(39a)周围而可旋转。在轴承部(41a)的上端外周突出形成环状部(41b)，在轴部(39a)的上端外周突出形成环状突出部(39b)，环状突出部(39b)的下面和环状部(41b)的上面滑动接触。该滑动接触部(a)在与异物从刻度盘与按钮(53)之间的间隙侵入的侵入方向正交的方向上设置，故而异物不易侵入滑动触点部分。由此，能够防止由异物的侵入导致的在滑动触点部分的电气不良情况的发生。
复合操作输入装置

[发明专利]负荷开关-CN201310653634.2在审
发明人：许光辉 -专利权人：常州世博电气有限公司
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01H21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种负荷开关，由左侧板、右侧板、上固定板、下固定板、方形轴、动触头、接地触头、连接杆、上绝缘基座、上触头、灭弧栅架、灭弧栅、主拐臂、下绝缘基座、动触头固定底座、动触头支架、前后连接杆、前固定板以及稳定杆，本发明体积小，成本低，绝缘性好，稳定性好。
负荷开关

[发明专利]可调节阻力液延时动力开关-CN201310665928.7在审
发明人：何良智 -专利权人：重庆市云连科技有限公司
申请日： 2013-12-08 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01H7/02 文献下载
摘要：本发明涉及可调节阻力液延时动力开关，活塞外套中安装有单向阀、延时调节螺母和左活塞、右活塞，在右活塞上固定有手压按钮，在右阻力液腔中安装有弹簧。当下压手压按钮时，推动右活塞和弹簧压缩，同时推动与左活塞连接的动力电源开关工作打开，在手压按钮下压时，右阻力液腔中的阻力液通过单向阀压入左阻力液腔中，当压到位后，放开手压按钮，右活塞和左活塞在弹簧的作用下降左阻力液腔中的阻力液经过延时调节螺母进入右阻力液腔中，调节延时调节螺母可以控制阻力液流过的时间，从而实现延时断开动力电源开关并有效防止强电磁干扰而可靠工作的目的。
调节阻力延时动力开关

[发明专利]一种光波还原石墨烯膜电极的制备方法-CN201510120775.7在审
发明人：杨震宇;胡金火;谢宇;向枫 -专利权人：南昌大学
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种光波还原石墨烯膜电极的制备方法，其制备方法如下：按配比称取氧化石墨烯及溶剂，超声分散制成氧化石墨烯胶体溶液；利用高压静电喷雾装置在集流体上喷涂氧化石墨烯薄；在光波装置中还原为石墨烯薄膜；即得到本发明的光波还原石墨烯膜电极。本发明的优点是：本发明的光波还原石墨烯膜电极具有良好的导电性和三维结构，C/O比为6，而且无须添加任何导电剂和粘结剂，有利于提高超级电容和锂离子电池的克容量，而且没有牺牲其良好的倍率性能和循环性能。
一种光波还原石墨电极制备方法

[发明专利]一种含硼离子液体超级电容器的制备方法-CN201510120213.2在审
发明人：杨震宇;陈正煜;谢宇;古宁宇;张宁 -专利权人：南昌大学
申请日： 2015-03-19 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01G11/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种含硼离子液体超级电容器的制备方法，其制备方法为：在手套箱中氩气氛围条件下，按配比称取含硼锂盐及有机化合物；搅拌加热制成稳定均一透明的离子液体溶液；利用制备的活性炭电极组装成超级电容器。本发明的优点为：涉及的锂离子液体电解质具有良好的安全性及稳定性，而且无须添加任何添加剂，其较高电化学电压有利于提高超级电容器的能量储存，而且没有牺牲其良好的能量密度和循环性能。
一种离子液体超级电容器制备方法

[发明专利]一种混合型超级电容器-CN201410841836.4在审
发明人：阮殿波;杨斌;傅冠生 -专利权人：宁波南车新能源科技有限公司
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01G11/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合型超级电容器，包括正极铝箔片、负极铝箔片、电解液和隔膜，所述正极铝箔片正反两面均涂布有正极材料，所述负极铝箔片正反两面均涂布有负极材料，所述正极材料由以下质量百分比计的组分混合制成：85-92％的活性炭、4-10％的导电剂、1-2％的分散剂和3-10％的粘结剂；所述负极材料由以下质量百分比计的组分混合制成：80-92％的钛酸锂/石墨烯复合材料、4-10％的导电剂和4-10％的粘结剂。本发明具有能快速充放电，高比能量的特点，它容量更高、循环稳定性更长。
一种混合超级电容器

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