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[发明专利]具有穿过堆叠体的外围接触通孔结构的多层级存储器器件及其制造方法-CN201780004961.1有效
发明人： J.于;Z.卢;小川裕之;D.毛;K.山口;S.T.李;李耀升;J.阿尔斯梅尔 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10B43/50 文献下载
摘要：可以采用最少附加处理步骤形成延伸穿过三维存储器器件的多个层级结构的去往外围器件的接触。可以与形成第一存储器开口同时地形成穿过第一层级结构的第一外围通孔腔。可以与形成牺牲存储器开口填充结构同时地在第一外围通孔腔中形成牺牲通孔填充结构，该牺牲存储器开口填充结构形成在第一存储器开口中。可以与形成字线接触通孔腔同时地形成穿过第二层级结构的第二外围通孔腔，该字线接触通孔腔延伸到第一和第二层级结构中的导电层的顶表面。在移除牺牲通孔填充结构之后，第一和第二外围通孔腔可以填充有导电材料，以与形成字线接触通孔结构同时地形成外围接触通孔结构。
具有穿过堆叠外围接触结构多层存储器器件及其制造方法

[发明专利]三维存储装置中的阶梯区域之间的直通存储级通孔结构及其制备方法-CN201780026897.7有效
发明人： Z.卢;J.于;J.阿尔斯梅尔;F.富山;Y.水谷;小川裕之;C.葛;D.毛;张艳丽;A.楚;Y.李 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10B43/23 文献下载
摘要：本发明的下级金属互连结构在其上具有半导体装置的基板上方形成。半导体材料层以及电介质隔层和绝缘层的交替堆叠在所述下级金属互连结构上方形成。存储堆叠结构阵列穿过所述交替堆叠形成。沟槽穿过所述交替堆叠形成，由此使得阶梯区域位于远离距所述沟槽阈值横向距离处，而相邻的阶梯区域在距所述沟槽所述阈值横向距离内形成。所述沟槽近侧的所述电介质隔层的部分被导电层替换，而所述交替堆叠的保留部分存在于所述阶梯区域中。至少一个直通存储级通孔结构可以穿过所述电介质隔层的所述保留部分和所述绝缘层形成，以提供穿过存储级组件的竖直导电路径。
三维存储装置中的阶梯区域之间直通级通孔结构及其制备方法

[发明专利]含有离散的硅氮化物电荷储存区域的三维存储器器件-CN201680076407.X有效
发明人： J.于;Z.卢;D.毛;张艳丽;A.塞罗夫;C.葛;J.阿尔斯梅尔 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：可以在绝缘层和导电层的交替堆叠体中的导电层的每级处形成离散的硅氮化物部分。离散的硅氮化物部分可以用作电荷俘获材料部分，其每一个由前侧上的隧穿电介质部分以及背侧上的阻挡电介质部分横向地接触。隧穿电介质部分可以形成为离散的材料部分或隧穿电介质层内的部分。阻挡电介质部分可以形成为离散的材料部分或阻挡电介质层内的多个部分。可以通过沉积电荷俘获材料层并且在绝缘层的级处选择性地移除电荷俘获材料层的部分来形成离散的硅氮化物部分。可以采用各种方案来单体化电荷俘获材料层。
含有离散氮化物电荷储存区域三维存储器器件

[发明专利]具有虚设电介质层堆叠体下方的外围器件的三维存储器器件及其制造方法-CN201680076109.0有效
发明人： J.于;张艳丽;Z.卢;J.阿尔斯梅尔;D.毛 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/11575 文献下载
摘要：一种制造结构的方法包含：在衬底(9)之上形成包含绝缘层(42)和间隔体材料层(32)的处理中的交替堆叠体；通过将处理中的交替堆叠体划分为第一交替堆叠体(100，300)和第二交替堆叠体(200)来形成阶梯式表面的两个集合，第一交替堆叠体具有第一阶梯式表面，并且第二交替堆叠体具有第二阶梯式表面；穿过第一交替堆叠体(100)形成至少一个存储器堆叠体结构，至少一个存储器堆叠体结构中的每一个包含电荷储存区域、隧穿电介质和半导体沟道；用导电层(46)替代第一交替堆叠体中的绝缘层(42)的部分，同时在第二交替堆叠体中留下绝缘层的完整部分；以及穿过第二交替堆叠体形成接触通孔结构(84)以接触第二堆叠体下方的外围半导体器件。
具有虚设电介质堆叠下方外围器件三维存储器及其制造方法

[发明专利]包含垂直共享位线的多层级三维存储器器件-CN201680049440.3有效
发明人： Z.卢;H.钱;J.阿尔斯梅尔;宫田幸儿;张彤;M.穆伊;J.卡伊;W.史;赵伟;胡晓龙;J.许;G.J.赫明克;C.佩蒂 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-06-09 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：多层级存储器器件形成在衬底之上，使得存储器堆叠体结构穿过每个层内的绝缘层和电气导电层的交替堆叠体延伸。位线形成在具有半导体沟道之上的漏极区域的下卧层和具有在半导体沟道之下的漏极区域的上覆盖层之间，使得位线在下卧层和上覆盖层之间共享。源极线可以形成在每个层之上，其中源极区域上覆盖于半导体沟道和漏极区域。如果另一个层存在于源极线之上，那么源极线可以在两个垂直邻近层之间共享。
包含垂直共享多层三维存储器器件

[发明专利]具有外围晶体管的外延半导体基座的三维存储器器件-CN201680036404.3有效
发明人： Z.卢;D.毛;K.宫田;J.有吉;J.阿尔斯梅尔;G.马塔米斯;W.史;J.许;X.胡;A.林;J.余 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-06-09 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：提供了一种制造存储器器件的方法，所述方法包括在半导体基板之上形成绝缘体层和间隔体材料层的第一交替堆叠体，蚀刻所述第一交替堆叠体以暴露单晶半导体材料，在所述单晶半导体材料上形成第一外延半导体基座，使得所述第一外延半导体基座与所述单晶半导体材料外延对齐，通过所述第一交替堆叠体形成存储器堆叠结构的阵列，以及在所述第一外延半导体基座之上形成至少一个半导体器件。
具有外围晶体管外延半导体基座三维存储器器件

[发明专利]阵列内穿存储器级通孔结构及其制备方法-CN201780026899.6有效
发明人： J.于;Z.卢;A.楚;K.山口;小川裕之;D.毛;Y.李;J.阿尔斯梅尔 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构，所述半导体结构包括存储器级组件，所述存储器级组件定位在基板上方并且包括至少一个交替堆叠和垂直延伸穿过所述至少一个交替堆叠的存储器堆叠结构。所述至少一个交替堆叠中的每一者包括相应绝缘层和相应导电层的交替层，并且在所述至少一个交替堆叠中的所述导电层中的每一者包括相应的开口，由此使得定位在所述开口中的相应间隔物电介质部分的外围接触所述相应导电层的侧壁。至少一个穿存储器级通孔结构垂直延伸穿过所述间隔物电介质部分和所述绝缘层中的每一者。
阵列存储器级通孔结构及其制备方法

[发明专利]含有存储器区块电桥的三维存储器器件-CN201680037025.6有效
发明人： Z.卢;J.阿尔斯梅尔;D.毛;S.史;S.科卡;R.S.马卡拉;G.马塔米斯;李耀升;C.葛 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：单片三维存储器器件包含含有位于基板上的多个存储器子区块的第一存储器区块。每个存储器子区块包含存储器堆叠体结构的集和交替层的横向围绕存储器堆叠体结构的集的部分。交替层包含绝缘层和导电层。相邻存储器子区块的对的第一部分沿第一水平方向由背侧接触通孔结构相互横向地间隔。交替层的子集在相邻存储器子区块的对的第二部分之间连续地延伸，穿过沿着第二水平方向横向地间隔开的背侧接触通孔结构的两个部分之间的电桥区域中的间隙，以在相邻存储器子区块的对之间提供连接部分。
含有存储器区块电桥三维器件

[发明专利]作为RORγ调节剂的杂环砜-CN201580011973.8有效
发明人：段敬武;T.G.M.达;江斌;A.卡马卡;A.K.古普塔;Z.卢 -专利权人：百时美施贵宝公司
申请日： 2015-01-05 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： C07D309/08 文献下载
摘要：本发明描述了式（I）的RORγ调节剂，或其立体异构体、互变异构体、可药用盐、溶剂合物或前药，其中所有取代基如本文中所定义。还提供了包含其的药物组合物。此类化合物和组合物可用于在细胞中调节RORγ活性的方法和治疗患有其中对象会从RORγ活性的调节中获得治疗益处的疾病或病症（例如自身免疫性和/或炎性病症）的对象的方法。
作为 ror 调节剂杂环砜

[发明专利]应力释放的图像传感器封装结构和方法-CN201610100489.9有效
发明人： V.奥加内相;Z.卢 -专利权人：奥普蒂兹公司
申请日： 2016-02-24 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及应力释放的图像传感器封装结构和方法。一种传感器封装体，包括具有相对的第一和第二表面的第一衬底。多个光电检测器形成在第一衬底的第一表面上或之下并且配置成响应于入射在第一衬底的第一表面上的光而生成一个或多个信号。多个接触垫形成在第一衬底的第一表面处并且电气耦合到多个光电检测器。多个孔各自形成到第一衬底的第二表面中并且通过第一衬底延伸到一个接触垫。传导引线各自通过多个孔中的一个且沿着第一衬底的第二表面从一个接触垫延伸。传导引线与第一衬底绝缘。一个或多个沟槽形成到第一衬底的外围部分中，每一个沟槽从第二表面延伸到第一表面。绝缘材料覆盖一个或多个沟槽的侧壁。
应力释放图像传感器封装结构方法

[发明专利]环己基砜RORγ调节剂-CN201580012008.2有效
发明人： J.段;T.G.M.达;B.蒋;A.卡马卡;A.K.古普塔;Z.卢;C.A.维格尔特 -专利权人：百时美施贵宝公司
申请日： 2015-01-05 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C07D213/81 文献下载
摘要：描述的是式（I）的RORγ调节剂，或其立体异构体、互变异构体、可药用盐、溶剂合物或前药，其中所有取代基如本文中所定义。还提供了包含其的药物组合物。此类化合物和组合物可用于在细胞中调节RORγ活性的方法和治疗患有其中对象会从RORγ活性的调节中获得治疗益处的疾病或病症（例如自身免疫性和/或炎性病症）的对象的方法。
环己基 ror 调节剂

[发明专利]建立用于三维电路装置的堆叠中空通道-CN201580010807.6有效
发明人： Z.卢;R.林赛;S.科夫什尼科夫 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：一种三维堆叠电路装置包括多层面电路元件，每一层面包括多级电路元件。每一层面包括贯穿层面延伸的高掺杂中空通道。在第一层面下面是用以驱动电路元件的活动的源极导体。在每一层面之间是导电停止层，其互连来自一个层面的中空通道和与其相邻的该层面的中空通道。由此，所有层面的所有中空通道电耦合到源极导体。
建立用于三维电路装置堆叠中空通道

[发明专利]使用含有牺牲填充材料的腔制造的多级存储器堆叠体结构-CN201680036417.0有效
发明人： Z.卢;D.毛;T.张;J.阿尔斯梅尔;W.史;H.钱 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-06-10 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种形成三维存储器装置的方法，包含在基板之上形成绝缘材料层和第一牺牲材料层的下部堆叠体结构，穿过下部堆叠体结构形成第一存储器开口并用牺牲填充材料填充第一存储器开口，用第一导电层替换第一牺牲材料层，在替换第一牺牲材料层之后在下部堆叠体结构之上形成绝缘和第二牺牲材料层的上部堆叠体结构，在上覆于第一存储器开口的区域中穿过上部堆叠体结构形成第二存储器开口，用第二导电层替换第二牺牲材料层，从第二存储器开口下方的第一存储器开口移除牺牲填充材料，以在替换第二牺牲材料层之后形成堆叠体间存储器开口，以及在堆叠体间存储器开口内形成存储器堆叠体结构。
使用含有牺牲填充材料制造多级存储器堆叠结构方法

[发明专利]具有暴露的传感器阵列的传感器封装以及制造其的方法-CN201480031844.0有效
发明人： V.奥加内相;Z.卢 -专利权人：奥普蒂兹公司
申请日： 2014-06-02 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：封装的传感器组装件及形成其的方法，包括具有相对的第一与第二表面和各自在第一与第二表面之间延伸的多个传导元件的第一衬底。第二衬底包括相对的前表面与后表面，形成在前表面中或上的一个或多个探测器，以及形成在前表面处的电气耦合到一个或多个探测器的多个接触垫。第三衬底安装到前表面以在第三衬底与前表面之间限定腔室，其中第三衬底包括从腔室延伸通过第三衬底的第一开口。后表面被安装到第一表面。多个布线各自在接触垫中的一个与传导元件中的一个之间延伸并且电气连接这二者。
具有暴露传感器阵列封装以及制造方法

[发明专利]具有非平面光学界面的背面照度图像传感器-CN201510101452.3有效
发明人： V.奥加内相;Z.卢 -专利权人：奥普蒂兹公司
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及具有非平面光学界面的背面照度图像传感器。公开了一种图像传感器包括：基板，具有前表面和背表面；多个光电检测器，邻近前表面形成；多个接触焊盘，处于前表面并与光电检测器电耦合；以及多个光操纵部件，设置在背表面的一部分上。所述光电检测器被配置为响应于通过光操纵部件并通过背表面的所述部分入射的光而生成电信号。背表面的所述部分具有非平面形状。
具有平面光学界面背面照度图像传感器

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