“S·斯里尼瓦杉”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果41个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]晶片边缘环升降解决方案-CN202310233773.3在审
发明人： M·R·赖斯;Y·萨罗德维舍瓦纳斯;S·斯里尼瓦杉;R·丁德萨;S·E·巴巴扬;O·卢艾莱;D·M·库萨;I·尤瑟夫 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：在本文中描述了包括可调整高度的边缘环的装置及用于使用该装置的方法。在一个示例中，基板支撑组件包括可调整高度的边缘环，且基板支撑组件定位在处理腔室内。基板支撑组件包括静电夹盘、定位在该静电夹盘的一部分上的边缘环以及用以透过一或更多个推动销调整边缘环的高度的一或更多个致动器。可调整高度的边缘环可用以补偿边缘环随时间的腐蚀。此外，可在不将处理腔室排气及不开启处理腔室的情况下透过狭缝阀开口从处理腔室移除可调整高度的边缘环。可通过该一或更多个致动器来倾斜可调整高度的边缘环，以改良基板边缘处的方位均匀性。
晶片边缘升降解决方案

[发明专利]使用稀有气体的低温原子层蚀刻-CN202180042877.5在审
发明人： A·加西亚德戈罗多;姚忠华;S·斯里尼瓦杉;朴相昱 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了一种在低温温度下蚀刻硅的方法。所述方法包括：在诸如特征的多个侧壁之类的暴露表面上，在低温温度下由稀有气体的冷凝形成惰性层，以在蚀刻工艺之前钝化侧壁。所述方法进一步包括：使含氟前驱物气体流入腔室，以在惰性层上形成含氟层。所述方法进一步包括：将含氟层和惰性层暴露于能量源，以在基板的多个暴露部分上形成钝化层，并且将基板暴露于离子以蚀刻基板。
使用稀有气体低温原子蚀刻

[发明专利]晶片边缘环升降解决方案-CN201680067775.8有效
发明人： M·R·赖斯;Y·萨罗德维舍瓦纳斯;S·斯里尼瓦杉;R·丁德萨;S·E·巴巴扬;O·卢艾莱;D·M·库萨;I·尤瑟夫 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：在本文中描述了包括可调整高度的边缘环的装置及用于使用该装置的方法。在一个示例中，基板支撑组件包括可调整高度的边缘环，且基板支撑组件定位在处理腔室内。基板支撑组件包括静电夹盘、定位在该静电夹盘的一部分上的边缘环以及用以透过一或更多个推动销调整边缘环的高度的一或更多个致动器。可调整高度的边缘环可用以补偿边缘环随时间的腐蚀。此外，可在不将处理腔室排气及不开启处理腔室的情况下透过狭缝阀开口从处理腔室移除可调整高度的边缘环。可通过该一或更多个致动器来倾斜可调整高度的边缘环，以改良基板边缘处的方位均匀性。
晶片边缘升降解决方案

[发明专利]用于在等离子体处理期间控制在基板的电压波形的系统与方法-CN202210051717.3在审
发明人： L·多尔夫;J·H·罗杰斯;O·卢埃尔;T·高;R·丁德萨;S·斯里尼瓦杉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：用于在等离子体处理期间控制基板处的电压波形的系统和方法包括将成形脉冲偏压波形施加到基板支撑件，所述基板支撑件包括静电吸盘、吸附极、基板支撑件表面和电极，电极与所述基板支撑件表面由介电材料层分离。所述系统和方法进一步包括捕捉代表定位于所述基板支撑件表面上的基板处的电压的电压，以及基于捕捉的信号迭代地调整所述成形脉冲偏压波形。在等离子体处理系统中，可以选择分离所述电极和所述基板支撑件表面的介电材料层的厚度和组成，使得所述电极和所述基板支撑表面之间的电容比所述基板支撑件表面和等离子体表面之间的电容大至少一个数量级。
用于等离子体处理期间控制电压波形系统方法

[发明专利]用于在等离子体处理期间控制在基板的电压波形的系统与方法-CN201780036469.2有效
发明人： L·多尔夫;J·H·罗杰斯;O·卢埃尔;T·高;R·丁德萨;S·斯里尼瓦杉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：用于在等离子体处理期间控制基板处的电压波形的系统和方法包括将成形脉冲偏压波形施加到基板支撑件，所述基板支撑件包括静电吸盘、吸附极、基板支撑件表面和电极，电极与所述基板支撑件表面由介电材料层分离。所述系统和方法进一步包括捕捉代表定位于所述基板支撑件表面上的基板处的电压的电压，以及基于捕捉的信号迭代地调整所述成形脉冲偏压波形。在等离子体处理系统中，可以选择分离所述电极和所述基板支撑件表面的介电材料层的厚度和组成，使得所述电极和所述基板支撑表面之间的电容比所述基板支撑件表面和等离子体表面之间的电容大至少一个数量级。
用于等离子体处理期间控制电压波形系统方法

[发明专利]原位原子层沉积工艺-CN202080037396.0在审
发明人： S·W·朴;X·崔;S·斯里尼瓦杉;R·丁德萨;Z·姚;L·于;O·卢艾莱;J·S·金 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了用于在图案化工艺之间、期间、之前或之后在基板上形成期望的材料层的方法和设备。在一个实施例中，一种用于在基板上形成材料层的方法包含以下步骤：使第一气体前驱物脉冲到基板的表面上，该第一气体前驱物包括有机硅化合物。该方法还包含以下步骤：将来自该第一气体前驱物的第一元素设置到该基板的该表面上。该方法进一步包含以下步骤：在设置该第一元素的同时，维持基板温度小于约110摄氏度。使第二气体前驱物脉冲到该基板的该表面上。此外，该方法包含以下步骤：将来自该第二气体前驱物的第二元素设置到该基板的该表面上的该第一元素。
原位原子沉积工艺

[发明专利]在数据流图中插入缓冲器的方法和设备-CN202010196151.4在审
发明人：小克尔敏·E·切夫莱明;J·J·提蒂;S·斯里尼瓦杉;M·A·艾耶 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： G06F8/34 文献下载
摘要：用于将缓冲器插入数据流图的公开示例包括：回边过滤器，该回边过滤器用于移除数据流图的第一节点与第二节点之间的回边，第一节点表示数据流图的第一操作，第二节点表示数据流图的第二操作；等待时间计算器，该等待时间计算器用于确定数据流图的包括第一节点和第二节点的关键路径的关键路径等待时间，该关键路径相对于在第二节点处终止的第二路径具有更长的完成等待时间；等待时间比较器，该等待时间比较器用于将关键路径等待时间与缓冲器等待时间和第二路径等待时间的等待时间总和进行比较，第二路径等待时间与第二路径相对应；以及缓冲器分配器，该缓冲器分配器用于基于由等待时间比较器执行的比较来将一个或多个缓冲器插入第二路径中。
数据流插入缓冲器方法设备

[发明专利]利用经供电的边缘环的处理-CN201980004426.5在审
发明人： L·多尔夫;A·K·米什拉;O·卢艾莱;R·丁德萨;J·罗杰斯;D·M·库萨;S·斯里尼瓦杉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本公开的实施例总体上涉及用于在基板上形成结构的方法及相关处理装备(例如，在基板上形成的一个或更多个层内蚀刻高纵横比结构)。本文所述的方法及相关装备可以通过控制基板的周边附近的等离子体鞘层边界的曲率来改善基板上的结构的形成(例如，通过在整个基板上(即，从中心到边缘)产生基本平坦的等离子体鞘层边界)。下文描述的方法及相关装备可以提供等离子体鞘层边界的曲率的控制，并包括通过使用分离且独立的RF功率源来将RF功率施加到围绕基板的边缘环，以产生平坦的等离子体鞘层边界。
利用供电边缘处理

[发明专利]用于测试集成电路的方法体系-CN201480061054.7有效
发明人： S·伯格拉;D·辛西娅;S·斯里尼瓦杉 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-10-28 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： G01R31/3185 文献下载
摘要：公开了一种集成电路。该集成电路包括输入和输出焊盘、具有第一电路系统的第一集成电路部分、以及具有不同于第一电路系统的第二电路系统的第二集成电路部分。第一集成电路部分被配置成将来自输入焊盘的输入测试信号提供给第二集成电路部分，并将来自第二集成电路部分的输出测试信号提供给输出焊盘，该输出测试信号由第二集成电路部分响应于该输入测试信号而生成。
用于测试集成电路方法体系

[发明专利]用于自动生成虚拟环境的方法和系统-CN201480062651.1有效
发明人： S·托马斯;Y·张;M·乔杜利;S·斯里尼瓦杉;J·H·霍华德 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2014-11-12 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： G06F11/36 文献下载
摘要：虚拟环境服务从计算机系统的所部署的实例获取自动收集的诊断信息，并基于所收集的诊断数据自动生成计算机系统的实例的环境的再现。用户与虚拟诊断环境的交互可被记录以标识计算机系统的所部署的实例的技术问题。对该问题的修复在虚拟诊断环境中应用，使得它可在应用于所部署的实例之前被用户验证。
具有自动生成虚拟环境用户支持体验

[实用新型]用于基板处理腔室的工艺套件以及处理腔室-CN201721619670.7有效
发明人： O·卢尔;L·多尔夫;R·丁德萨;S·斯里尼瓦杉;D·M·库萨;J·罗杰斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：公开了用于基板处理腔室的工艺套件以及处理腔室。本文中描述的实施例大体涉及一种基板处理设备。在一个实施例中，本文中公开了一种用于基板处理腔室的工艺套件。工艺套件包括：第一环，所述第一环具有顶表面和底表面；可调整调谐环，所述可调整调谐环具有顶表面和底表面；以及致动机构。底表面由基板支撑构件支撑。底表面至少部分地延伸到由基板支撑构件支撑的基板下方。可调整调谐环定位在第一环下方。可调整调谐环的顶表面与第一环限定可调整的间隙。致动机构与可调整调谐环的底表面对接。致动机构被配置为更改限定在第一环的底表面与可调整调谐环的顶表面之间的可调整的间隙。
可调整调谐工艺套件顶表面基板处理腔室致动机构基板支撑构件处理腔室基板处理设备基板支撑配置延伸

[实用新型]用于基板处理腔室的工艺套件以及处理腔室-CN201721619387.4有效
发明人： O·卢尔;L·多尔夫;S·斯里尼瓦杉;R·丁德萨;J·罗杰斯;D·M·库萨 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请涉及用于基板处理腔室的工艺套件以及处理腔室。本文中描述的实施例大体涉及一种基板处理设备。在一个实施例中，本文中公开了一种用于基板处理腔室的工艺套件。工艺套件包括：环，环具有第一环部件和第二环部件；可调整调谐环；以及致动机构。第一环部件与第二环部件对接，使得第二环部件相对于第一环部件是可移动的，从而在这两者之间形成间隙。可调整调谐环定位在环下方并且接触第二环部件的底表面。可调整调谐环的顶表面接触第二环部件。致动机构与可调整调谐环的底表面对接。致动机构被配置为致动可调整调谐环，使得第一环部件与第二环部件之间的间隙变化。
环部件调谐可调整工艺套件基板处理腔室致动机构处理腔室基板处理设备间隙变化顶表面可移动致动配置申请

[发明专利]用于边缘均匀性控制的可调整的延伸电极-CN201711214844.6在审
发明人： O·卢尔;L·多尔夫;S·斯里尼瓦杉;R·丁德萨;J·罗杰斯;D·M·库萨 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文中描述的实施例大体涉及一种基板处理设备。在一个实施例中，本文中公开了一种用于基板处理腔室的工艺套件。工艺套件包括：环，环具有第一环部件和第二环部件；可调整调谐环；以及致动机构。第一环部件与第二环部件对接，使得第二环部件相对于第一环部件是可移动的，从而在这两者之间形成间隙。可调整调谐环定位在环下方并且接触第二环部件的底表面。可调整调谐环的顶表面接触第二环部件。致动机构与可调整调谐环的底表面对接。致动机构被配置为致动可调整调谐环，使得第一环部件与第二环部件之间的间隙变化。
环部件可调整调谐致动机构工艺套件基板处理腔室基板处理设备均匀性控制间隙变化延伸电极顶表面可移动致动配置

[发明专利]用于边缘均匀性控制的可调整的延伸电极-CN201711213957.4在审
发明人： O·卢尔;L·多尔夫;R·丁德萨;S·斯里尼瓦杉;D·M·库萨;J·罗杰斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：公开了用于边缘均匀性控制的可调整的延伸电极。本文中描述的实施例大体涉及一种基板处理设备。在一个实施例中，本文中公开了一种用于基板处理腔室的工艺套件。工艺套件包括：第一环，所述第一环具有顶表面和底表面；可调整调谐环，所述可调整调谐环具有顶表面和底表面；以及致动机构。底表面由基板支撑构件支撑。底表面至少部分地延伸到由基板支撑构件支撑的基板下方。可调整调谐环定位在第一环下方。可调整调谐环的顶表面与第一环限定可调整的间隙。致动机构与可调整调谐环的底表面对接。致动机构被配置为更改限定在第一环的底表面与可调整调谐环的顶表面之间的可调整的间隙。
可调整调谐顶表面致动机构基板支撑构件均匀性控制工艺套件延伸电极基板处理腔室基板处理设备基板支撑延伸配置

[发明专利]处理视频图像的方法-CN201110159665.3有效
发明人： S·斯里尼瓦杉;P·苏 -专利权人：微软公司
申请日： 2002-12-16 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H04N7/26 文献下载
摘要：描述了各种用于对二进制信息(如跳过宏块信息)进行编码和解码(如在视频编码器/解码器中)的技术和工具。在一些实施例中，二进制信息在位平面上排列，并且该位平面在图像/帧层上编码。编码器和解码器处理二进制信息，并且在一些实施例中，切换编码模式。例如，编码器和解码器使用普通、行跳过、列跳过或差分模式，或其它和/或另外的模式。在一些实施例中，编码器和解码器将跳过宏块定义为其运动等于其因果预测的运动并且具有零剩余误差的预测宏块。在一些实施例中，编码器和解码器使用原始编码模式来允许低等待时间应用。
处理视频图像方法

1
2
3
下一页»
尾页
共 41 条