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[发明专利]使用一个或多个无定形碳硬模层来处理基板的方法、系统和装置-CN202280019632.5在审
发明人： K·尼塔拉;S·M·博贝克;K·D·李;R·林杜尔派布恩;K·基欧希斯;K·嘉纳基拉曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：各方面总体上涉及用于使用一个或多个无定形碳硬模层处理基板的方法、系统和装置。在一方面中，改变膜应力同时促进增强的蚀刻选择性。在一种实施方式中，一种处理基板的方法包括将一个或多个无定形碳硬模层沉积到基板上，以及在沉积一个或多个无定形碳硬模层之后在基板上进行快速热退火操作。快速热退火操作持续达60秒或更短的退火时间。快速热退火操作包括将基板加热到在600摄氏度至1,000摄氏度的范围内的退火温度。所述方法包括在进行快速热退火操作之后蚀刻基板。
使用一个无定形碳硬模层来处理方法系统装置

[发明专利]处理腔室沉积限制-CN202180082431.5在审
发明人： S·M·博贝克;V·S·C·帕里米;S·河;K·D·李 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：示例性半导体处理系统可以包括腔室主体，该腔室主体包括侧壁和基部。该系统可包括延伸穿过腔室主体基部的基板支撑件。腔室主体可限定通路，该通路在该腔室主体的该基部处绕该基板支撑件周向地延伸。该系统可包括设置在腔室主体内的一个或多个隔离器。一个或多个隔离器可在一个或多个隔离器与腔室主体之间限定排放路径。排放路径可延伸到腔室主体的基部。该系统可包括流体源，该流体源在绕该基板支撑件延伸的该通路处与该腔室主体流体地耦接。
处理沉积限制

[发明专利]具有改进的吸紧和电弧放电性能的静电吸盘设计-CN202310691393.4在审
发明人： A·A·哈贾;V·S·C·帕里米;S·M·博贝克;P·K·库尔施拉希萨;V·K·普拉巴卡尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开的方面涉及用于处理腔室的衬底支撑件的一个或多个实现方式。在一个实现方式中，一种衬底支撑件包括：主体，所述主体具有中心；以及支撑表面，所述支撑表面在所述主体上，所述支撑表面被配置为至少部分地支撑衬底。所述衬底支撑件包括：第一成角度壁，所述第一成角度壁从所述支撑表面向上且径向向外延伸；以及第一上表面，所述第一上表面设置在所述支撑表面上方。所述衬底支撑件还包括第二成角度壁，所述第二成角度壁从所述第一上表面向上且径向向外延伸，所述第一上表面在所述第一成角度壁与所述第二成角度壁之间延伸。所述衬底支撑件还包括第二上表面，所述第二上表面从所述第二成角度壁延伸。所述第二上表面设置在所述第一上表面上方。
具有改进电弧放电性能静电吸盘设计

[发明专利]具有改进的吸紧和电弧放电性能的静电吸盘设计-CN201911214538.1有效
发明人： A·A·哈贾;V·S·C·帕里米;S·M·博贝克;P·K·库尔施拉希萨;V·K·普拉巴卡尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：具有改进的吸紧和电弧放电性能的静电吸盘设计。本公开的方面涉及用于处理腔室的衬底支撑件的一个或多个实现方式。在一个实现方式中，一种衬底支撑件包括：主体，所述主体具有中心；以及支撑表面，所述支撑表面在所述主体上，所述支撑表面被配置为至少部分地支撑衬底。所述衬底支撑件包括：第一成角度壁，所述第一成角度壁从所述支撑表面向上且径向向外延伸；以及第一上表面，所述第一上表面设置在所述支撑表面上方。所述衬底支撑件还包括第二成角度壁，所述第二成角度壁从所述第一上表面向上且径向向外延伸，所述第一上表面在所述第一成角度壁与所述第二成角度壁之间延伸。所述衬底支撑件还包括第二上表面，所述第二上表面从所述第二成角度壁延伸。所述第二上表面设置在所述第一上表面上方。
具有改进电弧放电性能静电吸盘设计

[发明专利]原位陶瓷涂层沉积的方法-CN202180063009.5在审
发明人： S·M·博贝克;A·A·哈贾;R·林杜尔派布恩;K·D·李 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本公开内容涉及一种用于原位陈化处理腔室部件(诸如电极)的方法。所述方法包括在所述处理腔室部件上方沉积硅氧化物膜并将所述硅氧化物膜转化为含硅碳膜。所述含硅碳膜在所述处理腔室部件上方形成保护膜并耐受等离子体处理和/或干法蚀刻清洁。所述涂层具有高密度、良好的发射率控制并降低器件性质漂移的风险。
原位陶瓷涂层沉积方法

[发明专利]有针对性的加热控制系统-CN202080090318.7在审
发明人： V·S·C·帕里米;S·拉达克里什南;闵笑全;S·M·博贝克;P·K·库尔施拉希萨;V·普拉巴卡尔;S·哈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：示例性半导体处理腔室可包括腔室主体，所述腔室主体包括侧壁和底座。腔室可包括延伸穿过腔室主体的底座的基板支撑件。基板支撑件可包括配置成支撑半导体基板的支撑台板。基板支撑件可包括与支撑台板耦接的轴。基板支撑件可包括与基板支撑件的轴耦接的屏蔽件。屏蔽件可包括穿过屏蔽件限定的多个孔口。基板支撑件可包括安置在屏蔽件的孔口中的块。
针对性加热控制系统

[发明专利]用于使基板背侧损伤最小化的方法和设备-CN202080041770.4在审
发明人：胡良发;A·A·哈贾;S·M·博贝克;P·K·库尔施拉希萨;Y·铃木 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本公开的实施例总体涉及用于在半导体装置处理期间减少基板背侧损伤的设备和方法。在一个实施方案中，一种在基板处理腔室中吸附基板的方法包括以下步骤：在将吸附电压施加到基板支撑件之前将基板暴露于等离子体预热处置。在一个实施方案中，提供了一种基板支撑件，并且所述基板支撑件包括主体，所述主体具有设置在其中的电极和热控制装置。多个基板支撑特征形成在主体的上表面上，基板支撑特征中的每一个基板支撑特征具有基板支撑表面和圆形边缘。
用于使基板背侧损伤最小化方法设备

[发明专利]静电吸附工艺-CN202080030601.0在审
发明人： S·M·博贝克;V·S·C·帕里米;P·K·库尔施拉希萨;K·D·李 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C23C16/517 文献下载
摘要：本文描述的一个或多个实施例总体上涉及用于将基板吸附到半导体处理系统中所使用的静电吸盘和从静电吸盘将基板解吸附的方法。通常，在本文所述的实施例中，所述方法包括：(1)将来自直流(DC)功率源的第一电压施加至设置在基座内的电极；(2)将工艺气体导入工艺腔室；(3)从射频(RF)功率源施加功率至喷头；(4)在基板上执行处理；(5)停止施加RF功率；(6)从工艺腔室移除工艺气体；以及(7)停止施加DC功率。
静电吸附工艺

[发明专利]用于静电卡盘的方法及工具-CN202080011909.0在审
发明人：许璐;S·M·博贝克;P·K·库尔施拉希萨;B·S·权;V·S·C·帕里米;K·D·李;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：此处所述的实施例涉及用于监控静电卡紧性能的方法及工具。性能测试仅需要一个翘曲的基板及一个参考基板来执行。为了运行测试，参考基板定位于工艺腔室中静电卡盘上，且翘曲的基板定位于参考基板上。电压从功率源施加至静电卡盘，产生静电卡紧力以将翘曲的基板紧固至参考基板。此后，渐进地减少施加的电压，直到静电卡紧力太弱而无法将翘曲的基板维持在平坦的形式，导致翘曲的晶片解卡紧。通过使用传感器在沉积期间监控腔室的阻抗，可识别解卡紧的阈值电压，在此处参考基板的阻抗和翘曲的基板的阻抗偏移。
用于静电卡盘方法工具

[实用新型]衬底支撑件-CN202021336306.1有效
发明人： A·A·哈贾;V·S·C·帕里米;S·M·博贝克;P·K·库尔施拉希萨;V·K·普拉巴卡尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开的方面涉及用于处理腔室的衬底支撑件的一个或多个实现方式。在一个实现方式中，一种衬底支撑件包括：主体，所述主体具有中心；以及支撑表面，所述支撑表面在所述主体上，所述支撑表面被配置为至少部分地支撑衬底。所述衬底支撑件包括：第一成角度壁，所述第一成角度壁从所述支撑表面向上且径向向外延伸；以及第一上表面，所述第一上表面设置在所述支撑表面上方。所述衬底支撑件还包括第二成角度壁，所述第二成角度壁从所述第一上表面向上且径向向外延伸，所述第一上表面在所述第一成角度壁与所述第二成角度壁之间延伸。所述衬底支撑件还包括第二上表面，所述第二上表面从所述第二成角度壁延伸。所述第二上表面设置在所述第一上表面上方。
衬底支撑

[实用新型]衬底处理腔室及用于在其中设置的底座-CN202020083218.9有效
发明人： S·M·博贝克;V·S·C·帕里米;P·K·库尔施拉希萨;V·K·普拉巴卡尔;K·D·李;S·河;J·李 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本公开内容的各方面整体上涉及底座、其部件以及将其用于衬底处理腔室的方法。在一个实现方式中，一种用于在衬底处理腔室中进行设置的底座包括主体。所述主体包括支撑表面。所述主体还包括从所述支撑表面向上突出的台阶状表面。所述台阶状表面围绕所述支撑表面设置以包围所述支撑表面。所述台阶状表面限定边缘环，使得所述边缘环与所述底座成一体以形成所述主体，所述主体是整体的。所述底座还包括：电极，所述电极设置在所述主体中；以及一个或多个加热器，所述一个或多个加热器设置在所述主体中。
衬底处理用于其中设置底座

[发明专利]用于改进的热传递和温度均匀性的加热的基座设计-CN201911327919.0在审
发明人： V·S·C·帕里米;Z·黄;J·李;S·拉达克里什南;程睿;D·N·凯德拉亚;J·C·罗查;U·M·科尔卡;K·杰纳基拉曼;S·M·博贝克;P·K·库尔施拉希萨;V·K·普拉巴卡尔;B·S·权 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式总体上涉及一种基座，所述基座用于增加支撑在其上的基板中的温度均匀性。所述基座包括主体，所述主体中嵌入有加热器。所述主体包括图案化的表面，所述图案化的表面包括第一区域和围绕所述中心区域的第二区域，所述第一区域具有在第一高度从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱，所述第二区域具有在大于第一高度的第二高度从基底表面延伸的第二多个柱，其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面基本上共面并且限定基板接收表面。
用于改进传递温度均匀加热基座设计

[发明专利]用于衬底处理腔室的底座-CN202010041965.0在审
发明人： S·M·博贝克;V·S·C·帕里米;P·K·库尔施拉希萨;V·K·普拉巴卡尔;K·D·李;S·河;J·李 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本公开内容的各方面整体上涉及底座、其部件以及将其用于衬底处理腔室的方法。在一个实现方式中，一种用于在衬底处理腔室中进行设置的底座包括主体。所述主体包括支撑表面。所述主体还包括从所述支撑表面向上突出的台阶状表面。所述台阶状表面围绕所述支撑表面设置以包围所述支撑表面。所述台阶状表面限定边缘环，使得所述边缘环与所述底座成一体以形成所述主体，所述主体是整体的。所述底座还包括：电极，所述电极设置在所述主体中；以及一个或多个加热器，所述一个或多个加热器设置在所述主体中。
用于衬底处理底座

[实用新型]基座-CN201922311864.6有效
发明人： V·S·C·帕里米;Z·黄;J·李;S·拉达克里什南;程睿;D·N·凯德拉亚;J·C·罗查;U·M·科尔卡;K·杰纳基拉曼;S·M·博贝克;P·K·库尔施拉希萨;V·K·普拉巴卡尔;B·S·权 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式总体上涉及一种基座，所述基座用于增加支撑在其上的基板中的温度均匀性。所述基座包括主体，所述主体中嵌入有加热器。所述主体包括图案化的表面，所述图案化的表面包括第一区域和围绕所述中心区域的第二区域，所述第一区域具有在第一高度从所述主体的基底表面延伸的第一多个柱，所述第二区域具有在大于第一高度的第二高度从基底表面延伸的第二多个柱，其中所述第一多个柱和所述第二多个柱中的每一者的上表面基本上共面并且限定基板接收表面。
基座

[实用新型]衬底支撑件-CN201922123241.6有效
发明人： A·A·哈贾;V·S·C·帕里米;S·M·博贝克;P·K·库尔施拉希萨;V·K·普拉巴卡尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开的方面涉及用于处理腔室的衬底支撑件的一个或多个实现方式。在一个实现方式中，一种衬底支撑件包括：主体，所述主体具有中心；以及支撑表面，所述支撑表面在所述主体上，所述支撑表面被配置为至少部分地支撑衬底。所述衬底支撑件包括：第一成角度壁，所述第一成角度壁从所述支撑表面向上且径向向外延伸；以及第一上表面，所述第一上表面设置在所述支撑表面上方。所述衬底支撑件还包括第二成角度壁，所述第二成角度壁从所述第一上表面向上且径向向外延伸，所述第一上表面在所述第一成角度壁与所述第二成角度壁之间延伸。所述衬底支撑件还包括第二上表面，所述第二上表面从所述第二成角度壁延伸。所述第二上表面设置在所述第一上表面上方。
衬底支撑

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