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[发明专利]用于计量的信号域适应-CN202080070067.6有效
发明人： S·潘戴夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2020-10-08 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06N3/0464 文献下载
摘要：使用第一计量数据及第二计量数据训练机器学习模型以基于装置区域的计量数据来预测计量目标的计量数据。所述第一计量数据是针对使用制造工艺制造的半导体裸片上的装置区域的多个例子。所述第二计量数据是针对含有与所述装置区域中的结构相异的结构的计量目标的多个例子。使用所述经训练机器学习模型基于所述装置区域的例子的第三计量数据来预测所述计量目标的第四计量数据。使用所述计量目标的配方基于所述第四计量数据来确定所述计量目标的一或多个参数。至少部分基于所述一或多个参数来监测及控制所述制造工艺。
用于计量信号适应

[发明专利]用于过程控制的计量系统及方法-CN201780062566.9有效
发明人： S·潘戴夫;D·桑科;A·舒杰葛洛夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本文中呈现用于基于在过程间隔期间对晶片进行的重复测量估计所关注参数的值的方法及系统。在一个方面中，一或多个光学计量子系统与例如蚀刻工具或沉积工具等过程工具集成。使用在处理所述晶片时测量的一或多个所关注参数的值来控制所述过程本身。快速地且以足够准确度执行所述测量以实现半导体制造过程流程的良率改进。在一个方面中，使用经训练信号响应计量SRM测量模型来基于被处理晶片的光谱测量估计一或多个所关注参数的值。在另一方面中，采用经训练信号净化模型以在处理所述晶片时从经测量光谱产生净化光谱。
用于过程控制计量系统方法

[发明专利]用于确定半导体测量的质量的方法及系统-CN202180053903.4在审
发明人： D·桑科;文瑉瑛;S·潘戴夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本文中呈现用于估计指示半导体测量的一或多个性能特性的质量度量的值的方法及系统。将所述质量度量的所述值正规化以确保跨越宽广范围的测量方案的适用性。在一些实施例中，在测量推断期间确定每一测量样品的质量度量的值。在一些实施例中，采用经训练质量度量模型来确定缺陷分类的不确定性。在一些实施例中，采用经训练质量度量模型来确定例如几何、色散、过程及电参数等所估计所关注参数的不确定性。在一些实例中，质量度量被用作过滤器以检测测量离群值。在一些其它实例中，质量度量被用作触发器以调整半导体过程。
用于确定半导体测量质量方法系统

[发明专利]使用光谱计量的图案化膜堆叠的带隙测量-CN201880051578.6有效
发明人：王天含;A·罗森贝格;胡大为;A·库兹涅佐夫;M·D·源;S·潘戴夫;J·莱索伊内;赵强;列-关·里奇·利;H·舒艾卜;狄明;T·卡阿卡;A·舒杰葛洛夫;谭正泉 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G01J3/02 文献下载
摘要：本发明揭示一种光谱计量系统，其包含光谱计量工具及控制器。所述控制器生成包含两个或更多个层的多层光栅的模型，所述模型包含指示所述多层光栅的测试层的几何结构的几何参数及指示所述测试层的色散的色散参数。所述控制器进一步从所述光谱计量工具接收对应于所述经模型化多层光栅的经制造多层光栅的光谱信号。所述控制器进一步确定所述经模型化多层光栅的所述一或多个参数的值，从而在选定公差内提供对应于所述经测量光谱信号的经模拟光谱信号。所述控制器进一步基于所述经制造结构的所述测试层的所述一或多个参数的所述经确定值来预测所述经制造多层光栅的所述测试层的带隙。
使用光谱计量图案堆叠测量

[发明专利]用于基于图像的测量及基于散射术的叠对测量的信号响应度量-CN201910872426.9有效
发明人： S·潘戴夫;D·桑科;陆伟;S·斯里法思塔发 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G01N21/956 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于基于图像的测量及基于散射术的叠对测量的信号响应度量。采用各自具有沿相反方向的经编程偏移的两个叠对目标来执行叠对测量。基于零级散射术信号测量叠对误差，且以两个不同方位角从每一目标收集散射术数据。另外，本发明呈现用于基于所测量的基于图像的训练数据而创建基于图像的测量模型的方法及系统。接着使用经训练的基于图像的测量模型来直接依据从其它晶片收集的所测量图像数据计算一或多个所关注参数的值。本文中描述的用于基于图像的测量的方法及系统适用于度量应用及检验应用两者。
用于基于图像测量散射信号响应度量

[发明专利]基于概率性领域知识及物理实现的测量配方优化-CN202080084454.5在审
发明人： S·潘戴夫;陆伟;D·桑科 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G06N7/00 文献下载
摘要：采用用于基于性能度量来训练及实施计量配方的方法及系统来定量地特性化计量系统在特定测量应用中的测量性能。采用性能度量以正规化在测量模型训练、基于模型的回归或两者期间采用的优化过程。
基于概率领域知识物理实现测量配方优化

[发明专利]使用简化模型的基于断层摄影术的半导体测量-CN202080083663.8在审
发明人： S·潘戴夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本文中呈现了用于与半导体结构的基于经断层摄影解析的图像的测量相关联的经改进正则化的方法及系统。本文中所描述的正则化基于捕获已知工艺变化的受约束体素模型的测量数据及参数化。基于简化几何模型、工艺模型或者两者来确定所述受约束体素模型，从而表征被测量结构。与未受约束体素模型相比，受约束体素模型具有明显较少自由度。与所述受约束体素模型的每一体素相关联的值取决于相对小数目的自变量。所述自变量的选择由对所述结构及基本制造工艺的了解提供。基于受约束体素模型的正则化使得能够以较少计算工作量更快速地收敛及更精确地重构经测量结构。这使得能够以经减少数据采集要求及经减少测量时间进行半导体测量。
使用简化模型基于断层摄影术半导体测量

[发明专利]使用电子显微法的半导体计量及缺陷分类-CN201880085014.4有效
发明人： S·潘戴夫;A·库兹涅佐夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2018-12-31 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：在一些实施例中，从第一源获得半导体结构的相应实例的第一多个电子显微镜图像。所述第一多个电子显微镜图像展示一或多个半导体制造参数的不同值。训练模型，所述模型指定所述第一多个电子显微镜图像与所述一或多个半导体制造参数的所述值之间的关系。收集一或多个半导体晶片上的所述半导体结构的相应实例的第二多个电子显微镜图像。所述一或多个半导体晶片不同于所述第一源。使用所述模型预测所述第二多个电子显微镜图像的所述一或多个半导体制造参数的值。
使用电子显微半导体计量缺陷分类

[发明专利]用于组合来自多个计量工具的原始数据的系统、方法及计算机程序产品-CN201580059581.9有效
发明人： S·潘戴夫;T·奇乌拉;A·舒杰葛洛夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： G06N20/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于组合来自多个计量工具的原始数据的系统、方法及计算机程序产品。获得关于培训组件的至少一个参数的参考值。利用第一计量工具及不同的第二计量工具收集关于所述培训组件的所述至少一个参数的信号。此外，将所述信号的至少一部分变换为一组信号，且针对所述培训组件的所述至少一个参数中的每一者，确定所述组信号与所述参考值之间的对应关系并据此创建对应培训模型。利用至少所述第一计量工具及所述第二计量工具从目标组件收集信号，且将每一所创建培训模型应用于从所述目标组件收集的所述信号以测量所述目标组件的参数值。
用于组合来自计量工具原始数据系统方法计算机程序产品

[发明专利]用于测量半导体参数的设备、技术和目标设计-CN201811326714.6有效
发明人： N·沙皮恩;A·V·舒杰葛洛夫;S·潘戴夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2015-05-11 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G01N21/93 文献下载
摘要：本揭露涉及用于测量半导体参数的设备、技术和目标设计。在一个实施例中，揭示了用于确定目标的参数的设备及方法。提供了一种具有成像结构及散射测量结构的目标。利用计量工具的成像通道获得所述成像结构的图像。还利用所述计量工具的散射测量通道从所述散射测量结构获得散射测量信号。基于所述图像及所述散射测量信号两者确定所述目标的至少一个参数，例如叠对误差。
用于测量半导体参数设备技术目标设计

[发明专利]工艺敏感计量系统及方法-CN201680046414.5有效
发明人：李明俊;M·D·史密斯;S·卡帕希;S·潘戴夫;D·桑科;P·苏布拉马尼扬;A·莱维 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明揭示一种光刻系统，其包含照明源及一组投影光学器件。所述照明源将照明光束从离轴照明极点引导到图案掩模。所述图案掩模包含一组图案元件，所述组图案元件产生包含来自所述照明极点的照明的一组衍射光束。由所述组投影光学器件接收的所述组衍射光束中的至少两个衍射光束非对称地分布于所述组投影光学器件的光瞳面中。所述组衍射光束中的所述至少两个衍射光束非对称地入射于样本上以形成对应于所述组图案元件的图像的一组制造元件。样本上的所述组制造元件包含沿所述组投影光学器件的光学轴的样本的位置的一或多个指示符。
工艺敏感计量系统方法

[发明专利]使用散射术计量的焦点测量-CN201580018392.7有效
发明人： M·埃尔科达迪;N·阿米尔;R·弗克维奇;V·莱温斯基;Y·弗莱;D·坎戴尔;N·古特曼;S·潘戴夫;D·桑科 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： G02B15/14 文献下载
摘要：本发明提供有关具有在第一方向上以第一间距重复的元件的周期性结构的目标设计及方法。所述元件沿垂直于所述第一方向的第二方向以第二间距为周期，且在所述第二方向上的特征为具有所述第二间距的交替的对焦点敏感及对焦点不敏感的图案。在所产生目标中，所述第一间距可为大约装置间距，且所述第二间距可为数倍大。所述第一对焦点不敏感的图案可经产生以产出第一临界尺寸，且所述第二对焦点敏感的图案可经产生以产出第二临界尺寸，仅在满足指定焦点要求时，所述第二临界尺寸才可等于所述第一临界尺寸，或基于沿所述垂直方向的所述较长间距提供零以及第一衍射级的散射术测量。
使用散射计量焦点测量

[发明专利]使用装置检验系统的叠加误差的测量-CN201880072591.X在审
发明人： G（俊）·侯;纪方仁;A·玛纳森;L·叶鲁舍米;A·马尼;A·帕克;S·潘戴夫;A·舒杰葛洛夫;J·马德森 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2018-06-24 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于在半导体制造过程中测量叠加的方法及系统，其包括：在经预先确定制造阶段捕获对象中的特征的图像；从所述图像导出图像参数的数量；及将所述数量转换成叠加测量。所述转换是参考在相同经预先确定制造阶段从具有已知OVL的特征的参考图像导出的图像参数数量。所述图像并非详细图像且所述特征的大小小于成像工具的分辨率。还揭示一种确定由检验工具使用的装置检验配方的方法，其包括：将装置图案识别为可能对OVL敏感的候选装置关注区域；导出对每一所识别图案的OVL响应；使所述OVL响应与所测量OVL相关；及基于所述相关性选择一些或所有所述装置图案作为装置关注区域。一些实施例使用可打印于裸片区域中或裸片上的新颖目标。
使用装置检验系统叠加误差测量

[发明专利]多重图案化工艺的度量-CN201580055340.7有效
发明人： S·潘戴夫;D·桑科;A·库兹涅佐夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明提出用于评估多重图案化工艺的性能的方法及系统。测量图案化结构且确定特征化由所述多重图案化工艺引发的几何误差的一或多个参数值。在一些实例中，测量主、多重图案化目标且通过信号响应度量SRM测量模型从所述测量数据直接确定所关注参数的值。在一些其它实例中，测量主、多重图案化目标及辅助目标且通过信号响应度量SRM测量模型从所述测量数据直接确定所关注参数的值。在一些其它实例中，在不同过程步骤处测量主、多重图案化目标且通过信号响应度量SRM测量模型从所述测量数据直接确定所关注参数的值。
多重图案化工度量

[发明专利]自动化的基于图像的过程监测及控制-CN201680023662.8有效
发明人： H·法加里亚;S·卡达尔;T·托雷利;B·里斯;M·马哈德凡;S·潘戴夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开用于基于图像自动检测晶片制造过程的状态的方法及装置。所述方法有利地使用片段掩模来提高所述图像的信噪比。接着，针对片段掩模变化计算度量值以确定预测过程不合规性的片段掩模与度量值的一或多个组合。模型可因所述过程而产生。在另一实施例中，一种方法使用模型来监测过程的合规性。
自动化基于图像过程监测控制

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