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[发明专利]使用光谱计量的图案化膜堆叠的带隙测量-CN201880051578.6有效
发明人：王天含;A·罗森贝格;胡大为;A·库兹涅佐夫;M·D·源;S·潘戴夫;J·莱索伊内;赵强;列-关·里奇·利;H·舒艾卜;狄明;T·卡阿卡;A·舒杰葛洛夫;谭正泉 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G01J3/02 文献下载
摘要：本发明揭示一种光谱计量系统，其包含光谱计量工具及控制器。所述控制器生成包含两个或更多个层的多层光栅的模型，所述模型包含指示所述多层光栅的测试层的几何结构的几何参数及指示所述测试层的色散的色散参数。所述控制器进一步从所述光谱计量工具接收对应于所述经模型化多层光栅的经制造多层光栅的光谱信号。所述控制器进一步确定所述经模型化多层光栅的所述一或多个参数的值，从而在选定公差内提供对应于所述经测量光谱信号的经模拟光谱信号。所述控制器进一步基于所述经制造结构的所述测试层的所述一或多个参数的所述经确定值来预测所述经制造多层光栅的所述测试层的带隙。
使用光谱计量图案堆叠测量

[发明专利]基于可重复使用子结构的纳米线半导体结构的测量模型-CN201980018185.X有效
发明人： H·舒艾卜;A·库兹涅佐夫 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文中呈现用于基于可重复使用参数模型而产生基于纳米线的半导体结构的测量模型的方法及系统。采用这些模型的计量系统经配置以测量与纳米线半导体制作过程相关联的结构及材料特性(例如，结构及膜的材料组成、尺寸特性等)。基于纳米线的半导体结构的所述可重复使用参数模型实现基本上较简单、较不易于出错且较准确的测量模型产生。因此，尤其在将复杂的基于纳米线的结构建模时，实现有用测量结果的时间显著减少。基于纳米线的半导体结构的所述可重复使用参数模型对于针对光学计量及x射线计量两者产生测量模型是有用的，所述x射线计量包含软x射线计量及硬x射线计量。
基于重复使用结构纳米半导体测量模型

[发明专利]用于半导体结构中应变测量的基于散射测量的方法及系统-CN201980079619.7在审
发明人： H·舒艾卜;A·J·罗森贝格;肖恩·凯-翔·林;胡大为;谭正泉 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2019-12-15 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G01N21/956 文献下载
摘要：本文中呈现用于测量晶体管沟道结构的光学性质并将所述光学性质与应变状态联系起来的方法及系统。对紧密模拟部分制造的实际装置结构的计量目标执行应变的光学散射测量。在一个方面中，基于沿着及跨越半导体沟道的所测量光谱的差异，采用光学散射测量来测量所述半导体沟道中的单轴应变。在另一方面中，使应变对所测量光谱的影响与例如在所述测量中捕获的结构的几何结构及材料性质的其它贡献因素去相关。在另一方面中，对包含经应变计量目标及对应未经应变计量目标的计量目标对执行测量以解析所述被测量计量目标的几何结构并提供用于应变的绝对值的估计的参考。
用于半导体结构应变测量基于散射方法系统

[发明专利]三维半导体结构的可视化-CN201980016475.0在审
发明人： A·J·罗森贝格;J·伊洛雷塔;T·G·奇乌拉;A·吉里纽;徐寅;徐凯文;J·亨奇;A·贡德;A·韦尔德曼;列-关·里奇·利;H·舒艾卜 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种半导体计量工具检验半导体晶片的区域。所述经检验区域包含在至少一个维度上周期性地布置的3D半导体结构的多个例子。计算机系统基于在所述检验期间收集的测量产生所述3D半导体结构的相应例子的模型。所述计算机系统呈现展示所述模型的3D形状的所述模型的图像且将所述图像提供到装置以用于显示。
三维半导体结构可视化

[发明专利]先进纳米结构的测量方法-CN201880077785.9在审
发明人： M·源;P·阿金斯;A·库兹涅佐夫;列-关·里奇·利;N·马尔科娃;P·奥雅吉;M·苏辛西科;H·舒艾卜;胡大为 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：可基于来自晶片计量工具的光谱确定结构的参数化几何模型。所述结构可具有几何结构诱发的各向异性效应。可从所述参数化几何模型确定所述结构的色散参数。这可实现用于测量具有诱发不可忽略的各向异性效应的几何结构及与周围结构的相对位置的纳米结构的计量技术。这些技术可用于特性化例如FinFET或及环绕式栅极场效应晶体管的半导体制造中的涉及金属及半导体目标的工艺步骤。
先进纳米结构测量方法

[发明专利]测量光栅上薄膜及光栅上带隙-CN201880052036.0在审
发明人： H·舒艾卜;谭正泉 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本文中所揭示的方法及系统可测量半导体中的薄膜堆叠，例如光栅上膜及光栅上带隙。例如，所述薄膜堆叠可为1D膜堆叠、2D光栅上膜或3D光栅上膜。为所述膜堆叠创建一或多个有效介质分散模型。每一有效介质分散模型可替代一或多个层。可使用基于有效介质分散的散射测量模型确定一或多个层的厚度。在一实例中，开发三种基于有效介质分散的散射测量模型并将其用于确定膜堆叠中的三个层的厚度。
测量光栅薄膜上带隙