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[发明专利]晶体管、晶体管阵列及个别地包括晶体管的存储器单元阵列-CN202211471390.1在审
发明人： K·M·考尔道;刘海涛;S·查杰德 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及晶体管、晶体管阵列及个别地包括晶体管的存储器单元阵列。晶体管包括其间具有沟道区的一对源极/漏极区。栅极邻近所述沟道区，其中栅极绝缘体在所述栅极与所述沟道区之间。固定电荷材料邻近所述源极/漏极区。绝缘材料在所述固定电荷材料与所述源极/漏极区之间。所述绝缘材料及所述固定电荷材料包括相对于彼此不同的组合物。所述固定电荷材料具有至少1x 1011电荷/cm2的电荷密度。
晶体管阵列个别包括存储器单元

[发明专利]单晶半导体结构的裸片上形成-CN202210925717.1在审
发明人： J·B·赫尔;A·A·卡恩德卡尔;刘鸿威;S·查杰德 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本申请涉及单晶半导体结构的裸片上形成。在一些实例中，半导体材料层可沉积在存储器单元的一或多个叠组上方并且被划分成一组贴片。可基于几乎或部分地熔化所述半导体材料而形成每个贴片的相应结晶布置，使得成核位点保持在所述半导体材料中，相应结晶布置可从所述成核位点生长。晶体管的沟道部分可至少部分地通过掺杂所述半导体材料的所述结晶布置的区来形成。因此，所述存储器单元的操作可由下部电路系统(例如，至少部分地由结晶半导体衬底的掺杂部分形成)和上部电路系统(例如，至少部分地由半导体的沉积在所述存储器单元上方并且以原位结晶布置形成的掺杂部分形成)支持。
半导体结构裸片上形成

[发明专利]晶体管及形成集成电路系统的方法-CN202080056191.7在审
发明人：刘鸿威;S·查杰德;J·B·赫尔;A·A·卡恩德卡尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：晶体管包括顶部源极/漏极区、底部源极/漏极区、竖直地处于所述顶部及底部源极/漏极区之间的沟道区，及以操作方式横向邻近于所述沟道区的栅极。所述顶部源极/漏极区、所述底部源极/漏极区及所述沟道区中的至少一个是结晶的。所述顶部源极/漏极区、所述底部源极/漏极区及所述沟道区中的所述至少一个内的所有晶粒具有彼此相差在0.064pm3内的平均晶体尺寸。公开包含方法的其它实施例。
晶体管形成集成电路系统方法

[发明专利]存储器单元及形成包含具有不同总电阻的电流泄漏路径的电容器的方法-CN202080046660.7在审
发明人： M·米奇;A·A·恰范;S·查杰德;B·R·曲克;K·K·穆图克里希南;D·V·N·拉马斯瓦米;L·威廉森 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：一种存储器单元包括电容器，其包括：第一电容器电极，其具有横向间隔壁；第二电容器电极，其包括在所述第一电容器电极上方的一部分；及电容器绝缘体材料，其介于所述第二电容器电极与所述第一电容器电极之间。所述电容器包括从所述第一及第二电容器电极中的一者通过所述电容器绝缘体材料到另一者的固有电流泄漏路径。平行电流泄漏路径介于所述第二电容器电极与所述第一电容器电极之间。所述平行电流泄漏路径电路平行于所述固有电流泄漏路径，具有低于所述固有电流泄漏路径的总电阻，且包括在所述第一电容器电极的所述横向间隔壁的横向最内表面的横向外部的任何处的泄漏件材料。公开包含方法的其它实施例。
存储器单元形成包含具有不同电阻电流泄漏路径电容器方法

[发明专利]包括在两种或更多种不同半导体材料内扩散的氢的集成组合件及形成集成组合件的方法-CN202080019268.3在审
发明人： K·M·考尔道;李宜芳;刘海涛;D·V·N·拉马斯瓦米;R·甘地;K·萨尔帕特瓦里;S·E·西利士;S·查杰德 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一些实施例包含一种集成组合件，其具有在第二半导体材料的两个区之间的第一半导体材料。所述第二半导体材料是不同于所述第一半导体材料的成分。氢在所述第一及第二半导体材料内扩散。所述第二半导体材料的导电性响应于扩散在其中的所述氢而增加，以借此创建具有所述第二半导体材料作为源极/漏极区并且具有所述第一半导体材料作为在所述源极/漏极区之间的沟道区的结构。晶体管栅极邻近所述沟道区并且经配置以在所述沟道区内感应电场。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
包括多种不同半导体材料扩散集成组合形成方法

[发明专利]电容器阵列、存储器单元阵列、形成电容器阵列的方法及形成存储器单元阵列的方法-CN201980080905.5在审
发明人： S·查杰德;A·A·恰范;M·费希尔;D·V·N·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种形成电容器阵列的方法包括形成多个水平间隔开的群组，所述多个水平间隔开的群组个别地包括上方具有电容器绝缘体的多个水平间隔开的下部电容器电极。所述群组中的邻近者比所述群组内的所述下部电容器电极中的邻近者水平间隔开更远。空隙空间位于所述邻近群组之间。在所述空隙空间中以及在所述群组中在所述电容器绝缘体及所述下部电容器电极上方形成上部电容器电极材料。所述空隙空间中的所述上部电容器电极材料与所述邻近群组中的所述上部电容器电极材料相对于彼此连接。所述上部电容器电极材料未填满所述空隙空间。从所述空隙空间移除所述上部电容器电极材料的至少一部分以将所述邻近群组中的所述上部电容器电极材料相对于彼此断开连接。在所述群组中的个别者中的所述上部电容器电极材料的顶部上形成水平伸长的导电线，所述水平伸长的导电线直接电耦合到所述上部电容器电极材料。本发明揭示其它方法，包含不依赖于制造方法的结构。
电容器阵列存储器单元形成方法

[发明专利]半导体结构、存储器装置和系统以及形成它们的方法-CN201910832688.2在审
发明人： A·A·恰范;D·V·N·拉马斯瓦米;M·米奇;S·查杰德 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及半导体结构、存储器装置和系统以及形成它们的方法。一种方法包含形成第一非晶材料，在所述第一非晶材料上并与其相接触地形成第二非晶材料，去除所述第二材料和所述第一材料的一部分以形成柱，和将所述材料暴露于所述第一材料的结晶温度和所述第二材料的结晶温度之间的温度。所述第一材料和所述第二材料各自包括选自由以下组成的群组的至少一种元素：硅和锗。所述第二材料表现出与所述第一材料的结晶温度不同的结晶温度。还公开了半导体结构、存储器装置和系统。
半导体结构存储器装置系统以及形成它们方法

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