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[发明专利]用于竖直三维(3D)存储器的水平存取装置的主体下触点-CN202110862339.2有效
发明人： S·普卢居尔塔;杨立涛;李时雨;刘海涛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请涉及用于竖直三维3D存储器的水平存取装置的主体下触点。提供了用于竖直堆叠存储器单元阵列的系统、方法和设备，所述竖直堆叠存储器单元阵列具有：水平取向存取装置，所述水平取向存取装置具有由沟道区域分离的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，以及与所述沟道区域相对的栅极；竖直取向存取线，所述竖直取向存取线耦合到所述栅极并由栅极电介质与所述沟道区域分离。所述存储器单元具有耦合到所述第二源极/漏极区域的水平取向存储节点和耦合到所述第一源极/漏极区域的水平取向数位线。竖直主体触点的主体下导电触点与一或多个所述水平取向存取装置中的主体区域形成直接电接触并且由电介质与所述第一源极/漏极区域和所述水平取向数位线分离。
用于竖直三维存储器水平存取装置主体触点

[发明专利]集成组合件-CN202180052008.0在审
发明人： S·普卢居尔塔;杨立涛;刘海涛;K·M·考尔道 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：一些实施例包含集成存储器。所述集成存储器包含第一系列的第一导电结构和第二系列的导电结构。所述第一导电结构沿着第一方向延伸。所述第二导电结构沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸。半导体材料的支柱从所述第一导电结构向上延伸。所述支柱中的每一个包含下部源极/漏极区、上部源极/漏极区，以及所述下部和上部源极/漏极区之间的沟道区。所述下部源极/漏极区与所述第一导电结构耦合。绝缘材料邻近于所述支柱的侧壁表面。所述绝缘材料包含ZrOx，其中x为大于0的数字。所述第二导电结构包含通过至少所述绝缘材料与所述沟道区间隔开的选通区。存储元件与所述上部源极/漏极区耦合。
集成组合

[发明专利]沿着有源区周围的四侧中的三侧具有导电材料的集成式组合件以及形成集成式组合件的方法-CN202180033389.8在审
发明人：杨立涛;S·普卢居尔塔;高云飞;S·D·唐;刘海涛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一些实施例包含具有竖直延伸的有源区的阵列的集成式组合件。所述有源区中的每一个包含于四侧区域内。导电栅极材料经配置为第一导电结构。所述第一导电结构中的每一个沿着所述阵列的行延伸。所述第一导电结构包含沿着所述四侧区域中的每一个的四侧中的三侧的片段。第二导电结构在所述有源区下方且沿着所述阵列的列延伸。第三导电结构沿着所述阵列的行延伸且邻近于所述四侧区域的第四侧。存储元件与所述有源区耦合。一些实施例包含形成集成式组合件的方法。
沿着有源周围中的具有导电材料集成组合以及形成方法

[发明专利]包含校准操作和具有可调整阈值电压的晶体管的存储器装置-CN202210311580.0在审
发明人： A·J·卡阿古;J·古哈;S·普卢居尔塔;杉浦聡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请涉及一种包含校准操作和具有可调整阈值电压的晶体管的存储器装置。一些实施例包含设备和使用所述设备的方法。其中一个实施例包含：电容器；耦合到所述电容器的晶体管，所述晶体管和所述电容器包含在存储器单元中，所述晶体管包含沟道结构、包含位于所述沟道结构的一侧上的部分的栅极及位于所述沟道结构和所述栅极之间的介电结构；以及裸片上电路系统，其配置成向所述晶体管选择性地施加应力条件以调节所述晶体管的阈值电压。
包含校准操作具有可调整阈值电压晶体管存储器装置

[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法-CN202080075090.4在审
发明人：杨立涛;S·普卢居尔塔;刘海涛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一些实施例包含一种集成组合件，其具有含有半导体材料的有源区。所述有源区包含在所述半导体材料内的第一、第二及第三源极/漏极区，包含在所述半导体材料内且在所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间的第一沟道区，且包含在所述半导体材料内且在所述第二源极/漏极区与所述第三源极/漏极区之间的第二沟道区。所述半导体材料包含选自周期表第13族的至少一种元素。数字线与所述第二源极/漏极区电耦合。第一晶体管栅极操作性地接近所述第一沟道区。第二晶体管栅极操作性地接近所述第二沟道区。第一存储元件与所述第一源极/漏极区电耦合。第二存储元件与所述第三源极/漏极区电耦合。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]三维(3D)垂直存储器中的金属绝缘体半导体(MIS)接触-CN202110676085.5在审
发明人： K·M·考尔道;D·C·潘迪;杨立涛;S·普卢居尔塔;高云飞;刘海涛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本申请案涉及三维3D垂直存储器中的金属绝缘体半导体MIS接触。提供用于垂直堆叠存储器单元阵列的系统、方法及设备，所述垂直堆叠存储器单元阵列具有水平定向存取器装置，其具有通过沟道区域分开的第一源极/漏极区域及第二源极漏极区域，以及与所述沟道区域相对的栅极；垂直定向存取线，其耦合到所述栅极并通过栅极电介质与沟道区域分开。所述存储器单元具有耦合到所述第二源极/漏极区域的水平定向存储节点及耦合到所述第一源极/漏极区域的水平定向数字线。在一个实例中，绝缘体材料形成在所述第一源极/漏极区域的表面上，且导体材料形成在所述绝缘体材料上，以在所述水平定向数字线与所述水平定向存取装置的所述第一源极/漏极区域之间形成金属绝缘体半导体MIS界面。
三维垂直存储器中的金属绝缘体半导体 mis 接触

[发明专利]包含晶体管的设备和相关方法、存储器装置和电子系统-CN202110483620.5在审
发明人：杨立涛;S·普卢居尔塔;刘海涛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本申请涉及包含晶体管的设备和相关方法、存储器装置和电子系统。该设备包括第一导电结构和与第一导电结构电连通的至少一个晶体管。该至少一个晶体管包括耦合到第一导电结构的下导电触点和在下导电触点上的分裂体沟道。分裂体沟道包括第一半导体柱和与第一半导体柱水平相邻的第二半导体柱。该至少一个晶体管还包括水平插入在分裂体沟道的第一半导体柱和第二半导体柱之间的栅极结构，以及垂直覆盖栅极结构并耦合到分裂体沟道的上导电触点。栅极结构的部分围绕第一半导体柱和第二半导体柱的每一个的三个侧面。
包含晶体管设备相关方法存储器装置电子系统

[发明专利]在数字线之间具有屏蔽线的集成组合件及形成集成组合件的方法-CN202080018554.8在审
发明人： S·D·唐;S·普卢居尔塔;R·J·希尔;高云飞;N·R·塔皮亚斯;杨立涛;刘海涛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一些实施例包含集成组合件，其具有沿着第一方向延伸且通过中介区彼此间隔的数字线。所述中介区中的每一者沿着横截面具有第一宽度。支柱从所述数据线向上延伸；所述支柱包含垂直延伸于上源极/漏极区与下源极/漏极区之间的晶体管沟道区。存储元件与所述上源极/漏极区耦合。字线沿着与所述第一方向相交的第二方向延伸。所述字线包含邻近所述沟道区的栅极区。屏蔽线在所述中介区内且沿着所述第一方向延伸。所述屏蔽线可与至少一个参考电压节点耦合。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
数字之间具有屏蔽集成组合形成方法

[发明专利]具有双晶体管竖直存储器单元的存储器装置-CN201980090134.8在审
发明人： S·普卢居尔塔;D·V·N·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一些实施例包含设备和形成所述设备的方法。所述设备中的一个包含存储器单元、第一、第二和第三数据线及第一和第二存取线。所述第一数据线电耦合到第一晶体管的第一沟道区。所述第二数据线电耦合到所述第一沟道区。所述第三数据线电耦合到第二晶体管的第二沟道区，所述第二沟道区电耦合到电荷存储结构且在所述第一晶体管的电荷存储结构和所述第三数据线之间。所述第一存取线位于所述设备的第一层级上。所述第二存取线位于所述设备的第二层级上。所述电荷存储结构位于所述设备的在所述第一和第二层级之间的一层级上。
具有双晶竖直存储器单元装置

[发明专利]竖直2-晶体管存储器单元-CN201980086864.0在审
发明人：卡迈勒·M·考尔道;S·普卢居尔塔;刘海涛;K·萨尔帕特瓦里;D·V·N·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一些实施例包含设备和形成所述设备的方法。所述设备和方法中的一个包含具有定位于衬底上方的第一晶体管和第二晶体管的存储器单元。所述第一晶体管包含沟道区。所述第二晶体管包含定位于所述第一晶体管的所述沟道区上方且与所述第一沟道区电分离的沟道区。所述存储器单元包含定位于所述第一晶体管的所述沟道区的至少一侧上的存储器元件。所述存储器元件与所述第一晶体管的所述沟道区电分离，且电耦合到所述第二晶体管的沟道。
竖直晶体管存储器单元

[发明专利]凹入式存取装置及DRAM构造-CN201880083686.1在审
发明人：高云飞;R·J·希尔;G·S·桑胡;刘海涛;D·C·潘迪;S·普卢居尔塔;K·M·考尔道 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种凹入式存取装置，其包括在半导体材料中的沟槽中的导电栅极。栅极绝缘体沿着所述沟槽的侧壁及基底位于所述导电栅极与所述半导体材料之间。一对源极/漏极区在所述沟槽的相对侧上的所述半导体材料的上部分中。沟道区沿着所述沟槽侧壁且围绕所述沟槽基底位于所述对源极/漏极区下方的所述半导体材料中。所述沟道区的至少部分包括GaP。
凹入式存取装置 dram 构造

[发明专利]具有带有两个晶体管及一个电容器的存储器单元且具有与参考电压耦合的晶体管的主体区的设备-CN201880040047.7在审
发明人：卡迈勒·M·考尔道;C·穆利;S·普卢居尔塔;R·N·古普塔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：一些实施例包含一种具有两个晶体管及一个电容器的存储器单元。所述晶体管是第一晶体管及第二晶体管。所述电容器具有与所述第一晶体管的源极/漏极区耦合的第一节点，且具有与所述第二晶体管的源极/漏极区耦合的第二节点。所述存储器单元具有与所述第一晶体管的所述源极/漏极区相邻的第一主体区，且具有与所述第二晶体管的所述源极/漏极区相邻的第二主体区。第一主体连接线将所述存储器单元的所述第一主体区耦合到第一参考电压。第二主体连接线将所述存储器单元的所述第二主体区耦合到第二参考电压。所述第一参考电压及所述第二参考电压可彼此相同或可彼此不同。
晶体管源极/漏极区存储器单元参考电压主体区电容器连接线耦合到耦合的

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