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[发明专利]具有提高的粘度的可固化(甲基)丙烯酸系树脂组合物-CN201880013346.1在审
发明人： R·里克特;L·F·多塞尔;T·哈斯克尔;A·弗鲁斯;M.施纳贝尔;P·克利姆 -专利权人：赢创罗姆有限公司
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： C09D7/65 文献下载
摘要：本发明涉及用作可固化(甲基)丙烯酸系树脂组合物中的抗冲改性剂的聚合物粒子及其制备方法。
丙烯酸系树脂可固化聚合物粒子抗冲改性剂制备

[发明专利]促转导素B（Protransduzin B）－基因转移的增强剂-CN201910487826.8在审
发明人： W-G·福斯曼;A·齐格拉杰;R·里克特 -专利权人：法瑞斯生物技术有限公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： C07K7/08 文献下载
摘要：一种N端被保护的肽，具有如下序列：X‑Glu‑Cys‑Lys‑Ile‑Lys‑Gln‑Ile‑Ile‑Asn‑Met‑Trp‑Gln(SEQ ID NO:1)，其中，X为保护肽N端的基团。
基因转移增强剂转导

[发明专利]促转导素B(Protransduzin B)－基因转移的增强剂-CN201480023747.7有效
发明人： W-G·福斯曼;A·齐格拉杰;R·里克特 -专利权人：法瑞斯生物技术有限公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： C07K14/005 文献下载
摘要：一种N端被保护的肽，具有如下序列：X‑Glu‑Cys‑Lys‑Ile‑Lys‑Gln‑Ile‑Ile‑Asn‑Met‑Trp‑Gln(SEQ ID NO:1)，其中，X为保护肽N端的基团。
转导 protransduzin 基因转移增强

[发明专利]促转导素-C（Protransducine-C）：基因转移激活因子-CN201780069555.3在审
发明人： W-G·福斯曼;R·里克特 -专利权人：法瑞斯生物技术有限公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： C07K14/16 文献下载
摘要：具有序列(AA)的多肽。
基因转移激活因子多肽转导

[发明专利]体积测量组件-CN201780067367.7在审
发明人： R·里克特;R·威特;R·冈瑟;T·内格尔 -专利权人：赛诺菲-安万特德国有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： A61M5/168 文献下载
摘要：在一个方面，本公开文本涉及一种用于测量位于液体储器(24)内的液体介质(14)的体积变化的测量组件(10；110；210；310；410；510)，该测量组件包括：‑气密壳体(20；120；220；320)，其具有内部体积(21；121)，该内部体积容纳气体储器(22；122)并容纳液体储器(24)，其中液体储器(24)填充以液体介质(14)，‑气体入口(30；130)，其与气体储器(22；122)处于流动连接并穿过气密壳体(20；120；220；320)的边界(19)延伸到气密壳体(20；120；220；320)的外部(5)，‑出口(42)，其能够与液体储器(24)连接并且其延伸穿过气密壳体(20；120；220；320)的边界(19)，‑其中气体储器(22；122)和液体储器(24)被不可穿透的分隔壁(25)不透气地分隔开，和‑布置在气体入口(30；130)中或横跨气体入口(30；130)布置的流量计(28)，其用于测量气体介质(15)响应于液体介质(14)通过出口(42)从液体储器(24)中抽出而通过入口(30；130)的进入量。
液体储器气密壳体气体储器气体入口液体介质测量组件流量计测量容纳流动连接气体介质体积变化体积测量延伸穿过不透气穿透的进入量分隔填充隔壁出口横跨抽出文本穿过外部响应延伸

[发明专利]设置Delta-Sigma模数转换器中输出信号有效分辨率的方法和装置-CN201510973899.X有效
发明人： R·里克特;M·迈兰 -专利权人： IDT欧洲有限责任公司
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H03M3/00 文献下载
摘要：设置Delta‑Sigma模数转换器中输出信号有效分辨率的方法和装置。本发明涉及一种用于借助增量型Delta‑Sigma模数转换器设置增量型Delta‑Sigma模数转换过程中的输出信号的有效分辨率的方法，其中，输入信号与在反馈支路中形成的基准电压信号的差被输送至第一积分器，本发明还涉及一种使用这种方法的装置。确保多级的增量型Delta‑Sigma模数转换器针对很大的输入信号范围的稳定性并且无需输入信号的直接衰减，从而能够避免关于ADC固有噪声源的直接信噪比(SNR)变差，上述任务通过如下方式来解决，即，在增量型Delta‑Sigma模数转换器的反馈支路中形成虚拟的基准电压，其中，借助可设置的基准电容Cref使所述基准电压信号适合于变化的输入信号范围并且设置取决于所述基准电容Cref的时钟周期数量N。
设置 delta sigma 转换器输出信号有效分辨率方法装置

[发明专利]基于非晶化工艺及热处理在凹部中形成有内埋式应变诱发性材料的晶体管-CN201410050281.1有效
发明人： N·萨赛特;C·格拉斯;J·亨治尔;R·严;R·里克特 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2014-02-13 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于非晶化工艺及热处理在凹部中形成有内埋式应变诱发性材料的晶体管，其为了并入应变诱发性半导体材料而在半导体装置的主动区中形成凹部时，凹部可利用非晶化工艺及热处理得到改良型形状，以便选择性地修改主动区曝露部分的蚀刻行为，并且调整非晶区的形状。如此，凹部的基本配置可经过调整而具有高度弹性。因此，可改良应变诱发性技术的功效。
基于化工热处理凹部中形成有内埋式应变诱发材料晶体管

[发明专利]用于药物输送装置的阻塞件组合体-CN201380030079.6有效
发明人： T·内格尔;R·里克特;R·威特;R·冈瑟;M·格雷费 -专利权人：赛诺菲-安万特德国有限公司
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： A61M5/315 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于药物输送装置(1)的阻塞件组合体，包括阻塞件(5)、一端联结到阻塞件(5)而相反端联结到联结组合体(8)的线性动作件(7)，其中，阻塞件组合体构造成设置在药物输送装置(1)的容器(2)里面，其中，阻塞件(5)和联结组合体(8)的形状和/或材料构造成当线性动作件(7)收缩时，联结组合体(8)和容器(2)之间的第一摩擦力低于阻塞件(5)和容器(2)之间的摩擦力，并且当线性动作件(7)膨胀时，联结组合体(8)和容器(2)之间的第二摩擦力大于阻塞件(5)和容器(2)之间的摩擦力。
用于药物输送装置阻塞组合

[发明专利]药物输送装置-CN201380031078.3有效
发明人： T·内格尔;R·里克特;R·威特;R·冈瑟;M·格雷费 -专利权人：赛诺菲-安万特德国有限公司
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： A61M5/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种药物输送装置(1)，包括‑壳体(6)，用于保持药物容器(2)，所述药物容器(2)限定出用于容纳药物的腔(3)，其中，阻塞件(4)可滑动地设置在容器(2)内部，以便在沿远侧方向(D)平移时通过排放管口(5)排出药物；‑内部磁体(14)，可设置在药物容器(2)内部，用于抵靠阻塞件(4)；‑至少一个外部磁体(13)，与容器(2)共轴地设置在壳体(6)内部并且沿轴向方向(D,P)可滑动；‑触发器组合体(15,16)，用于在致动时使外部磁体沿远侧方向(D)前进，其中，外部磁体(13)和内部磁体(14)布置成用于通过药物容器(2)壁磁性相互作用，使得在触发器致动时外部磁体(13)使内部磁体(14)前进。
药物输送装置

[发明专利]应力记忆工艺-CN201410076345.5有效
发明人： J·亨治尔;S·弗莱克豪斯基;R·里克特;N·萨赛特 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及应力记忆工艺，公开一种方法，其包括提供一种包括设置在半导体区域上方的栅极结构的半导体结构。进行离子注入制程，其非晶化邻近该栅极结构的该半导体区域的第一部分及邻近该栅极结构的该半导体区域的第二部分，以使第一非晶区域及第二非晶区域在邻近该栅极结构处形成。进行原子层沉积制程，其在该半导体结构上方沉积具有内部应力的材料层，且选定进行该原子层沉积制程的至少一部分的温度及该原子层沉积制程的至少一部分的持续时间，以使该第一非晶区域及该第二非晶区域在该原子层沉积制程期间重新结晶。
应力记忆工艺

[发明专利]用于无内嵌式SiGe的HKMG技术中的改良型硅化物形成-CN201410077243.5有效
发明人： S·弗莱克豪斯基;R·里克特;J·亨治尔 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及用于无内嵌式SiGe的HKMG技术中的改良型硅化物形成，在形成尖端P通道晶体管时，半导体合金层形成于包括晶体管主动区的半导体层的表面上。当金属硅化物层相连于此半导体合金层而形成时，观察到金属硅化物层凝聚至隔离团簇内。为了解决这个问题，本发明提出一种方法及一种半导体装置，其中半导体合金层位在晶体管的源极与漏极区上的部分在形成金属硅化物层前予以移除。按照此方式，所形成的金属硅化物层是相连于半导体层而未相连于半导体合金层。
用于无内嵌式 sige hkmg 技术中的改良型硅化物形成

[发明专利]具有与晶体管长度脱钩的栅极硅长度的器件及其形成方法-CN201410086756.2有效
发明人： J·亨治尔;S·弗莱克豪斯基;R·里克特;P·扎沃卡 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及具有与晶体管长度脱钩的栅极硅长度的触点几何，提供用于形成半导体器件的方法。在一个实施例中，提供具有栅极绝缘层和形成在栅极绝缘层上的栅极电极结构的栅极结构。所述方法提供沿平行于连接源极和漏极的方向延伸的方向相对于栅极绝缘层减少栅极电极结构的尺寸。提供一种具有包括栅极绝缘层和形成在栅极绝缘层上方的栅极电极结构的栅极结构的半导体器件，其中相对于栅极绝缘层的尺寸，栅极电极结构沿着与从源极到漏极导向的方向基本上平行的方向延伸的尺寸是减少的。根据一些实例，提供具有与由栅极结构所促成的沟道宽度脱钩的栅极硅长度的栅极结构。
具有晶体管长度脱钩栅极触点几何

[发明专利]互补式金属氧化物半导体应用中移除栅极盖罩层的方法-CN201410086751.X有效
发明人： P·扎沃卡;R·里克特;S·弗莱克豪斯基;J·亨治尔 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及一种互补式金属氧化物半导体应用中移除栅极盖罩层的方法，其中，在此所揭露的一个例示方法包含下列步骤形成屏蔽层，其覆盖P型晶体管以及暴露N型晶体管的至少栅极盖罩层；经由该屏蔽层执行第一蚀刻工艺以移除该N型晶体管的该栅极盖罩的一部分，藉此定义该N型晶体管的缩减厚度栅极盖罩层；移除该屏蔽层；以及对该P型晶体管和该N型晶体管执行共同的第二蚀刻工艺，以移除该P型晶体管的栅极盖罩层以及该N型晶体管的缩减厚度栅极盖罩。
互补金属氧化物半导体应用栅极盖罩层方法

[发明专利]用在HK/MG程序流程的P型半导体装置-CN201410097064.8有效
发明人： P·扎沃卡;J·福尔;R·里克特;J·亨治尔 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本揭露涉及用在HK/MG程序流程的P型半导体装置，提供在半导体衬底内具有第一PMOS主动区及第二PMOS主动区的半导体装置结构。硅锗信道层仅形成在第二PMOS主动区上方。栅极电极形成在第一与第二PMOS主动区上方，其中第二PMOS主动区上方的栅极电极形成在硅锗信道上方。
hk mg 程序流程半导体装置

[发明专利]药物输送装置-CN201380034991.9在审
发明人： T·内格尔;R·里克特;R·威特;R·冈瑟 -专利权人：赛诺菲-安万特德国有限公司
申请日： 2013-07-05 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： A61M5/142 文献下载
摘要：本发明涉及一种药物输送装置(1)，包括控制单元(2)、驱动单元(3)、布置成容纳施压液体的施压媒质容器(4)、布置成容纳药物的药物容器(5)和排出管口(6)，其中，驱动单元(3)在受到控制单元(2)的控制和赋能时布置为在施压液体中产生压力梯度，由此将压力传递到药物容器(5)并且至少部分地将药物从药物容器(5)通过排出管口(6)排出，其中，驱动单元(3)布置为电渗透动作件(3)。
药物输送装置