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[发明专利]具有竖直热管的三维设备封装-CN202310112735.2在审
发明人： J·G·帕特尔;R·S·格拉夫;M·纳依尼 -专利权人：马维尔亚洲私人有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及具有竖直热管的三维设备封装。一种电子设备，包括衬底和被堆叠在衬底上的管芯的堆叠。堆叠包括：(i)彼此堆叠的多个管芯，多个管芯包括电子组件和互连件；以及(ii)一个或多个热管(HP)，热管相对于衬底以直角穿过管芯的至少一个子集，HP中的至少一个HP被配置为使由电子组件的操作所产生的热至少从管芯的子集消散。
具有竖直热管三维设备封装

[发明专利]针对具有微电缆/光学连接器的封装件的加强件-CN202211659571.7在审
发明人： J·帕特尔;R·S·格拉夫;M·纳依尼 -专利权人：马维尔亚洲私人有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：半导体封装件包括封装衬底、设置在封装衬底上的半导体芯片以及设置在封装衬底上的加强件。加强件包括：内部部分，其被配置为包围半导体芯片，该内部部分在封装衬底上限定在内部部分外部且位于内部部分与封装衬底的外边缘之间的空间；以及多个支脚部分，其从内部部分朝向封装衬底的外边缘以及封装衬底的角部中的一者或多者向外延伸。
针对具有电缆光学连接器封装加强

[发明专利]使用盖和硬化结构封装堆叠衬底和集成电路管芯-CN202110934321.9在审
发明人： L·英格兰;R·S·格拉夫;高华宏;R·西奈 -专利权人：马维尔亚洲私人有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及使用盖和硬化结构封装堆叠衬底和集成电路管芯。一种设置在封装中的电子器件，封装包括：中介层、扇出互连件FOI和盖。中介层具有第一尺寸和第一表面，管芯端子DTS设置在该第一表面上并且被配置为电耦合至集成电路管芯IC；以及第二表面，衬底端子STS设置在该第二表面上并且被配置为电耦合至衬底。IC具有小于第一尺寸的第二尺寸，并且IC被安装在与DTS电接触的第一表面上，中介层被安装在第三表面上，并且封装衬底具有大于第一尺寸的第三尺寸。FOI在DTS与STS之间建立电互连，DTS具有第一间距尺寸，并且STS具有大于第一间距尺寸的第二间距尺寸。盖具有第一部段和第二部段，第一部段被配置为邻接第四表面，第二部段被安装在第三表面上。
使用硬化结构封装堆叠衬底集成电路管芯

[发明专利]使用导线架条制造晶片级封装及相关装置-CN201710422023.5有效
发明人： R·S·格拉夫;S·曼达尔;K·霍斯福德 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及使用导线架条制造晶片级封装及相关装置，提供一种使用嵌埋式导线架条制造晶片级封装的方法及其产生的装置。具体实施例包括将晶粒置放到模具内并使各晶粒的主动侧面向该模具的表面；将导线架条置放于该模具上，其中该导线架条包括安置于各晶粒间的已蚀刻部分及半蚀刻部分；将模具盖置放于该模具及晶粒上方；以及在介于该晶粒与模具盖之间的空间中添加成型化合物。
使用导线制造晶片封装相关装置

[发明专利]具有嵌埋式热电装置的玻璃中介层-CN201610173298.5有效
发明人： J·P·甘比诺;R·S·格拉夫;S·曼达尔;D·J·罗素 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L23/38 文献下载
摘要：本发明涉及具有嵌埋式热电装置的玻璃中介层。大体上是关于集成电路芯片封装，并且更具体地说，乃关于在导电通孔旁边形成具有一或多个嵌埋式帕耳帖装置的玻璃中介层的结构及方法，用以有助于使热量从多维芯片封装中的一或多个集成电路芯片通过玻璃中介层散逸并进入有机载体，其中热量可散逸到下层基板。
具有嵌埋式热电装置玻璃中介

[发明专利]横向薄膜变阻器及其低温制造方法-CN201610102179.0有效
发明人： J·P·噶比诺;R·S·格拉夫;S·曼达尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2016-02-25 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明涉及横向薄膜变阻器的低温制造。一种使用不损害与被制造的变阻器邻接的IC设备组件的低温溅射技术来制造横向配置的薄膜变阻器电涌防护设备的结构和方法。横向薄膜变阻器可以由使用低温溅射工艺随后通过低温退火工艺而在两个横向隔开的电极之间形成的连续层组成，所述连续层包括第一金属氧化物层和第二金属氧化物层的交替区域。
横向薄膜变阻器低温制造

[发明专利]利用传导聚合物的晶圆级芯片尺度封装结构-CN201610439871.2在审
发明人： R·S·格拉夫;K·B·霍斯福德;S·曼达尔 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明涉及利用传导聚合物的晶圆级芯片尺度封装结构，其为整合型传导聚合物焊球结构及形成此类整合型传导聚合物焊球结构的方法。该整合型传导聚合物焊球结构包括：溅镀晶种层，涂敷至晶圆结构；一或多个传导聚合物接垫结构，涂敷至在该晶圆结构上将会形成一或多个焊球结构的位置的该已溅镀晶种层；电镀层，涂敷至该一或多个传导聚合物接垫结构的已曝露光阻层的部分；以及焊球，形成在各该电镀层上从而形成该一或多个焊球结构。
利用传导聚合物晶圆级芯片尺度封装结构

[发明专利]半导体芯片及其制造方法-CN201410674233.X在审
发明人： K·J·古德诺;R·S·格拉夫;C·R·奥格尔维;S·T·文特朗;C·S·伍德鲁夫 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体芯片及其制造方法。导热层沉积在半导体芯片的晶片的第一表面上。刻蚀导热层以形成在每个半导体芯片的第一表面上暴露贯通电极的过孔。导电凸块沉积在每个半导体芯片的第二表面上的贯通电极上。堆叠半导体芯片，其中半导体芯片中的第二半导体芯片的导电凸块通过半导体芯片中的第一半导体芯片的过孔电接触第一半导体芯片的贯通电极，以及半导体芯片中的第三半导体芯片的导电凸块通过第二半导体芯片的过孔电接触第二半导体芯片的贯通电极。
半导体芯片及其制造方法