“R·M·皮尔斯泰恩”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果14个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]卤代有机氨基硅烷前体及包含该前体的薄膜沉积方法-CN201710325154.1有效
发明人：萧满超;雷新建;M·L·奥内尔;韩冰;R·M·皮尔斯泰恩;H·钱德拉;H·R·伯文;A·德雷克斯凯-科瓦克斯 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C07F7/12 文献下载
摘要：本发明描述了形成薄膜的前体和方法。在一个方面，提供了具有下式I的硅前体：XmR1nHpSi(NR2R3)4‑m‑n‑pI其中X选自Cl、Br、I；R1选自直链或支链C1‑C10烷基、C2‑C12烯基、C2‑C12炔基、C4‑C10环烷基和C6‑C10芳基；R2选自直链或支链C1‑C10烷基、C3‑C12烯基、C3‑C12炔基、C4‑C10环烷基和C6‑C10芳基；R3选自支链C3‑C10烷基、C3‑C12烯基、C3‑C12炔基、C4‑C10环烷基和C6‑C10芳基；m是1或2；n是0、1或2；p是0、1或2；且m+n+p小于4，其中R2和R3连接形成环或不连接。
有机氨基硅烷包含薄膜沉积方法

[发明专利]卤代有机氨基硅烷前体及包含该前体的薄膜沉积方法-CN201711096518.X在审
发明人：萧满超;雷新建;M·L·奥内尔;韩冰;R·M·皮尔斯泰恩;H·钱德拉;H·R·伯文;A·德雷克斯凯-科瓦克斯 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： C07F7/02 文献下载
摘要：本发明描述了形成薄膜的前体和方法。在一个方面，提供了具有下式I的硅前体XmR1nHpSi(NR2R3)4‑m‑n‑p I其中X选自Cl、Br、I；R1选自直链或支链C1‑C10烷基、C2‑C12烯基、C2‑C12炔基、C4‑C10环烷基和C6‑C10芳基；R2选自直链或支链C1‑C10烷基、C3‑C12烯基、C3‑C12炔基、C4‑C10环烷基和C6‑C10芳基；R3选自支链C3‑C10烷基、C3‑C12烯基、C3‑C12炔基、C4‑C10环烷基和C6‑C10芳基；m是1或2；n是0、1或2；p是0、1或2；且m+n+p小于4，其中R2和R3连接形成环或不连接。
有机氨基硅烷包含薄膜沉积方法

[发明专利]用于半导体工艺中的烷氧基硅烷水解反应的催化剂和包含其的制剂-CN201310032372.8有效
发明人：萧满超;R·M·皮尔斯泰恩;R·霍;雷新建;S·G·玛约加;D·P·斯潘斯 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： B01J31/02 文献下载
摘要：本发明涉及包含选自烷氧基硅烷、芳氧基硅烷或烷基烷氧基硅烷的含硅前体和包括卤代烷氧基烷基硅烷或卤代芳氧基烷基硅烷的催化剂化合物的稳定制剂，其中含硅前体和催化剂化合物中的取代基如本文所述的是相同的。更具体地，该制剂包含包括具有式Si(OR1)nR24‑n的烷氧基烷基硅烷或芳氧基硅烷的含硅前体和包括具有式XSi(OR1)nR23‑n的卤代烷氧基烷基硅烷的催化剂，或者包含包括具有式R23‑p(R1O)pSi‑R3‑Si(OR1)pR23‑p的烷氧基硅烷或芳氧基硅烷的含硅前体和包括具有式(R1O)mR22‑m(X)Si‑R3‑Si(OR4)2R5的卤代烷氧基烷基硅烷或卤代芳氧基烷基硅烷的催化剂，其中至少一个或所有的R1和R2取代基在含硅前体和催化剂化合物中如本文所述的是相同的。制剂可以用于半导体沉积工艺，例如，流动式氧化硅工艺。
用于半导体工艺中的烷氧基硅烷水解反应催化剂包含制剂

[发明专利]烷氧基甲硅烷基胺化合物及其应用-CN201310698533.7有效
发明人：萧满超;R·M·皮尔斯泰恩;R·霍;D·P·斯彭斯;雷新建 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明描述了具有下述式A或式B的烷氧基甲硅烷基胺前体其中R1和R4独立地选自直链或支链C1至C10烷基、C3至C12烯基、C3至C12炔基、C4至C10环烷基和C6至C10芳基，并且其中R2、R3、R5和R6独立地选自氢、直链或支链C1至C10烷基、C2至C12烯基、C2至C12炔基、C4至C10环烷基、C6至C10芳基以及直链或支链C1至C10烷氧基。本文还描述了使用至少一种具有本文所述的式A和／或B的前体的沉积工艺。
烷氧基甲硅烷化合物及其应用

[发明专利]氧化硅薄膜的高温原子层沉积-CN201310164475.X有效
发明人： H·钱德拉;王美良;萧满超;雷新建;R·M·皮尔斯泰恩;M·L·奥内尔;韩冰 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2013-04-12 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：公开了以＞500℃的温度形成氧化硅的原子层沉积(ALD)方法。使用的硅前体具有通式I.R1R2mSi(NR3R4)nXp其中R1、R2和R3各自独立地选自氢、直链或支链C1‑C10烷基和C6‑C10芳基；R4选自直链或支链C1‑C10烷基、C6‑C10芳基和C3‑C10烷基甲硅烷基；其中R3和R4连接形成环结构或R3和R4不连接形成环结构；X是选自Cl、Br和I的卤素；m是0‑3；n是0‑2；和p是0‑2且m+n+p＝3；和II.R1R2mSi(OR3)n(OR4)qXp其中R1和R2各自独立地选自氢、直链或支链C1‑C10烷基和C6‑C10芳基；R3和R4各自独立地选自直链或支链C1‑C10烷基和C6‑C10芳基；其中R3和R4连接形成环结构或R3和R4不连接形成环结构；X是选自Cl、Br和I的卤素；m是0‑3；n是0‑2；q是0‑2和p是0‑2且m+n+p+q＝3。
氧化薄膜高温原子沉积

[发明专利]烷氧基甲硅烷基胺化合物及其应用-CN201610162014.2有效
发明人：萧满超;R·M·皮尔斯泰恩;R·霍;D·P·斯彭斯;雷新建 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明描述了具有下述式A或式B的烷氧基甲硅烷基胺前体：其中R¹和R⁴独立地选自直链或支链C₁至C₁₀烷基、C₃至C₁₂烯基、C₃至C₁₂炔基、C₄至C₁₀环烷基和C₆至C₁₀芳基，并且其中R²、R³、R⁵和R⁶独立地选自氢、直链或支链C₁至C₁₀烷基、C₂至C₁₂烯基、C₂至C₁₂炔基、C₄至C₁₀环烷基、C₆至C₁₀芳基以及直链或支链C₁至C₁₀烷氧基。本文还描述了使用至少一种具有本文所述的式A和/或B的前体的沉积工艺。
烷氧基甲硅烷化合物及其应用

[发明专利]有机硅烷溶胶-凝胶反应的催化剂合成-CN201310086430.5无效
发明人：萧满超;R·M·皮尔斯泰恩;A·德雷克斯凯-科瓦克斯;雷新建;R·霍;M·L·奥内尔;D·P·斯彭斯;S·G·玛约加 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明是有机硅烷溶胶-凝胶反应的催化剂合成，提供了包含第一有机硅烷前体和卤化试剂的制剂，其中至少一部分或全部卤化试剂进行反应以提供第二有机硅烷前体。还提供由容易获得的纯物质原位产生这种制剂的方法。进一步提供采用所述制剂作为前体用于可流动汽相沉淀过程的方法。
有机硅烷溶胶凝胶反应催化剂合成

[发明专利]烷氧基氨基硅烷化合物及其应用-CN201310051550.1有效
发明人： D·P·斯彭斯;R·M·皮尔斯泰恩;雷新建;萧满超;R·霍;M·L·奥内尔;H·钱德拉 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2013-01-28 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本文描述了具有式I的烷氧基氨基硅烷化合物以及用于沉积含硅薄膜的方法和组合物：(R1R2)NSiR3OR4OR5 式(I)其中R1独立地选自直链或支链C1-C10烷基、C2-C12烯基、C2-C12炔基、C4-C10环烷基和C6-C10芳基；R2和R3各自独立地选自氢、直链或支链C1-C10烷基、C3-C12烯基、C3-C12炔基、C4-C10环烷基和C6-C10芳基；且R4和R5各自独立地选自直链或支链C1-C10烷基、C2-C12烯基、C2-C12炔基、C4-C10环烷基和C6-C10芳基。
烷氧基氨基硅烷化合物及其应用

[发明专利]卤代有机氨基硅烷前体及包含该前体的薄膜沉积方法-CN201210392207.9有效
发明人：萧满超;雷新建;M·L·奥内尔;韩冰;R·M·皮尔斯泰恩;H·钱德拉;H·R·伯文;A·德雷克斯凯-科瓦克斯 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本发明描述了形成薄膜的前体和方法。在一个方面，提供了具有下式I的硅前体：XmR1nHpSi(NR2R3)4-m-n-p I其中X选自C1、Br、I；R1选自直链或支链C1-C10烷基、C2-C12烯基、C2-C12炔基、C4-C10环烷基和C6-C10芳基；R2选自直链或支链C1-C10烷基、C3-C12烯基、C3-C12炔基、C4-C10环烷基和C6-C10芳基；R3选自支链C3-C10烷基、C3-C12烯基、C3-C12炔基、C4-C10环烷基和C6-C10芳基；m是1或2；n是0、1或2；p是0、1或2；且m+n+p小于4，其中R2和R3连接形成环或不连接。
有机氨基硅烷包含薄膜沉积方法

[发明专利]用于贮存和输送气体的离子液体基混合物-CN200510124977.5有效
发明人： D·J·坦佩;P·B·亨德森;J·R·布佐佐维斯基;R·M·皮尔斯泰恩;D·加格 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2005-09-23 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： F17C11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于贮存和输送气体的混合物和方法。一方面，提供了一种混合物，其包含：含有阴离子和阳离子的离子液体；分布于离子液体中并可与离子液体发生可逆化学反应的至少部分气体；以及任选的未反应气体。另一方面，提供了一种从含有离子液体和一种或多种气体的混合物中输送气体的方法，其包括：使至少部分气体与离子液体反应以提供含有化学反应气体和离子液体的混合物，并从混合物中分离出化学反应气体，其中经分离步骤后的化学反应气体与反应步骤之前的化学反应气体具有基本相同的化学成分。
用于贮存输送气体离子液体混合物

[发明专利]用于储存和运输路易斯酸性气体的含路易斯碱性反应性化合物的液体介质-CN200510129132.5有效
发明人： D·J·坦佩;P·B·亨德森;J·R·布佐佐维斯基;R·M·皮尔斯泰恩 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2005-10-14 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： F17C3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种改进的路易斯酸性气体低压储存和输送系统，特别是用于危险的特定气体例如BF3和乙硼烷，其可应用于电子工业中。改进在于在含有能够与路易斯酸性气体有效进行可逆反应的路易斯碱性反应性化合物的液体中储存气体。该反应性化合物包括溶解的、悬浮的、分散的或与不挥发液体混和的其它形式的反应性物质。
用于储存运输路易斯酸性气体碱性反应化合物液体介质

[发明专利]用于活性气体的内置净化器-CN200510082198.3有效
发明人： J·L·文森特;R·M·皮尔斯泰恩;K·R·伯格;A·J·小拉查威 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2005-07-01 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： F17C1/00 文献下载
摘要：本发明是容纳和分配高纯流体的装置，包含能够在其内部容纳大量高纯流体的外容器；和外容器相连以分配高纯流体的出口；能够控制高纯流体通过出口流出外容器的阀；至少部分位于外容器中并和出口连接的内容器，具有和外容器的内部连接的入口；包含在内容器内的净化介质，以净化高纯流体中的不希望有的成分；以及防止高纯流体从内容器流到外容器内部的流体流动控制设备。
用于活性气体内置净化器

[发明专利]用于选择性各向异性刻蚀应用的不饱和氧化碳氟化合物-CN200410068438.X无效
发明人：齐宾;R·M·皮尔斯泰恩;R·G·斯维雷特;P·R·巴多维斯基;S·A·莫蒂卡;E·J·小卡瓦基;K·R·伯格 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2004-07-15 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合物和一种包含该混合物并用于从层状基质上刻蚀介电材料的方法。具体地说，在一个实施方案中，提供了一种用于刻蚀层状基质中的介电材料的混合物，该混合物包含一种不饱和氧化碳氟化合物。在足以与介电材料至少部分发生反应并除去该部分介电材料的条件下，可以把本发明的混合物与含有介电材料的层状基质相接触。在本发明的另一个实施方案中，提供了一种制备不饱和氧化碳氟化合物的方法。
用于选择性各向异性刻蚀应用不饱和氧化碳氟化

[发明专利]次氟酸酯、氟代过氧化物和/或氟代三氧化物在碳氟化合物刻蚀等离子体中作为氧化剂的应用-CN200410064066.3无效
发明人：齐宾;S·A·莫蒂卡;R·G·斯维雷特;P·R·巴多维斯基;E·J·小卡瓦基;H·P·小威瑟斯;R·M·皮尔斯泰恩 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2004-07-15 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合物和用该混合物从层状基质上刻蚀介电材料的方法。特别地，在一个实施方案中提供了一种用于刻蚀层状基质中的介电材料的混合物，该混合物含有一种碳氟化合物气体和一种选自次氟酸酯、氟代过氧化物、氟代三氧化物及其组合的含氟氧化剂气体；以及任选含有一种惰性稀释气体。本发明中的混合物可以在足以形成活性物质的条件下与含有介电材料的层状基质接触，所述活性物质与该介电材料至少部分反应并除去该部分介电材料。
次氟酸酯过氧化物三氧化物氟化刻蚀等离子体作为氧化剂应用

1
共 14 条