专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存储器子系统数据迁移-CN202210931170.6在审
  • 罗婷;罗贤钢;J·黄;P·S·阮 - 美光科技公司
  • 2022-08-04 - 2023-02-17 - G06F3/06
  • 一种方法包含接收将数据写入到存储器装置的命令以及将所述数据写入到所述存储器装置的第一存储器层次。所述存储器装置的所述第一存储器层次是利用单层级单元SLC、多层级单元MLC和三层级单元TLC的动态存储器层次。所述方法进一步包含将所述数据从所述存储器装置的所述第一存储器层次迁移到所述存储器装置的第二存储器层次。所述存储器装置的所述第二存储器层次是利用四层级单元QLC的静态存储器层次。
  • 存储器子系统数据迁移
  • [发明专利]使用更少锁存器的存储器装置编程技术-CN202210322526.6在审
  • D·V·阮;P·S·阮 - 美光科技公司
  • 2022-03-29 - 2022-10-04 - G11C16/10
  • 本申请涉及使用更少锁存器的存储器装置编程技术。接收将数据编程到存储器装置的命令。基于所述数据而确定所述存储器装置中的一组存储器单元用于第一编程步骤的目标电荷电平。向所述存储器装置提供第一组指示符。所述第一组指示符指示用于所述第一编程步骤的所述目标电荷电平。基于所述数据而确定所述一组存储器单元用于第二编程步骤的目标电荷电平。向所述存储器装置提供第二组指示符。所述第二组指示符指示用于所述第二编程步骤的所述目标电荷电平。
  • 使用更少锁存器存储器装置编程技术
  • [发明专利]使用错误校正方案的组合的数据恢复-CN202210010356.8在审
  • D·V·阮;P·S·阮;S·帕塔萨拉蒂 - 美光科技公司
  • 2022-01-06 - 2022-08-16 - G06F3/06
  • 本公开涉及使用错误校正方案的组合的数据恢复。示例性方法、设备及系统包含接收对数据片段的请求。所述所请求片段数据是数据条带中的多个数据片段中的一个。检测对所述所请求片段进行解码的失败。读取所述条带中除了所述所请求片段之外的所述多个片段中的每一个。读取每个片段包含读取原始编码数据及尝试对所述原始编码数据进行解码,并且读取每个片段的结果包含当解码成功时的解码数据及当解码失败时的所述原始编码数据。生成每一读取的组合结果。所述组合包含将解码成功的片段的解码数据及解码失败的片段的所述原始编码数据组合。使用所述组合结果更新所述所请求片段的统计模型。使用所述更新的统计模型对所述所请求片段进行解码。
  • 使用错误校正方案组合数据恢复
  • [发明专利]存储器子系统中的存储器装置的双交错编程-CN202111552850.9在审
  • P·S·阮;J·菲兹帕特里克;K·K·姆奇尔拉 - 美光科技公司
  • 2021-12-17 - 2022-07-08 - G11C16/34
  • 本发明涉及存储器子系统中的存储器装置的双交错编程。存储器装置中的逻辑控制识别第一多个编程分布群组,其中每一群组包括与所述存储器装置的存储器阵列的配置为四层级QLC存储器的一部分相关联的编程分布的子集;在多遍次编程操作的第一遍次期间,所述控制逻辑将所述配置为QLC存储器的部分中的存储器单元粗略地编程为表示第二多个主机数据页的初始值,且将所述第一多个编程分布群组的指示符存储在所述存储器装置的所述存储器阵列的配置为单层级单元SLC存储器的一部分中,所述粗略编程的存储器单元中的每一个与所述第一多个编程分布群组相关联。
  • 存储器子系统中的装置交错编程
  • [发明专利]减少写入放大的交错式两遍数据编程技术-CN202111403086.9在审
  • P·S·阮;J·菲兹帕特里克;K·K·姆奇尔拉 - 美光科技公司
  • 2021-11-24 - 2022-06-21 - G11C16/10
  • 本申请案涉及减少写入放大的交错式两遍数据编程技术。在粗略编程中,根据N‑1个可能位的值的组合与阈值电平之间的第一映射,将存储器单元的阈值电压编程到表示N‑1个位值数据的第一电平。组标识表示所述第一电平是所述第一映射中的奇数电平还是偶数电平。对于精细编程,基于所述组标识,读取所述存储器单元以获得所述N‑1个位值;并且接收至少一个额外位以接合所述N‑1个位值以形成至少N个位值。然后,根据所述至少N个可能位的值的组合与阈值电平之间的第二映射,将所述存储器单元的所述阈值电压精细编程到表示所述至少N个位值的第二电平。
  • 减少写入放大交错式两遍数据编程技术
  • [发明专利]以高可靠性每存储器单元存储多个数据位的数据编程技术-CN202111352037.7在审
  • P·S·阮;J·菲兹帕特里克 - 美光科技公司
  • 2021-11-16 - 2022-06-17 - G11C16/10
  • 本申请案涉及以高可靠性每存储器单元存储多个数据位的数据编程技术。存储器系统产生数据且在数据群组当中具有一关系以可靠地在存储器单元中的每存储器单元存储预定位数。举例来说,从数据位第一群组产生数据位第二群组。形成具有所述第一群组和所述第二群组的预定数目的数据群组并且在所述数据群组当中具有预定关系(例如,XOR或XNOR)。基于预定映射确定存储器单元群组中的存储器单元的阈值电平,其中确定每一存储器单元的阈值电平以表示来自所述数据群组中的每一个的一个位。在所述预定映射中,由任两个连续阈值电平表示的位值相差一个位。根据所述阈值电平编程所述存储器单元群组中的阈值电压,进而以提高的可靠性存储所述数据群组。
  • 可靠性存储器单元存储数据编程技术
  • [发明专利]对存储介质访问的支持人工智能的管理-CN201980072116.7在审
  • C·特雷尼;N·瓦尔尼卡;P·S·阮 - 马维尔国际贸易有限公司
  • 2019-10-26 - 2021-06-18 - G06F3/06
  • 本公开描述了用于对存储介质的支持人工智能的管理的装置(104‑108)和方法(1400‑1800)。在一些方面,存储介质系统(114‑122)的介质访问管理器(130)从主机系统(102)接收用于对存储介质系统(114)的存储介质(124)的访问的主机输入/输出命令(I/O)。介质访问管理器(130)向人工智能引擎(132)提供描述主机I/O的信息,并从人工智能引擎(132)接收对主机系统行为的预测,该预测与存储介质(124)的后续访问相关。然后,介质访问管理器(130)基于对主机系统行为的预测,来调度主机I/O以访问存储系统(114)的存储介质(124)。通过这样做,主机I/O可以被调度以优化主机系统(102)对存储介质(124)的访问,诸如以避免与存储系统(114)的内部I/O的冲突、或基于即将到来的空闲时间而先占各种阈值。
  • 存储介质访问支持人工智能管理

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