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[发明专利]使用反应性退火的间隙填充-CN201880021521.1有效
发明人： A·B·玛里克;P·曼纳;江施施 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-04-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：用于无缝间隙填充的方法包括：通过PECVD来形成可流动膜；以反应性退火将可流动膜退火以形成经退火的膜；以及将可流动膜或经退火的膜硬化以固化此膜。可使用更高级硅烷与等离子体来形成可流动膜。反应性退火可使用甲硅烷或更高级硅烷。UV硬化或其他硬化可用于固化可流动膜或经退火的膜。
使用反应退火间隙填充

[发明专利]用于使用保护阻挡物层制造半导体结构的设备和方法-CN201880058936.6有效
发明人： P·曼纳;A·B·玛里克;K·莱斯彻基什;S·文哈弗贝克;江施施 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供形成包括含硅(Si)层或硅锗(SiGe)层的半导体结构的方法。此方法包括在半导体结构之上沉积保护阻挡物(例如，衬垫)层，在衬垫层之上形成可流动介电层，以及将可流动介电层暴露于高压蒸气。一种群集系统包括配置以形成半导体结构的第一沉积腔室、配置以执行衬垫沉积工艺以形成衬垫层的第二沉积腔室、配置以在衬垫层之上形成可流动介电层的第三沉积腔室、配置以将可流动氧化物层暴露于高压蒸气的退火腔室。
用于使用保护阻挡制造半导体结构设备方法

[发明专利]表面改性以改进非晶硅间隙填充-CN201880016713.3有效
发明人： P·曼纳;江施施;A·B·玛里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了用于用非晶硅(a‑Si)膜对半导体器件特征(诸如高深宽比沟槽)进行间隙填充的方法，所述方法涉及预处理基板的表面以将下面的羟基封端的硅(Si‑OH)或氢封端的硅(Si‑H)表面改性为氧氮化物封端的硅(Si‑ON)或氮化物封端的硅(Si‑N)并增强后续的a‑Si沉积。首先，提供基板，所述基板具有形成在所述基板的第一表面中的特征。然后，预处理所述基板的所述表面来增强所述基板的所述表面，以供进行随后的非晶硅的可流动沉积。然后，执行可流动沉积工艺以在所述基板的所述表面之上沉积可流动硅层。本文所述的方法一般通过共形硅沉积和可流动硅沉积工艺改进整体蚀刻选择性，以用高品质非晶硅膜来实现对特征之间的无缝间隙填充。
表面改性改进非晶硅间隙填充

[发明专利]用于用非晶硅膜对高深宽比沟槽进行间隙填充的两步工艺-CN201880018782.8有效
发明人： P·曼纳;江施施;程睿;A·B·玛里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了用于用非晶硅膜对半导体器件特征(诸如高深宽比沟槽)进行间隙填充的方法。首先，将基板定位在处理腔室中，所述基板具有形成在所述基板的第一表面中的特征。然后执行保形沉积工艺，以在所述特征的侧壁和所述基板的处于所述特征之间的暴露的第一表面上沉积保形硅衬垫层。然后执行可流动沉积工艺以在所述保形硅衬垫层之上沉积可流动硅层。然后执行固化工艺以增大所述可流动硅层的硅密度。本文所述的方法一般通过所述保形硅沉积和所述可流动硅沉积两步工艺来改进整体蚀刻选择性，以用高品质非晶硅膜来实现特征之间的无缝间隙填充。
用于用非晶硅膜高深沟槽进行间隙填充工艺

[发明专利]碳化硼硬掩模的干式剥除-CN201880035089.1有效
发明人： P·曼纳;江施施;A·B·玛里克;K·莱斯彻基什 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开的实施例总体涉及用于干式剥除沉积在半导体基板上的碳化硼层的方法。在一个实施方案中，该方法包括：将具有碳化硼层的基板装载到压力容器中；将基板暴露于包括氧化剂的处理气体，所述氧化剂的压力在约500托与60巴之间；将压力容器加热到大于处理气体的冷凝点的温度；和从压力容器去除处理气体与碳化硼层之间的反应的一种或多种产物。
碳化硼硬掩模剥除

[发明专利]使用顺序沉积-蚀刻-处理加工的氧化硅和氮化硅的自底向上生长-CN201810570251.1有效
发明人：程睿;A·B·玛里克;P·曼纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：描述了用于高深宽比特征的间隙填充的方法。将第一膜沉积在特征的底部和上部侧壁上。从所述特征的所述侧壁蚀刻所述第一膜，并且处理在所述特征的所述底壁中的所述第一膜以形成第二膜。重复所述沉积工艺、所述蚀刻工艺和所述处理工艺以填充所述特征。
使用顺序沉积蚀刻处理加工氧化氮化向上生长

[发明专利]形成钨支柱的方法-CN201810410364.5有效
发明人： A·B·玛里克;P·曼纳;陈一宏;段子青;程睿;江施施 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：描述了形成自对准图案的方法。在图案化膜上沉积膜材料以填充和覆盖由所述图案化膜形成的特征。使所述膜材料凹入到低于所述图案化膜的顶部的水平。通过暴露于金属前驱物来将所述凹入膜转化为金属膜，接着所述金属膜体积膨胀。
形成支柱方法

[发明专利]高深宽比结构中的间隙填充的方法-CN201880026884.4有效
发明人：程睿;A·B·玛里克;P·曼纳;陈一宏 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：此处说明用于无缝间隙填充的方法，包括以下步骤：在特征中沉积膜；处理膜以改变某些膜特性；以及从顶部表面选择性地蚀刻膜。重复沉积、处理以及蚀刻的步骤以在特征中形成无缝间隙填充。
高深结构中的间隙填充方法

[发明专利]硬模和通过等离子体增强化学气相沉积形成硬模的工艺-CN202180080877.4在审
发明人：许瑞元;K·尼塔拉;P·曼纳;K·嘉纳基拉曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本公开内容的实施例总体涉及硬模和通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成硬模的工艺。在实施例中，提供用于在基板上形成硬模层的工艺。工艺包括将基板引入PECVD腔室的处理空间，基板在基板支撑件上，基板支撑件包括静电夹盘；以及流动处理气体进入PECVD腔室内的处理空间中，处理气体包括含碳气体。工艺进一步包括在等离子体条件下从处理空间中的处理气体形成激励的处理气体，将基板静电夹持到基板支撑件，在静电夹持基板的同时在基板上沉积第一含碳层，并通过在基板上沉积第二含碳层来形成硬模层。
通过等离子体增强化学沉积形成工艺

[发明专利]形成硬模的方法-CN202180080876.X在审
发明人：许瑞元;B·库玛;K·嘉纳基拉曼;P·曼纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本公开内容的实施例总体涉及形成硬模的方法。本文描述的实施例使得能够例如形成具有降低的膜应力的含碳硬模。在实施例中，提供了处理基板的方法。方法包括将基板定位在处理腔室的处理空间中，并在基板上沉积类金刚石碳(DLC)层。在沉积DLC层之后，通过执行等离子体处理来降低膜应力，其中等离子体处理包括施加约100W至约10,000W的射频(RF)偏压功率。
形成方法

[发明专利]金属膜的高压氧化-CN201880082311.3有效
发明人： A·穆里克;P·曼纳;A·玛里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本文描述通过在高压下进行氧化来处理薄膜的多种方法。方法总体上是在大于2巴的压力下执行的。方法能够在低温下执行，且所具有的暴露时间短于在较低压力下执行的类似方法。一些方法涉及将钨膜氧化以形成自对准的柱状物。
金属膜高压氧化

[发明专利]PECVD含钨硬掩模膜及制造方法-CN202310272601.7在审
发明人： S·S·罗伊;P·曼纳;程睿;A·B·玛里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：描述了形成钨膜的方法，包含以下步骤：在氧化物表面上形成硼籽晶层、在硼籽晶层上的任选的钨起始层以及在硼籽晶层或钨起始层上的含钨膜。还描述了包含氧化物表面上的硼籽晶层以及任选的钨起始层和含钨膜的膜堆叠。
pecvd 含钨硬掩模膜制造方法

[发明专利]在处理腔室中使用双频率RF功率的方法-CN202180063641.X在审
发明人： A·K·辛格;R·库斯特拉;V·V·哈桑;B·库玛;K·尼塔拉;P·曼纳;K·C·阿拉亚瓦里;G·巴拉苏布拉马尼恩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本公开的实施例总体涉及使用双频率的顶部、侧壁和底部源在基板和腔室的盖的表面上沉积大于厚度的碳膜层的方法。方法包括将气体引导至腔室的处理空间。提供具有约40MHz或更大的第一频率的第一射频(RF)功率至腔室的盖。提供具有第二频率的第二RF功率至设置在处理空间内的基板支撑件中的偏压电极。第二频率为约10MHz至约40MHz。提供具有约400kHz至约2MHz的较低频率的额外第三RF功率至偏压电极。
处理腔室中使用双频 rf 功率方法

[发明专利]用于硅间隙填充的两步工艺-CN201880023145.X有效
发明人： A·B·玛里克;P·曼纳;江施施 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：用于无缝间隙填充的方法包括：通过PECVD形成可流动膜；处理所述可流动膜以形成Si‑X膜，其中X＝C、O或N；以及固化所述可流动膜或所述Si‑X膜以凝固所述膜。所述可流动膜可以通过使用更高阶的硅烷和等离子体形成。UV固化、或其他固化可以用于凝固所述可流动膜或所述Si‑X膜。
用于间隙填充工艺

[发明专利]用于产生用于硬掩模和其他图案化应用的高密度、氮掺杂碳膜的方法-CN202180042770.0在审
发明人：许瑞元;P·曼纳;K·嘉纳基拉曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开内容的实施例总的来说涉及制造集成电路。更特定地，本文描述的实施例提供了用于沉积用于图案化应用的氮掺杂的类金刚石碳膜的技术。在一个或多个实施例中，一种用于处理基板的方法包括：使含有烃化合物和氮掺杂剂化合物的沉积气体流入在静电卡盘上定位有基板的工艺腔室的处理体积中；和通过将第一RF偏压施加到静电卡盘来在基板处或上方产生等离子体，以在基板上沉积氮掺杂的类金刚石碳膜。氮掺杂的类金刚石碳膜具有大于1.5g/cc的密度和约‑20MPa至小于‑600MPa的压缩应力。
用于产生硬掩模其他图案应用高密度掺杂方法

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