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[发明专利]HVPE腔室硬件-CN201410593230.3有效
发明人：石川哲也;D·H·考齐;常安中;O·克利里欧科;Y·梅尔尼克;H·S·拉迪雅;S·T·恩古耶;L·庞 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-04-09 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本文所公开的实施例一般涉及HVPE腔室。腔室可具有两个不同的前驱物源，两个不同的前驱物源与腔室耦接以便沉积两个不同层。举例而言，镓源与不同的铝源可耦接至处理腔室以便在相同处理腔室中分别地沉积氮化镓与氮化铝于基板上。可在较低温度下在与镓及铝不同的位置处将氮导入处理腔室。不同温度造成气体混合在一起、反应且沉积于基板上，且极少或没有沉积于腔室壁上。
hvpe 硬件

[发明专利]在图案化基材上藉由氢化物气相外延法(HVPE)形成三族氮化物结晶膜的方法-CN201080041923.1有效
发明人： O·克利里欧科;Y·梅尔尼克;小尻英博;石川哲也 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-07-16 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种沉积高品质低缺陷的单晶三族氮化物膜的方法。在此提供具有多个特征结构的图案化基材，该基材具有以间隔空间隔开的倾斜侧壁。三族氮化物膜是通过氢化物气相外延(HVPE)制程而沉积在图案化基材上。HVPE沉积制程形成三族氮化物膜，该三族氮化物膜在特征结构之间的间隔空间中具有第一晶体取向，而在倾斜侧壁上具有不同的第二晶体取向。间隔空间中的第一晶体取向接着蔓延盖过侧壁上的第二晶体取向，并且在制程中调转且终结形成于第一晶体取向中的贯穿式位错。
图案基材藉由氢化物外延 hvpe 形成氮化物结晶方法

[发明专利]具有提高的量子效率的发光二极管和制造方法-CN201080039739.3无效
发明人：苏杰;O·克利里欧科;Y·梅尔尼克;H·科吉里;L·陈;石川哲也 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：量子阱结构的一个实施方式包含有源区，所述有源区包括有源层，所述有源层包含量子阱和障壁层，其中有源层中的一些或全部为p型掺杂的。P型掺杂有源层中的一些或全部通过将P-N结的位置定位在元件的有源区中进而使主要辐射复合能够发生在有源区内，来改良III-V化合物半导体发光二极管的量子效率。在一个实施方式中，在具有含共晶源合金的氢化物气相外延(HVPE)沉积腔室的组合工具中制造量子阱结构。在一个实施方式中，通过组合工具在分离腔室中生长氮化铟镓(InGaN)层和镁掺杂的氮化镓(Mg-GaN)或镁掺杂的氮化铝镓(Mg-AlGaN)层，避免铟与镁交叉污染。也描述了通过使用III族金属共晶的氢化物气相外延进行对III族氮化物的掺杂。在一个实施方式中，提供用于p型或n型III族氮化物外延膜的HVPE沉积的源，所述源包括与III族物种的液相机械(共晶)混合物。在一个实施方式中，提供用于执行p型或n型III族氮化物外延膜的HVPE沉积的方法，所述方法包括使用与III族物种的液相机械(共晶)混合物。
具有提高量子效率发光二极管制造方法

[发明专利]用于后续高温第三族沉积的基材预处理-CN201080023547.3无效
发明人： Y·梅尔尼克;O·克利里欧科;H·科吉里;石川哲也 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-04-23 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及制造诸如发光二极管(LEDs)或激光二极管(LDs)的器件的基材预处理设备与方法。本发明的一个实施例包括通过将含氧化铝基材的表面暴露于预处理气体混合物来预处理含氧化铝基材，其中预处理气体混合物包括氨(NH3)与卤素气体。
用于后续高温第三沉积基材预处理

[发明专利]HVPE前驱物源硬件-CN201080019517.5有效
发明人：石川哲也;D·H·考齐;常安中;O·克利里欧科;Y·梅尔尼克;H·S·拉迪雅;S·T·恩古耶;L·庞 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-04-09 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明揭露的实施例大致关于HVPE腔室。腔室可具有与该腔室耦接的两个分离的前驱物源以便沉积两个分离的层。举例而言，镓源与分离的铝源可耦接至处理腔室以便在相同处理腔室中分别地沉积氮化镓与氮化铝于基板上。可在较低温度下在与镓及铝分离的位置处将氮导入处理腔室。不同温度造成气体混合在一起、反应且沉积于基板上，且极少或没有沉积于腔室壁上。
hvpe 前驱硬件

[发明专利]在原位清洁后利用NH₃净化对MOCVD腔室进行去污染处理-CN201080019364.4有效
发明人： O·克利里欧科;J·苏;K·格里芬;S·W·田;S·尼杰哈瓦;X·董;T·普恩;L·D·华盛顿;J·格雷森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-04-27 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的实施例大致关于在腔室中处理基板(例如，藉由金属-有机化学气相沉积(MOCVD)处理形成III族-V族材料)后自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的方法与设备。一实施例中，提供自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的方法。该方法包括：在置于基板处理腔室中的基板上沉积一或多个含III族的层；传送该基板使其离开基板处理腔室；及脉动地输送含卤素气体进入基板处理腔室，以自基板处理腔室的一或多个内表面移除不想要的沉积累增物的至少一部分。
原位清洁利用 nh sub 净化 mocvd 进行污染处理

[发明专利]LED的群集工具-CN201080019514.1有效
发明人： S·尼杰哈瓦;B·H·伯罗斯;石川哲也;O·克利里欧科;A·瓦苏德范;苏杰;D·H·考齐;常安中;Y·梅尔尼克;H·S·拉迪雅;S·T·恩古耶;L·庞 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-04-27 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明大体而言提供了用于形成LED结构的装置和方法。本发明的一个实施例提供了一种用于制造复合氮化物结构的方法，包括：在第一处理腔室中，通过氢化物气相外延(HVPE)处理或金属有机化学气相沉积(MOCVD)处理在基板上形成包含第一III族元素和氮的第一层；在第二处理腔室中，通过MOCVD处理在第一层上形成包含第二III族元素和氮的第二层；以及通过MOCVD处理在第二层上形成包含第三III族元素和氮的第三层。
led 群集工具

[发明专利]在HVPE中形成原位预GaN沉积层的方法-CN201080019316.5无效
发明人： Y·梅尔尼克;H·科吉里;O·克利里欧科;石川哲也 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-04-29 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种制备用于形成结合III/V族化合物半导体的电子器件基板的方法及装置。使基本卤素气体、卤化氢气体或其它卤素或卤化物气体与液态或固态III族金属接触，以形成前驱物，该前驱物可与氮气源反应以于基板上沉积氮化物缓冲层。缓冲层可为转换层，可加入超过一种III族金属，且可以非晶型态或结晶型态沉积。非晶层可藉由热处理而部份或完全再结晶。除了形成层以外，也可形成多个分散的成核点，成核点的尺寸、密度及分布皆可控制。氮气源可包含反应性氮气化合物，也可包含来自远端等离子体源的活性氮气。缓冲层或转换层的成分也可根据期望的剖面型态而随深度改变。
hvpe 形成原位 gan 沉积方法

[发明专利]在原位腔室清洁后的处理腔室去污方法-CN201080019520.7无效
发明人：苏杰;L·华盛顿;S·尼杰哈瓦;O·克利里欧科;J·格雷森;S·W·康;D·H·李;H·钟 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-08-26 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种方法与设备，用于从处理腔室的内部表面去除沉积产物，以及用于防止或减缓此类沉积产物的生长。提供含卤素气体至该腔室以蚀刻去除沉积产物。提供卤素驱除气体至腔室以去除任何残余的卤素。通过将卤素驱除气体暴露至电磁能而大体上活化卤素驱除气体，这既可在处理腔室内通过热能实现，亦可在远程腔室中通过电场、UV或微波实现。为了在腔室的内部表面上形成抗沉积膜，可添加沉积前驱物至卤素驱除气体。附加地或替代地，可通过在PVD制程中将抗沉积金属溅射于处理腔室的内部部件上而形成抗沉积膜。
原位清洁处理去污方法

[发明专利]HVPE腔室硬件-CN201080019343.2无效
发明人：石川哲也;D·H·考齐;常安中;O·克利里欧科;Y·梅尔尼克;H·S·拉迪雅;S·T·恩古耶;L·庞 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-04-09 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明所公开的实施例一般涉及HVPE腔室。腔室可具有两个不同的前驱物源，两个不同的前驱物源与腔室耦接以便沉积两个不同层。举例而言，镓源与不同的铝源可耦接至处理腔室以便在相同处理腔室中分别地沉积氮化镓与氮化铝于基板上。可在较低温度下在与镓及铝不同的位置处将氮导入处理腔室。不同温度造成气体混合在一起、反应且沉积于基板上，且极少或没有沉积于腔室壁上。
hvpe 硬件

[发明专利]用于制造LED的MOCVD单一腔室分割工艺-CN201080019516.0无效
发明人： O·克利里欧科 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-04-22 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：在一实施例中，提供一种用于制造复合氮化物半导体装置的方法，所述方法包含以下步骤：将一个或多个基板安置于包含喷头的金属有机化学气相沉积(MOCVD)腔室的处理区域中的基座上；藉由将第一含镓前体及第一含氮前体经由所述喷头流入所述MOCVD腔室，在所述MOCVD腔室中使用热化学气相沉积工艺将氮化镓层沉积于所述基板上；将一个或多个基板自所述MOCVD腔室移除，而不使所述一个或多个基板暴露于大气；将氯气流入所述处理腔室以自所述喷头移除污染物；在自所述喷头移除污染物之后，将一个或多个基板运送至所述MOCVD腔室中；以及在所述MOCVD腔室中使用热化学气相沉积工艺，将InGaN层沉积于所述GaN层上。
用于制造 led mocvd 单一分割工艺

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