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[发明专利]辐射探测器元件-CN201480001837.6有效
发明人： N·J·A·范费恩;R·戈申;D·约格夫;A·利夫内 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2014-09-04 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本发明总体上涉及一种辐射探测器元件，其中，光电二极管通过至少一个包括两个熔合的焊球的连接被横向地固定到探测器元件基板，其中，所述两个熔合的焊球中的第一个接触所述光电二极管，并且所述两个熔合的焊球中的第二个接触所述探测器元件基板。本发明还涉及一种横向地附接两个基板，具体为构造上述辐射探测器元件的方法。本发明还涉及包括至少一个辐射探测器元件的成像系统。
辐射探测器元件

[发明专利]用于构建大探测器的无缝铺排-CN201280054828.4有效
发明人： T·普尔特;R·德克尔;V·A·亨内肯;N·J·A·范费恩 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2012-11-06 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： G01T1/20 文献下载
摘要：本发明涉及用于为具有连续像素阵列的无缝探测器表面提供探测器组片的探测器组片、探测器面板布置、X射线探测器、X射线成像系统和方法。为了构建具有更小间隙外观的大面积探测器，提供了一种探测器组片(30)，其具有扁平主基板(32)和具有电路布置(36)的表面层(34)。表面层被布置于主基板的前侧(38)上，覆盖主基板。电路布置包括提供像素阵列(42)的若干探测器像素(40)，其中，至少在所述探测器组片的一个边缘处，至少一个连接开口(44)被提供于所述表面层和所述扁平主基板中，所述连接开口从所述表面层通往所述基板的后部，用于在所述探测器组片的前侧和后部之间引导电连接元件。在所述探测器组片的所有四周边缘处，所述表面层至少包括具有像素的部分(46)，所述部分延伸到所述边缘。
用于构建探测器无缝铺排

[发明专利]具有设置在至少两个闪烁体阵列层之间的至少一个薄光传感器阵列层的多层水平计算机断层摄影(CT)探测器阵列-CN201380024153.3有效
发明人： S·莱韦内;N·J·A·范费恩;A·阿尔特曼;I·乌曼;R·戈申 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2013-05-03 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： G01T1/20 文献下载
摘要：一种成像系统(100)，包括辐射敏感探测器阵列(110)。所述探测器阵列包括至少两个闪烁体阵列层(116)。所述探测器阵列还包括至少两个对应的光传感器阵列层(114)。所述至少两个光传感器阵列层中的至少一个光传感器阵列层在入射辐射的方向上位于所述至少两个闪烁体阵列层之间。所述至少两个光传感器阵列层中的所述至少一个光传感器阵列层具有小于三十微米的厚度。
具有设置至少两个闪烁阵列之间一个传感器多层水平计算机断层摄影 ct 探测器

[发明专利]包括X射线吸收封装的闪烁体组以及包括所述闪烁体组的X射线探测器阵列-CN201280058399.8有效
发明人： S·莱韦内;N·J·A·范费恩;L·格雷戈里安;A·W·M·德拉特;G·F·C·M·利杰坦恩;R·戈申 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： G01T1/202 文献下载
摘要：本发明提出一种闪烁体组(2)和包括所述闪烁体组(2)的CT X射线探测器阵列(1)。闪烁体组(2)包括闪烁体像素(3)的阵列。在闪烁体像素(3)的每个的底表面(31)处，提供X射线吸收封装(13)。该封装(13)包括电绝缘的、具有大于60的原子数的高X射线吸收材料，例如，氧化铋(Bi₂O₃)。X射线吸收封装(13)被插入在闪烁体像素(3)和电子电路(19)之间。电子电路(19)可以被提供作为CMOS技术中的ASIC，并且因此可以对X射线导致的损坏敏感。封装(13)提供对这样的电子电路(19)的良好的X射线防护。
包括射线吸收封装闪烁以及探测器阵列

[发明专利]具有低响应时间和高灵敏度的热流量传感器集成电路-CN201080032921.6有效
发明人： J·R·哈尔曾;R·德克尔;P·德格拉夫;N·J·A·范费恩;A·T·J·M·席佩尔 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2010-07-16 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： G01F1/684 文献下载
摘要：一种用于基于温度测量感测流体通道内的流动的热流量传感器集成电路，所述集成电路包括在所述集成电路的前侧被布置成面向所述通道的温度感测元件(30)；以及被电连接到温度感测元件的接合焊盘(60，200)，用于与集成电路形成电接触，所述接合焊盘被布置成背离所述通道朝向。通过使接合焊盘背离所述通道朝向，用于接合焊盘和到接合焊盘的任何连接所需要的空间不需要延伸到温度感测件之外以及妨碍流体通道。因此温度感测元件可以位于更接近于通道或在通道内，使得能够以更好的响应时间和灵敏度来测量。
具有响应时间灵敏度流量传感器集成电路

[发明专利]跌倒检测器和检测跌倒的方法-CN200980160619.6有效
发明人： H·巴尔杜斯;J·R·哈尔曾;S·施伦博姆;R·德克尔;P·德格拉夫;N·J·A·范费恩;A·T·J·M·席佩尔 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： A61B5/11 文献下载
摘要：提供了一种用于对用户或者对象的跌倒进行检测的跌倒检测器，所述跌倒检测器附到所述用户或者对象，其特征在于：所述跌倒检测器包括用于提供指示所述跌倒检测器的垂直速度和/或高度变化的测量结果的空气流传感器。
跌倒检测器检测方法

[发明专利]具有转换片和互连层堆栈的辐射探测器-CN200980134629.2有效
发明人： R·范阿塞特;C·斯洛布;N·J·A·范费恩;C·博伊默;R·斯特德曼布克;C·赫尔曼;J·W·威克普;K·J·恩格尔 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2009-09-01 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： G01T1/29 文献下载
摘要：本发明涉及一种辐射探测器和用于生产其的方法，其中堆叠一系列转换片(110)和互连层(120)，互连层延伸到转换片(110)侧面的边界体积(BV)中。通过用底填材料填充边界体积(BV)中的空隙并通过边界体积切割，产生了互连层(120)的电气引线(123)自由伸展的接触表面(CS)。为了实现良好的接触，优选在接触表面中，例如通过向引线焊接导线(132)为所述引线(123)提供扩大区域。
具有转换互连堆栈辐射探测器

[发明专利]用于碲化镉部件的电触点-CN200880022796.3有效
发明人： N·J·A·范费恩;R·范阿塞特;G·库姆斯 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2008-06-23 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01H1/02 文献下载
摘要：一种用于碲化镉部件，尤其是碲锌镉部件的电触点，包括碲化镉部件、形成于碲化镉部件(10)上的第一层(21)，其中，第一层(21)包括铟以及直接或间接接合到第一层(21)以与第一层(21)电触点的接触媒介(30)。接触媒介可以是经由贵金属屏蔽层间接结合到第一层的钉头凸点或导电粘合剂互连。
用于碲化镉部件触点

[发明专利]封装、其制造方法及其应用-CN200680024511.0无效
发明人： J·W·威克普;N·J·A·范费恩 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2006-07-04 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种柔性封装(100)，包括用于电耦合到外部部件的耦合装置(20)、具有面向耦合装置(20)且电耦合到其的接触焊盘(32)的芯片(30)、以及密封芯片(30)且附着到耦合装置(20)的电绝缘封装体(40)，所述封装体(40)和所述耦合装置(20)构成用于芯片(30)的基板。封装(100)还包括用于处理封装(100)的装置(50)。该装置(50)仅通过封装体(40)机械连接到耦合装置(20)。封装(100)适合组装到箔上，其可以附着到诸如安全纸的物品上或结合在该物品中。
封装制造方法及其应用

[发明专利]制造组件的方法及组件-CN200680023338.2无效
发明人： R·德克尔;M·A·德桑贝尔;W·H·德哈斯;T·M·米希尔森;F·A·C·M·朔夫斯;N·J·A·范费恩 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2006-06-23 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：组件(100)包括其中限定电元件(20)的横向有限的半导体衬底区(15)。其上，存在互连结构(21)。在其第一侧(101)设有用于耦合到电器件(30)的接触焊盘(25、26)，而在其第二侧(102)设有到电元件(11)的连接(20)。端子(52、53)位于互连结构(21)的第二侧(102)处，并且通过延伸部分(22、23)耦合到互连结构(21)，横向设置所述延伸部分并使其与半导体衬底区(15)隔离。将电器件(30)安装到互连结构(21)的第一侧(101)，并且存在封装体(40)，其在互连结构(21)的第一侧(101)上延伸以便支撑其并封装电器件(30)。
制造组件方法

[发明专利]半导体封装的制造方法及所制成的封装-CN200680006473.6无效
发明人： N·J·A·范费恩;R·德克尔;C·C·塔克 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2006-02-27 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：挠性封装(100)在第一面(1)和第二面(2)之间具有半导体器件(20)，该半导体器件具有减薄的背部基板(10)和互连结构。在封装(100)的第一面(2)上存在用于外部接触的接触装置(31、33)和第一树脂层(52)，该接触装置(31、33)耦合到互连结构。在第二面(2)半导体器件(20)至少基本上覆盖有第二树脂层(12)。接触装置(31、33)存在于第一树脂层(52)上，并利用延伸通过第一树脂层(52)的重新分布轨线(32、34)耦合到互连结构。钝化层(55)至少基本上覆盖第一树脂层(52)和重新分布轨线(32、34)。
半导体封装制造方法制成

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