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[发明专利]用于车辆的、尤其用于商用车辆的废气净化装置-CN201510494896.8有效
发明人： H.赖岑贝格尔;M.巴尔德亚;M.施特格曼 -专利权人：曼卡车和巴士奥地利股份公司
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： F01N3/28 文献下载
摘要：本发明涉及用于车辆的、尤其用于商用车辆的废气净化装置，带有至少一个在所述废气净化装置（1）的排气管路中布置的SCR催化器（15，17），并且带有沿着废气流动方向看在所述至少一个SCR催化器（15，17）上游布置的混合以及偏转机构（13），借助于该混合以及偏转机构，能够引入到废气流中的添加剂、尤其是含水的尿素溶液能够与废气流进行混合，并且借助于该混合以及偏转机构能够将废气流进行偏转，尤其能够偏转大约180°。根据本发明，该混合以及偏转机构（13）具有基本上U形的管弯头元件（27），借助于该管弯头元件，能够将在所述混合以及偏转机构（13）上游布置的排气管路部件（23）和在所述混合以及偏转机构（13）下游布置的排气管路部件（25）在流体技术上进行连接。
用于车辆尤其商用废气净化装置

[发明专利]用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法和金属氧化物半导体场效应晶体管-CN201811056173.X在审
发明人： W.延切尔;M.皮潘;A.里格勒;M.施特格曼 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：公开了用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法和金属氧化物半导体场效应晶体管。一种用于制造MOSFET半导体器件的方法，包括提供晶片，晶片包括：半导体本体，该半导体本体包括第一侧、与第一侧相邻的第一半导体区、与第一侧相邻并且与第一半导体区形成第一pn结的第二半导体区、以及与第一侧相邻并且与第二半导体区形成第二pn结的第三半导体区；布置在第一侧上的第一电介质层；嵌入在第一电介质层中的栅极电极；和布置在第一电介质层上的第二电介质层。在栅极电极旁边形成通过第一电介质层和第二电介质层的沟槽。在沟槽的侧壁处形成电介质间隔壁。沟槽延伸到半导体本体中以形成接触沟槽。
电介质层半导体区金属氧化物半导体场效应晶体管半导体本体栅极电极晶片电介质制造半导体器件接触沟槽侧壁处间隔壁嵌入延伸

[发明专利]微机械系统和用于制造微机械系统的方法-CN201510363290.0有效
发明人： S.比泽尔特;B.宾德;H.弗勒利希;T.考奇;M.施特格曼;M.福格特 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：微机械系统和用于制造微机械系统的方法。制造微机械系统的方法包括在FEOL工艺中在晶体管区域中形成晶体管的步骤。在FEOL工艺之后，在晶体管区域中沉积保护层，其中保护层包括隔离材料。至少在不是晶体管区域的区域中形成结构化牺牲层。此外，形成至少部分覆盖结构化牺牲层的功能层。在形成功能层之后，去除牺牲层以便在功能层与沉积有牺牲层的表面之间产生空腔。保护层保护晶体管避免在MOL以及BEOL工艺中的进一步处理步骤中的蚀刻工艺期间受到损害。相同的氧化物可以用作BEOL中的金属化工艺的基础。因此，通常用作晶体管的保护的保护层可以保留在晶体管上方。因此，在BEOL工艺之前施加的保护层变成氧化物覆盖物的部分。
微机系统用于制造方法