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[发明专利]用单独的字线和擦除栅形成闪存存储器的方法-CN201680061627.5有效
发明人： C-M.陈;M-T.吴;J-W.杨;C-S.苏;N.杜 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成非易失性存储器单元的方法，所述方法包括在衬底中形成间隔开的第一区和第二区，将沟道区限定在其间。浮栅形成在所述沟道区的第一部分上方并且在所述第一区的一部分上方，其中所述浮栅包括设置在所述第一区上方的锋利边缘。隧道氧化物层形成在所述锋利边缘周围。擦除栅形成在所述第一区上方，其中所述擦除栅包括面向所述锋利边缘的凹口，并且其中所述凹口通过所述隧道氧化物层与所述锋利边缘绝缘。字线栅形成在所述沟道区的与所述第二区相邻的第二部分上方。在所述隧道氧化物层和所述擦除栅的所述形成之后执行所述字线栅的所述形成。
单独擦除形成闪存存储器方法

[发明专利]具有浮栅、字线、擦除栅的分裂栅非易失性存储器单元-CN201680040486.9有效
发明人： J-W.杨;M-T.吴;C-M.陈;M.塔达约尼;C-S.苏;N.杜 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器设备，所述存储器设备包括硅半导体衬底，形成于所述衬底中且其间具有沟道区的间隔开的源极区和漏极区，以及设置在所述沟道区的第一部分和所述源极区的第一部分上方的导电浮栅。擦除栅包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述浮栅横向相邻且在所述源极区上方，并且所述第二部分向上且在所述浮栅上方延伸。导电字线栅设置在所述沟道区的第二部分上方。所述字线栅与所述浮栅横向相邻地设置，并且不包括设置在所述浮栅上方的部分。将所述字线栅与所述沟道区的第二部分分开的绝缘厚度小于将所述浮栅与所述擦除栅分开的绝缘厚度。
具有字线擦除分裂非易失性存储器单元

[发明专利]形成分裂栅存储器单元阵列及低和高电压逻辑器件的方法-CN201680006721.0有效
发明人： M-T.吴;J-W.杨;C.苏;C-M.陈;N.杜 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2016-01-19 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种在具有存储器区域、LV区域和HV区域的衬底上形成存储器设备的方法，该方法包括在存储器区域中形成数对间隔开的存储器叠堆；在衬底上方形成与衬底绝缘的第一导电层；在第一导电层上形成第一绝缘层并从存储器区域和HV区域去除第一绝缘层；执行导电材料沉积以加厚存储器区域和HV区域中的第一导电层，并在LV区域中的第一绝缘层上形成第二导电层；执行蚀刻以减薄存储器区域和HV区域中的第一导电层，并去除LV区域中的第二导电层；从LV区域去除第一绝缘层；以及对第一导电层进行图案化以在存储器区域、LV区域和HV区域中形成第一导电层的区块。
形成分裂存储器单元阵列电压逻辑器件方法

[发明专利]分裂栅闪存阵列和逻辑器件的集成-CN201680013626.3有效
发明人： C-M.陈;J-W.杨;C-S.苏;M-T.吴;N.杜 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2016-03-02 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L27/11534 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器设备，所述存储器设备包括具有存储器区域(16)和逻辑器件区域(18)的半导体衬底。多个存储器单元形成于所述存储器区域中，每个存储器单元包括第一源极区和第一漏极区，其间具有第一沟道区；设置在所述第一沟道区的第一部分上方的浮栅；设置在所述浮栅上方的控制栅；设置在所述第一沟道区的第二部分上方的选择栅；以及设置在所述源极区上方的擦除栅。多个逻辑器件形成于所述逻辑器件区域中，每个逻辑器件包括第二源极区和第二漏极区，其间具有第二沟道区；以及设置在所述第二沟道区上方的逻辑门。所述衬底上表面在所述存储器区域中比在所述逻辑器件区域中凹陷得更低，使得所述更高的存储器单元具有与所述逻辑器件类似的上部高度。
分裂闪存阵列逻辑器件集成

[发明专利]带有3D鳍式场效应晶体管结构的分裂栅非易失性存储器单元及其制作方法-CN201680015252.9有效
发明人： C-S.苏;J-W.杨;M-T.吴;H.V.陈;N.杜;C-M.陈 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器单元，其包括具有鳍形上表面的半导体衬底，所述鳍形上表面具有顶部表面和两个侧表面。源极区和漏极区形成在所述鳍形上表面部分中，沟道区位于源极区和漏极区之间。导电浮栅包括沿所述顶部表面的第一部分延伸的第一部分，以及分别沿所述两个侧表面的第一部分延伸的第二部分和第三部分。导电控制栅包括沿所述顶部表面的第二部分延伸的第一部分、分别沿所述两个侧表面的第二部分延伸的第二部分和第三部分、沿所述浮栅第一部分的至少一些向上并在其上方延伸的第四部分、以及分别延伸出并在所述浮栅第二部分和第三部分的至少一些上方延伸的第五部分和第六部分。
带有场效应晶体管结构分裂非易失性存储器单元及其制作方法

[发明专利]形成低高度分裂栅存储器单元的方法-CN201780048382.7有效
发明人： C-S.苏;J-W.杨;M-T.吴;C-M.陈;H.V.陈;N.杜 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本公开提供了一种形成存储器器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成导电材料层；在所述导电材料层上形成绝缘块；沿着所述绝缘块的侧表面并且在所述导电材料层上形成绝缘间隔物；蚀刻所述导电材料层以形成所述导电材料的直接地设置在所述绝缘块和所述绝缘间隔物下方的块；去除所述绝缘间隔物；形成第二绝缘层，所述第二绝缘层具有第一部分和第二部分，所述第一部分包裹所述导电材料的所述块的暴露的上边缘，所述第二部分设置在所述衬底上方的在所述第一绝缘层的第一部分上；以及形成通过所述第二绝缘层与所述导电材料的所述块绝缘的并且通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层与所述衬底绝缘的导电块。
形成高度分裂存储器单元方法

[发明专利]将FINFET CMOS器件与嵌入式非易失性存储器单元集成的方法-CN201780032086.8有效
发明人： C-S.苏;J-W.杨;M-T.吴;C-M.陈;H.V.陈;N.杜 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成具有在平面衬底表面上方的存储器单元和在鳍形衬底表面部分上方的FinFET逻辑器件的存储器器件的方法，所述方法包括在所述衬底的存储器单元部分中的先前形成的浮栅、擦除栅、字线多晶硅和源极区上方形成保护层，接着在所述衬底的所述表面中形成鳍片并沿着所述鳍片在所述衬底的逻辑部分中形成逻辑门，然后去除所述保护层并完成在所述衬底的所述存储器单元部分中从所述字线多晶硅形成字线栅以及漏极区。
衬底存储器单元字线多晶硅衬底表面保护层鳍片存储器器件逻辑器件擦除栅漏极区逻辑门源极区字线栅浮栅鳍形去除

[发明专利]用金属栅和逻辑器件形成自对准分裂栅存储单元阵列的方法-CN201680006700.9有效
发明人： J-W.杨;C-M.陈;M-T.吴;F.周;X.刘;C-S.苏;N.杜 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成存储器件的方法，所述方法通过以下步骤进行：形成间隔开的第一区和第二区，在所述第一区和所述第二区之间具有沟道区；形成在所述沟道区的第一部分上方并且与所述第一部分绝缘的浮动栅；形成在所述浮动栅上方并且与所述浮动栅绝缘的控制栅；形成在所述第一区上方并且与所述第一区绝缘的擦除栅；以及形成在所述沟道区的第二部分上方并且与所述第二部分绝缘的选择栅。形成所述浮动栅包括在所述衬底上形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成第一导电层，以及执行两个单独的蚀刻以穿过所述第一导电层形成第一沟槽和第二沟槽。所述第一导电层的侧壁在所述第一沟槽处具有负斜率，并且所述第一导电层的侧壁在所述第二沟槽处是竖直的。
金属逻辑器件形成对准分裂存储单元阵列方法

[发明专利]具有金属增强栅极的分裂栅非易失性闪存存储器单元及其制造方法-CN201580072475.4在审
发明人： C-M.陈;M-T.吴;J-W.杨;C-S.苏 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开了非易失性存储器单元，其包括具有第一区和第二区的衬底，所述第一区和所述第二区之间具有沟道区。浮栅设置在所述沟道区的与所述第一区相邻的第一部分上方并且与所述第一部分绝缘。选择栅设置在所述沟道区的与所述第二区相邻的第二部分上方并且与所述第二部分绝缘。所述选择栅包括多晶硅材料块，以及沿着所述多晶硅材料块的底部和侧表面延伸的功函数金属材料层。所述选择栅通过二氧化硅层和高K绝缘材料层与所述沟道区的所述第二部分绝缘。控制栅设置在所述浮栅上方并与所述浮栅绝缘，并且擦除栅设置在所述第一区的上方并与所述第一区绝缘，且横向地邻近所述浮栅设置并与所述浮栅绝缘。
具有金属增强栅极分裂栅非易失性闪存存储器单元及其制造方法

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