专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]特征分级-CN200780046259.8无效
  • A·A·J·简夫斯基;J·D·沙弗;M·R·辛普森 - 皇家飞利浦电子股份有限公司
  • 2007-12-06 - 2009-10-14 - G06N3/12
  • 本发明涉及一种计算来自特征池的至少一个特征的等级的方法,该方法包括:获取(1)多个特征子集,每个特征子集包括来自特征池的特征;和基于至少一个特征在特征子集中的出现,计算(2)至少一个特征的等级。例如,至少一个特征的等级可基于该至少一个特征在多个特征子集中出现的频率。因此,该方法可被有利地应用于分级来自特征池的特征。包括一流特征的新的特征子集可根据计算的特征等级值得以创建,一流的特征潜在地比来自特征池的特征子集更有用。对于这种来自特征池的分级特征列表,可有许多其他的有益用途。
  • 特征分级
  • [发明专利]绝缘体上硅高压器件结构-CN02819318.0无效
  • T·J·莱塔维;M·R·辛普森 - 皇家飞利浦电子股份有限公司
  • 2002-09-11 - 2005-01-05 - H01L29/786
  • 一种薄层SOI高压器件(100),其中利用三维MOS电容器结构(10)来使漂移电荷耗尽。高压半导体器件的漂移区掺杂有从源-至-漏增加的梯度电荷分布轮廓。物理地构图漂移区以便制造各个SOI条纹(16a,16b)的条纹几何图形。由介电层(22a,22b)分别纵向界定每个SOI条纹(16a和16b),其中通过与衬底(12)电短路的导电的多电容器场板层(30)的场板纵向界定每个介电层(22a和22b)。获得的结构是由MOS场板完全封闭的薄漂移区条纹,当在SOI条纹(16a和16b)和它的封闭场板之间施加偏压时获得了三维耗尽。
  • 绝缘体高压器件结构

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