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[发明专利]用于表征半导体制造过程的方法和装置-CN202280019816.1在审
发明人： N·W·克莱因·科尔坎普;M·豪普特曼;A·凯瓦尼·简巴韩;王静超 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：用于表征在衬底上执行的半导体制造过程的方法和装置。获得在第一处理步骤之后测量的、与衬底的指纹数据相关联的第一数据。获得在第二过程步骤之后测量的、与衬底的指纹数据相关联的第二数据。统计模型被用于将第一数据和第二数据分解为在第一数据和第二数据之间互相关的第一类指纹成分以及在第一数据和第二数据之间不互相关的第二类指纹成分。第一类指纹成分和第二类指纹成分中的至少一个指纹成分被用于表征半导体制造过程。
用于表征半导体制造过程方法装置

[发明专利]用于优化光刻工艺的方法和装置-CN202210953036.6在审
发明人： M·豪普特曼;E·C·莫斯;寇伟田;A·伊普玛;M·库珀斯;刘贤优;韩敏燮 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：对由多个衬底组成的半导体衬底集合执行光刻工艺。作为工艺的一部分，衬底集合被划分为多个子集。该划分可以基于与衬底上的第一层相关联的特性集合。然后，针对衬底集合的至少一个衬底确定性能参数的指印。在一些情况下，针对每个衬底子集中的每个衬底确定指印。指印与至少第一层相关联。然后导出与后续层的施加相关联的性能参数的校正，该校正基于所确定的指印以及衬底集合的划分。
用于优化光刻工艺方法装置

[发明专利]用于优化光刻工艺的方法和装置-CN201880027615.X有效
发明人： M·豪普特曼;E·C·莫斯;寇伟田;A·伊普玛;M·库珀斯;刘贤优;韩敏燮 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：对由多个衬底组成的半导体衬底集合执行光刻工艺。作为工艺的一部分，衬底集合被划分为多个子集。该划分可以基于与衬底上的第一层相关联的特性集合。然后，针对衬底集合的至少一个衬底确定性能参数的指印。在一些情况下，针对每个衬底子集中的每个衬底确定指印。指印与至少第一层相关联。然后导出与后续层的施加相关联的性能参数的校正，该校正基于所确定的指印以及衬底集合的划分。
用于优化光刻工艺方法装置

[发明专利]用于控制半导体制造过程的方法-CN202080055502.8在审
发明人： M·豪普特曼;C·J·H·兰姆布列支;A·B·伊斯梅尔;R·拉赫曼;A·鲍斯西恩;R·普什卡尔;E·C·摩斯;E·M·沃克曼;R·沃克曼;R·布林克霍夫 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种控制半导体制造过程的方法，该方法包括：基于在第一过程步骤之后执行的测量结果获得第一量测数据；基于在第一过程步骤和至少一个另外过程步骤之后执行的测量结果获得第二量测数据；估计对以下过程的贡献：a)至少部分地基于第二量测数据的控制动作，和/或b)至少部分地使用第二量测数据的至少一个另外过程步骤；并且使用第一量测数据和所估计贡献来确定第一过程步骤的关键性能指标(KPI)或者校正。
用于控制半导体制造过程方法

[发明专利]用于器件制造过程的方法-CN202080029676.7在审
发明人： M·豪普特曼;A·B·伊斯梅尔;R·拉赫曼;李嘉鹏 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：披露了一种用于产生用于器件制造过程的采样方案的方法，所述方法包括：获得多个处理后的衬底的测量数据时间序列；转换所述测量数据时间序列以获得频域数据；使用所述频域数据来确定时间采样方案；基于根据所述时间采样方案在衬底上所执行的测量来确定由所述时间采样方案所引入的误差偏移；以及确定改进后的时间采样方案以补偿所述误差偏移。
用于器件制造过程方法

[发明专利]确定图案化过程的校正的方法-CN202110757769.8在审
发明人：寇伟田;A·伊普玛;M·豪普特曼;M·屈珀斯;L·M·韦尔甘-于泽;E·J·M·瓦勒博斯;E·H·A·德尔维涅;W·S·C·勒洛夫斯;H·E·采克利;S·C·T·范德山登;C·D·格乌斯塔;D·F·S·德克尔;M·焦洛;I·多夫博什 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：公开了一种确定与衬底上的光刻过程相关的过程参数的校正的方法和相关联的设备。所述光刻过程包括多次运行，在多次运行中的每一次运行期间将图案施加到一个或更多个衬底。所述方法包括获得用于描述所述衬底的属性的曝光前的量测数据；获得曝光后的量测数据，所述曝光后的量测数据包括已经对一个或更多个先前曝光的衬底执行的过程参数的一个或更多个测量值；基于所述曝光前的量测数据，将来自一个或更多个组的组员关系状态分配给所述衬底；和基于所述组员关系状态和所述曝光后的量测数据确定所述过程参数的校正。
确定图案过程校正方法

[发明专利]确定图案化过程的校正的方法-CN201780065318.X有效
发明人：寇伟田;A·伊普玛;M·豪普特曼;M·屈珀斯;L·M·韦尔甘-于泽;E·J·M·瓦勒博斯;E·H·A·德尔维涅;W·S·C·勒洛夫斯;H·E·采克利;S·C·T·范德山登;C·D·格乌斯塔;D·F·S·德克尔;M·焦洛;I·多夫博什 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：公开了一种确定与衬底上的光刻过程相关的过程参数的校正的方法和相关联的设备。所述光刻过程包括多次运行，在多次运行中的每一次运行期间将图案施加到一个或更多个衬底。所述方法包括获得用于描述所述衬底的属性的曝光前的量测数据；获得曝光后的量测数据，所述曝光后的量测数据包括已经对一个或更多个先前曝光的衬底执行的过程参数的一个或更多个测量值；基于所述曝光前的量测数据，将来自一个或更多个组的组员关系状态分配给所述衬底；和基于所述组员关系状态和所述曝光后的量测数据确定所述过程参数的校正。
确定图案过程校正方法

[发明专利]遮阳玻璃-CN201480036012.8有效
发明人： S·马耶;G·迪斯特法诺;M·豪普特曼;J·杜蒙 -专利权人：旭硝子欧洲玻璃公司
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种遮阳玻璃窗，该遮阳玻璃窗在玻璃基板的至少一个面上包括多层堆叠，该多层堆叠包括至少3nm的、吸收太阳光辐射的至少一个层以及围绕所述太阳光辐射吸收层的多个介电涂层。根据本发明，在该基板侧上测量的、涂布有该多层堆叠的玻璃基板的光反射率是至少20％并且是在该堆叠侧上测量的、涂布有该多层堆叠的玻璃基板的光反射率的至少两倍，并且该基板侧上的反射颜色具有低于2的色度坐标值a*及低于5的色度坐标值b*。本发明作为汽车玻璃窗、特别是在其车顶上，作为建筑玻璃窗或作为家用烤箱门是特别有用的。
遮阳玻璃

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