“M·勒杜”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果12个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]周界沟槽形成和划界蚀刻去层-CN202010564283.8有效
发明人： J·克拉克;M·勒杜;B·阿维迪相;J·L·蒙富尔 -专利权人： FEI 公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01J37/31 文献下载
摘要：周界沟槽形成和划界蚀刻去层。公开了用于样品制备的装置和方法，适用于多层样品的在线或离线使用。利用离子束技术来提供快速、准确的去层，并在一系列目标层上提供刻蚀停止。一方面，围绕感兴趣区域（ROI）铣削沟槽，并且在内侧壁上形成导电涂覆。由此，在ROI内的中间层与基层之间形成可靠的导电路径，并且消除延伸到ROI外的杂散电流路径，从而在后续蚀刻期间从体电流或散射电流提供了更好质量的蚀刻进度监测。离子束辅助气体蚀刻提供了快速去层，并在目标多晶硅层处提供蚀刻停止。可以实现深层的均匀蚀刻。公开了变型和结果。
周界沟槽形成划界蚀刻

[发明专利]制造铝合金零件的方法-CN201880025069.6有效
发明人： B·谢哈布;B·贝斯;C·沙布里奥尔;M·勒杜;T·欧黛夫瑞 -专利权人：肯联铝业技术中心
申请日： 2018-04-05 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： B22F3/105 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造零件(20)的方法，该方法包括形成彼此叠置的连续的金属层(201…20n)，每一层描绘出由一种数值模型定义的图案，每一层通过以下方式形成：沉积称为填充金属的金属(15，25)，对所述填充金属在大于大气压力0.5倍的压力下进行能量输入以熔化并构成所述层，所述方法的特征在于填充金属为2xxx系铝合金，所述2xxx系铝合金包含以下合金元素：‑Cu，其质量分数为3％至7％；‑Mg，其质量分数为0.1％至0.8％；‑选自以下的至少一种元素或至少两种元素或甚至至少三种元素：·Mn，其质量分数为0.1％至2％，优选至多1％且最优选至多0.8％；·Ti，其质量分数为0.01％至2％，优选至多1％且最优选至多0.3％；·V，其质量分数为0.05％至2％，优选至多1％且最优选至多0.3％；·Zr，其质量分数为0.05％至2％，优选至多1％且最优选至多0.3％；·Cr，其质量分数为0.05％至2％，优选至多1％且最优选至多0.3％；和‑任选地选自以下的至少一种元素或至少两种元素或甚至至少三种元素：·Ag，其质量分数为0.1％至0.8％；·Li，其质量分数为0.1％至2％，优选0.5％至1.5％；·Zn，其质量分数为0.1％至0.8％。
制造铝合金零件方法

[发明专利]用于背面平面视图薄片制备的方法和系统-CN202110276123.8在审
发明人： J·克拉克;B·劳思;M·勒杜;C·巴格 -专利权人： FEI公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G01Q30/20 文献下载
摘要：用于背面平面视图薄片制备的方法和系统。平面视图薄片的背面由从工件中提取的样品制备。所述样品包括多个器件层和衬底层。在去除覆盖末级器件层的所述衬底层的至少一部分以获得样品表面之后，利用电子束交替扫描与所述样品表面相关的感兴趣区域（ROI）并自发蚀刻所述感兴趣区域，直到所述ROI内的所述末级器件层暴露为止。在所述末级器件层暴露以获得所述平面视图薄片的所述背面之后，可从所述样品背面去除一个或多个器件层。
用于背面平面视图薄片制备方法系统

[发明专利]制造铝合金零件的方法-CN201880031461.1在审
发明人： B·谢哈布;P·扎瑞;M·勒杜;J·普里哲 -专利权人：肯联铝业技术中心
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： C22C1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造零件(20)的方法，所述方法包括形成彼此叠置的连续的固体金属层(20
填充金属熔化质量分数固化机械性能固体金属合金元素能量输入数值模型固体层铝合金能量束叠置沉积合金制造金属图案描绘暴露

[发明专利]用于液相烷基化的方法-CN200980108856.8无效
发明人： J·E·佩拉蒂;M·勒杜;J·R·巴特勒 -专利权人：弗纳技术股份有限公司
申请日： 2009-02-24 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： C07C2/66 文献下载
摘要：公开一种用于芳族底物液相烷基化的方法。反应区具有至少一个包含第一催化剂的催化剂床层，该催化剂通过包含稀土金属离子进行改性。
用于烷基化方法

[发明专利]使用叠层催化剂床减轻烷基化催化剂失活的方法-CN200780032460.0无效
发明人： J·梅里尔;M·勒杜 -专利权人：弗纳技术股份有限公司
申请日： 2007-08-27 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： C07C2/66 文献下载
摘要：本发明描述了尽可能减少烷基化催化剂再生的烷基化系统和方法。所述烷基化系统一般包括适合于接受包含烷基芳烃的输入物流并且使输入物流与其中设置的初步烷基化催化剂接触从而形成第一输出物流的初步烷基化系统。第一初步烷基化催化剂一般包括Y沸石。所述烷基化系统进一步包括适合于接受第一输出物流并且使第一输出物流与其中设置的第一烷基化催化剂以及烷化剂接触从而形成第二输出物流的第一烷基化系统。
使用催化剂减轻烷基化方法

[发明专利]烷基化催化剂毒剂的处理-CN200680005509.9无效
发明人： J·R·巴特勒;J·梅里尔;M·勒杜;M·贝特韦塞 -专利权人：弗纳技术股份有限公司
申请日： 2006-02-15 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： C07C2/64 文献下载
摘要：文中描述了烷基化方法。烷基化方法通常包括使包含苯的输入物流与烷基化催化剂和烷基化剂接触，形成包含乙苯的烷基化输出物流。烷基化方法还包括使至少一部分的烷基化输出物流与烷基转移催化剂和苯源接触，形成烷基转移输出物流，其中对苯源加以选择，从而最大程度地减少与烷基化催化剂接触的烷基化催化剂毒剂的量。
烷基化催化剂毒剂处理

[发明专利]脱氢处理烷基化催化剂毒剂-CN200680005510.1无效
发明人： J·R·巴特勒;M·勒杜;M·贝特韦塞 -专利权人：弗纳技术股份有限公司
申请日： 2006-02-15 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： C07C5/32 文献下载
摘要：文中描述了减少烷基化催化剂中毒的方法和过程。这类方法通常包括：使乙苯与脱氢催化剂在脱氢系统中接触，形成脱氢输出物流；将至少一部分的脱氢输出物流通入烷基化系统中，其中至少一部分的脱氢输出物流与烷基化催化剂接触。至少一部分的脱氢输出物流包含一定量的由不合格产物带来的杂质，其中杂质的含量足够低，与无不合格产物的烷基化系统进料相比，基本不会对烷基化催化剂的寿命造成明显的影响。
脱氢处理烷基化催化剂毒剂

[发明专利]用光活化半导体灭活分散在气体介质中的生物制剂-CN200580045658.3无效
发明人： F·加兰;N·凯勒;M－C·莱特;V·凯勒－施皮策;M·勒杜 -专利权人：国家科研中心;斯特拉斯堡第一大学（路易·巴斯特大学）
申请日： 2005-12-07 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： A61L9/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于灭活分散在气体介质中的生物制剂的方法，该方法包括用光活化半导体(尤其是光活化氧化钛)处理所述气流的步骤。本发明还涉及用于实施所述方法的设备，以及用于净化包含有害、有毒或致病生物制剂(如细菌)的气体介质的方法。
用光活化半导体活分气体介质中的生物制剂

[发明专利]可传送禁止命令的近距离询问通信方法-CN03107763.3有效
发明人： R·卡利诺斯基;M·勒杜 -专利权人：格姆普拉斯公司
申请日： 1998-06-25 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： H04B1/59 文献下载
摘要：公开一种用于在可发射出一种能量的场发送/接收询问器与至少一个包括带有存储器的集成电路的应答器之间进行通信的方法，所述方法的特征在于包括以下步骤：使应答器在预置响应回答过程中发送一种消息(ATR)，所述消息(ATR)专门载有以其禁止模式为特征的信息以及一种可确定两个消息之间提示周期时间(PV)的信息(RR)，使询问器在提示周期时间内根据记录模式(MOD)发送一个或多个禁止命令，使应答器的集成电路在提示周期(PV)内至少打开一个监听窗(FE)，在窗打开时集成电路可接收由询问器发送的禁止命令。本发明的方法有利于采用经济型应答器进行通信，从而降低通信成本。
传送禁止命令近距离询问通信方法

[发明专利]可传送禁止命令的近距离询问通信系统-CN98115078.0有效
发明人： R·卡利诺斯基;M·勒杜 -专利权人：格姆普拉斯有限公司
申请日： 1998-06-25 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： H04L12/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种通信系统，这种通信是在发送/接收询问器及多个应答器之间进行的。该系统可使询问器向应答器发送禁止命令而且不改变其存储器中的信息。本发明的内容特别是关于这样一种通信系统，它是在可发射能量场的发送/接收询问器与至少一个带有存储器的集成电路应答器之间的通信，其特征在于：在预置响应回答中，应答器发送一种消息(ATR)，它专门带有以其禁止模式为特征的信息(MOD)，并带有可确定两个消息间提示周期时间(PV)的信息(RR)，在提示周期内，询问器可根据记录模式(MOD)而发送一个或多个禁止命令。
传送禁止命令近距离询问通信系统

[发明专利]装备有频率失谐电路和天线的射频转发器-CN98115203.1无效
发明人： M·勒杜 -专利权人：格姆普拉斯有限公司
申请日： 1998-06-23 - 公布日： 1999-12-29 - 主分类号： H04B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及可由匹配的无线电系统(E)检测和/或询问的射频转发器(P0，P1，P2)。本发明考虑转发器的天线能够频率失谐或阻抗失配，以致转发器(P1)吸收少量射频场(B)和能量，而处于邻近的另一转发器(P2)充分吸收为转发器正常工作的射频场(B’)和能量。
装备频率失谐电路天线射频转发器

1
共 12 条