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[发明专利]具有侧壁的基板、包括该基板的功率半导体模块-CN202280020404.X在审
发明人：张必薇;H·拜尔;M·马利基;D·特拉塞尔;M·路德维格 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2022-02-01 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/433 文献下载
摘要：提供了一种用于功率半导体模块的基板(10)，其中基板(10)包括一体形成的基体(1)。基体(1)具有前侧(1A)和后侧(1B)，其中前侧(1A)包括基板(10)的安装区域(1M)。沿着其边缘(1E)中的至少之一，基体(1)具有形成至少一个侧壁(11)的至少一个升高的整体部分，该至少一个侧壁以竖直高度(11H)突出超过安装区域(1M)。在安装区域(1M)的各区域处，基体(1)具有在前侧(1A)和后侧(1B)之间延伸的竖直厚度(1T)，其中竖直厚度(1T)大于侧壁(11)的竖直高度(11H)。而且，沿着所有边缘(1E)，基体(1)包括至少一个侧壁(11)或至少一个凹槽(12)，但不在同一边缘(1E)处包括侧壁(11)和凹槽(12)两者，其中沿着其边缘(1E)中的至少之一，基体(1)包括形成至少一个侧壁(11)的一个升高的整体部分。而且，提供了包括这种基板(10)的功率半导体模块(100)和用于生产这种基板(10)的方法。
具有侧壁包括功率半导体模块

[发明专利]功率半导体器件及制造方法-CN202280017097.X在审
发明人： N·帕利克;D·特拉塞尔;M·马利基;L·圣托拉里亚 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：在至少一个实施例中，功率半导体器件(1)包括：‑至少一个支撑件(2)，至少一个功率半导体芯片(24)布置在支撑件顶侧(20)上，‑具有散热器顶侧(30)的散热器(3)，其中至少一个支撑件(2)布置在散热器顶侧(30)上，以及‑电绝缘材料的模具主体(4)，该模具主体与至少一个支撑件(2)和散热器(3)直接接触，其中模具主体(4)将至少一个支撑件(2)固定并压到散热器(3)上。
功率半导体器件制造方法

[发明专利]功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法-CN202280013845.7在审
发明人： D·特拉塞尔;H·拜尔;M·马利基 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：指定了一种功率半导体模块(1)，所述功率半导体模块包括：‑至少一个半导体芯片(5)，所述半导体芯片连接到冷却结构(3)，‑至少两个功率端子(7)，所述功率端子与所述至少一个半导体芯片(5)电接触，以及‑壳体(23)，用于功率半导体芯片(5)和所述至少两个功率端子(7)，其中，‑所述至少两个功率端子(7)中的每一个具有沿侧向方向突出超过壳体(23)的突出部分(9)，并且‑所述至少两个突出部分(9)中的每一个设置有第一对齐孔(10)。进一步地，指定了一种功率半导体器件和一种用于制造功率半导体器件的方法。
功率半导体模块半导体器件用于制造方法

[其他]功率半导体模块-CN202190000663.7有效
发明人： H·拜尔;D·特拉塞尔;M·马利基;F·菲舍尔;R·盖德 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：在一个实施例中，功率半导体模块(1)包括：‑主衬底(2)，‑多个第一半导体芯片(3)，该多个第一半导体芯片安装在主衬底(2)上，以及‑辅助衬底(4)，该辅助衬底也安装在主衬底(2)上，辅助衬底(4)包括远离主衬底(2)的顶面(40)，其中‑辅助衬底(4)是印刷电路板，该印刷电路板包括至少一个基于有机材料的载体层(41)，以及‑辅助衬底(4)为第一半导体芯片(3)提供公共接触平台(44)。
功率半导体模块

[发明专利]功率半导体部件-CN202180079384.9在审
发明人： L·圣托拉里亚;S·哈特曼;M·马利基;D·特拉塞尔;H·拜尔 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：指定了一种功率半导体部件(1)，具有：至少两个功率半导体模块(2)，每个功率半导体模块连接到冷却结构(4)；和冷却室(3)，具有入口端口(11)和出口端口(12)，其中，冷却室(3)适合于冷却室(3)内的冷却剂物质从入口端口(11)到出口端口(12)的流动方向，至少两个冷却结构(4)中的每一者沿流动方向的方向连续地设置在冷却室(3)内，使得至少两个冷却结构(4)中的每一者在冷却室(3)中形成流阻区域(14)，冷却室(3)包括至少一个旁路区域(17)，至少一个旁路区域(17)平行连接到至少两个流阻区域(14)中更靠近入口端口(11)的至少一者，并且冷却室(3)适合于平行连接到至少一个旁路区域(17)且更靠近入口端口(11)的至少一个流阻区域(14)的流速，该流速小于至少两个流阻区域(14)中更靠近出口端口(12)的一者的流速。
功率半导体部件

[实用新型]功率半导体模块-CN202320211373.8有效
发明人： M·马利基;F·菲舍尔;H·拜尔 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：根据一个实施例，功率半导体模块(100)具有封装件(2)和基于宽带隙半导体材料的多个半导体芯片(1)。半导体芯片被嵌入封装件中。当在俯视图中观察时，封装件由外部轮廓(21)侧向界定。由外部轮廓包围的区域形成封装件的基部区域。半导体芯片被布置成使得当半导体芯片被投影到基部区域上时，所投影的半导体芯片总共占基部区域的面积的至少7％的面积。
功率半导体模块

[发明专利]预制品、方法和电子设备-CN202180053661.9在审
发明人： D·特鲁塞尔;H·拜尔;R·盖德;M·马利基 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L23/37 文献下载
摘要：在一个实施例中，预制品(11)被配置为用于电子设备(1)，该电子设备旨在加载有至少10A的最大电流，并且该预制品(11)包括：电子部件(3)；用于外部电接触电子设备(1)的多个功率端子(4)，功率端子(4)电连接到电子部件(3)并且在背离电子部件(3)的方向上延伸；以及在至少一个所分配的功率端子(4)的远离电子部件(3)的端部(41)处的滑轨(5)，其中，滑轨(5)与功率端子(4)中的至少一个一起集成在金属第一引线框架(45)中，预制品(11)的重量为至少0.1kg。
预制方法电子设备

[发明专利]包括冷却器和用于功率半导体模块的基板的装置-CN202080053710.4在审
发明人： T·格拉丁格;M·马利基;D·托雷辛 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括冷却器(38)和用于功率半导体模块的基板(10)的装置(46)，其中冷却器(38)设置有适于提供冷却剂流(24)的冷却通道(26)，其中基板(10)包括适于承载电子电路的第一侧(12)，电子电路包括至少一个功率半导体器件(14)，其中至少一个功率半导体器件(14)在第一侧(12)上形成至少一个器件区域(16)，器件区域是功率半导体器件(14)的覆盖区，其中基板(10)还包括位于与第一侧(12)相反的第二侧(18)，其中基板(10)在第二侧(18)上包括与至少一个器件区域(16)相反的至少一个冷却区域(20)，其中至少一个冷却区域(20)适于通过使冷却区域(20)与冷却通道(26)中的冷却剂流(24)接触来散发来自基板(10)的热量，其中基板(10)在第二侧(18)上附加地包括定位成与冷却区域(20)邻接的辅助区域(22)，其中辅助区域(22)包括用于降低冷却剂流(24)在辅助区域(22)中的流率的导流件(28)，并且其中冷却通道(26)适于接纳至少一个冷却区域(20)和至少一个导流件(28)。
包括冷却器用于功率半导体模块装置

[发明专利]功率半导体模块-CN202110119295.4在审
发明人： M·马利基;H·拜尔;D·特拉塞尔 -专利权人： ABB电网瑞士股份公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率半导体模块(10)，该功率半导体模块包括基板(12)，所述基板至少部分地被封装材料(14)覆盖，其中，所述基板(12)适于通过由夹持部件(28)施加的夹持力(40)连接至散热元件(24)，并且其中，功率半导体模块(10)具有提高的生产能力以及模塑部件的改良的长期可靠性和完整性。
功率半导体模块

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