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[发明专利]可调谐耗散电路以及在低温下进行频率移位的方法-CN202110566070.3在审
发明人：瓦西里·塞夫留克;于哈·哈塞尔;M·莫托宁 -专利权人： IQM芬兰有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H03D7/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种可调谐耗散电路，用于在低温冷却的环境中使得射频信号或微波信号的频率移位。一个或多个耦合器(604，605，703)在传播路径(301，606)与可调谐谐振元件(401)以及可控耗散器元件(402，501，502)之间进行耦合。到所述可调谐谐振元件(401)的第一控制输入(403)允许利用第一控制信号来改变所述可调谐谐振元件(401)的谐振频率。到所述可控耗散器元件(402，501，502)的第二控制输入(404，503)允许利用第二控制信号来改变所述可控耗散器元件(402，501，502)的阻尼率。
调谐耗散电路以及低温进行频率移位方法

[发明专利]量子处理单元-CN202110700230.9在审
发明人： E·海皮佩;M·莫托宁;于哈·哈塞尔;J·图里拉 -专利权人： IQM芬兰有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G06N10/20 文献下载
摘要：本发明总体上涉及量子计算领域，并且特别地涉及一种量子处理单元，所述量子处理单元包括基于相位偏置的线性和非线性感应能量元件的至少一个超导量子比特。跨线性和非线性感应能量元件的超导相位差例如通过外部磁场来偏置，使得线性和非线性感应能量元件的二次势能项至少部分地被抵消。在一个优选的实施例中，这种抵消是至少30％。通过这样做，可以实现高相干高非谐性超导量子比特设计。
量子处理单元

[发明专利]量子比特读出-CN202110079550.7在审
发明人：于哈·哈塞尔;瓦西里·塞夫留克;约翰内斯·海因索;陈冠言;M·莫托宁 -专利权人： IQM芬兰有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G06N10/20 文献下载
摘要：目的是提供一种用于量子比特读出的装置和一种量子计算系统。根据一个实施例，一种用于量子比特读出的装置(100)包括：至少一个量子比特(101)；可控能量弛豫结构(102)，其包括至少一个结，其中可控能量弛豫结构(102)耦合到至少一个量子比特(101)，并且配置为响应于控制信号、经由穿过至少一个结的电荷的光子辅助隧穿从至少一个量子比特(101)吸收至少一个光子；电荷存储器(104)，其配置为存储隧穿的电荷；以及电荷感测结构(103)，其耦合到电荷存储器(104)，配置为响应于对电荷存储器(104)中的隧穿的电荷的检测而提供读出信号。
量子比特读出

[发明专利]三维超导量子比特以及用于制造其的方法-CN202110234964.2在审
发明人： C·奥克龙-科尔比;李天一;刘伟;瓦西里·塞夫留克;T·那吉亚;马蒂·耶尼;J·哥茨;陈冠言;M·莫托宁;曾国维 -专利权人： IQM芬兰有限公司
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G06F30/33 文献下载
摘要：一种三维超导量子比特包括：结构基部，其包括一种或多种绝缘材料；和在所述结构基部的表面上的超导图案。所述超导图案形成三维超导量子比特的至少电容部分和电感部分。所述结构基部的所述表面的第一表面限定第一平面，并且所述结构基部的所述表面的第二表面限定第二平面，所述第二平面与所述第一平面不同地取向。所述超导图案中的至少一个超导图案从所述第一表面延伸到所述第二表面。
三维超导量子比特以及用于制造方法

[实用新型]量子处理单元和量子计算机-CN202121403916.3有效
发明人： E·海皮佩;M·莫托宁;于哈·哈塞尔;J·图里拉 -专利权人： IQM芬兰有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G06N10/20 文献下载
摘要：本实用新型总体上涉及量子计算领域，并且特别地涉及一种量子处理单元和量子计算机，所述量子处理单元包括基于相位偏置的线性和非线性感应能量元件的至少一个超导量子比特。跨线性和非线性感应能量元件的超导相位差例如通过外部磁场来偏置，使得线性和非线性感应能量元件的二次势能项至少部分地被抵消。在一个优选的实施例中，这种抵消是至少30％。通过这样做，可以实现高相干高非谐性超导量子比特设计。
量子处理单元计算机

[发明专利]包括多个芯片的量子计算电路以及用于制造其的方法-CN202011138243.3在审
发明人：于哈·哈塞尔;刘伟;瓦西里·塞夫留克;约翰内斯·海因索;马蒂·耶尼;曼柱纳什·文卡塔什;李天一;曾国维;陈冠言;M·莫托宁 -专利权人： IQM芬兰有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G06N10/40 文献下载
摘要：量子计算电路包括第一芯片和第二芯片，第一芯片其上具有至少一个量子比特，第二芯片其上除了量子比特之外的至少具有其他量子电路元件。所述第一芯片和所述第二芯片以倒装芯片配置堆叠在一起，并且通过凸点结合附接到彼此，所述凸点结合包括结合凸点。
包括芯片量子计算电路以及用于制造方法

[发明专利]量子比特泄漏错误减少-CN202010972766.1在审
发明人： O·阿霍恩;J·海因索;M·莫托宁;J·伦科;J·萨洛;J·图里 -专利权人： IQM芬兰有限公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G06N10/40 文献下载
摘要：本发明提供一种用于减少量子计算系统中的量子比特泄漏错误的装置。根据一种实施例，用于减少量子比特泄漏错误的装置包括：能够选择性地彼此耦合的第一量子比特和第二量子比特。该装置还可包括第一能量耗散结构，其能够选择性地与第一量子比特耦合，其中第一能量耗散结构构造成耗散传递到第一能量耗散结构的能量。该装置还可包括控制单元，其构造成：执行第一量子操作以将量子态的至少一种属性从第一量子比特传递到第二量子比特；将第一量子比特耦合于第一能量耗散结构，持续一时间间隔；以及在所述时间间隔之后执行第二量子操作以将量子态的至少一种属性从第二量子比特传递到第一量子比特。
量子比特泄漏错误减少

[发明专利]量子比特泄漏错误减少-CN202011108575.7在审
发明人： O·阿霍恩;J·海因索;李天一;P·拉特恩梅基;M·莫托宁;J·伦科;J·萨洛;J··桑托斯;J·图里 -专利权人： IQM芬兰有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：本发明提供一种量子计算系统和装置。根据一种实施例，量子比特，其具有基态和多个激发态，其中多个激发态包括最低激发态，其中基态和最低激发态之间的能量差对应于第一频率，并且最低激发态和多个激发态中的另一激发态之间的能量差对应于第二频率；能量耗散结构，其配置为耗散传递到能量耗散结构的能量；以及滤波器，其具有阻带和通带，其中滤波器耦合到量子比特和能量耗散结构，并且其中阻带包括第一频率，并且通带包括第二频率。本发明提供了一种装置、一种量子计算系统和一种方法。
量子比特泄漏错误减少

[发明专利]用于重置量子比特的方法和装置-CN202010972757.2在审
发明人：李天一;曾国维;陈冠言;J·哥茨;M·莫托宁 -专利权人： IQM芬兰有限公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：为了重置量子比特，存在一个或多个量子电路致冷器，每个量子电路致冷器包括隧穿结和用于接收控制信号的控制输入。响应于控制信号发生光子辅助单电子隧穿过相应的隧穿结。量子比特与量子电路致冷器之间的电容耦合元件或电感耦合元件将每个量子比特耦合到量子电路致冷器。量子比特、量子电路致冷器和耦合元件处于低温冷却环境中。到控制输入的公共控制信号线从室温环境穿过进入所述低温冷却环境。
用于重置量子比特方法装置

[实用新型]用于低温移频器的可调谐耗散电路-CN202121118454.0有效
发明人：瓦西里·塞夫留克;于哈·哈塞尔;M·莫托宁 -专利权人： IQM芬兰有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H03D7/00 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种可调谐耗散电路，用于在低温冷却的环境中使得射频信号或微波信号的频率移位。一个或多个耦合器(604，605，703)在传播路径(301，606)与可调谐谐振元件(401)以及可控耗散器元件(402，501，502)之间进行耦合。到所述可调谐谐振元件(401)的第一控制输入(403)允许利用第一控制信号来改变所述可调谐谐振元件(401)的谐振频率。到所述可控耗散器元件(402，501，502)的第二控制输入(404，503)允许利用第二控制信号来改变所述可控耗散器元件(402，501，502)的阻尼率。
用于低温移频器调谐耗散电路

[实用新型]三维超导量子比特和量子计算电路-CN202120458914.8有效
发明人： C·奥克龙-科尔比;李天一;刘伟;瓦西里·塞夫留克;T·那吉亚;马蒂·耶尼;J·哥茨;陈冠言;M·莫托宁;曾国维 -专利权人： IQM芬兰有限公司
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G06F30/33 文献下载
摘要：一种三维超导量子比特包括：结构基部，其包括一种或多种绝缘材料；和在所述结构基部的表面上的超导图案。所述超导图案形成三维超导量子比特的至少电容部分和电感部分。所述结构基部的所述表面的第一表面限定第一平面，并且所述结构基部的所述表面的第二表面限定第二平面，所述第二平面与所述第一平面不同地取向。所述超导图案中的至少一个超导图案从所述第一表面延伸到所述第二表面。
三维超导量子比特计算电路

[实用新型]用于量子比特读出的装置和量子计算系统-CN202120160919.2有效
发明人：于哈·哈塞尔;瓦西里·塞夫留克;约翰内斯·海因索;陈冠言;M·莫托宁 -专利权人： IQM芬兰有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：目的是提供一种用于量子比特读出的装置和一种量子计算系统。根据一个实施例，一种用于量子比特读出的装置(100)包括：至少一个量子比特(101)；可控能量弛豫结构(102)，其包括至少一个结，其中可控能量弛豫结构(102)耦合到至少一个量子比特(101)，并且配置为响应于控制信号、经由穿过至少一个结的电荷的光子辅助隧穿从至少一个量子比特(101)吸收至少一个光子；电荷存储器(104)，其配置为存储隧穿的电荷；以及电荷感测结构(103)，其耦合到电荷存储器(104)，配置为响应于对电荷存储器(104)中的隧穿的电荷的检测而提供读出信号。
用于量子比特读出装置计算系统

[实用新型]量子计算电路-CN202022367963.9有效
发明人：于哈·哈塞尔;刘伟;瓦西里·塞夫留克;约翰内斯·海因索;马蒂·耶尼;曼柱纳什·文卡塔什;李天一;曾国维;陈冠言;M·莫托宁 -专利权人： IQM芬兰有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种量子计算电路。量子计算电路包括第一芯片和第二芯片，第一芯片其上具有至少一个量子比特，第二芯片其上除了量子比特之外的至少具有其他量子电路元件。所述第一芯片和所述第二芯片以倒装芯片配置堆叠在一起，并且通过凸点结合附接到彼此，所述凸点结合包括结合凸点。
量子计算电路

[实用新型]量子比特泄漏错误减少-CN202022308233.1有效
发明人： O·阿霍恩;J·海因索;李天一;P·拉特恩梅基;M·莫托宁;J·伦科;J·萨洛;J··桑托斯;J·图里 -专利权人： IQM芬兰有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种量子计算系统和装置。根据一种实施例，量子比特，其具有基态和多个激发态，其中多个激发态包括最低激发态，其中基态和最低激发态之间的能量差对应于第一频率，并且最低激发态和多个激发态中的另一激发态之间的能量差对应于第二频率；能量耗散结构，其配置为耗散传递到能量耗散结构的能量；以及滤波器，其具有阻带和通带，其中滤波器耦合到量子比特和能量耗散结构，并且其中阻带包括第一频率，并且通带包括第二频率。
量子比特泄漏错误减少

[实用新型]用于减少量子比特泄漏错误的装置和量子计算系统-CN202022026043.0有效
发明人： O·阿霍恩;J·海因索;M·莫托宁;J·伦科;J·萨洛;J·图里 -专利权人： IQM芬兰有限公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G06N10/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于减少量子计算系统中的量子比特泄漏错误的装置和量子计算系统。根据一种实施例，用于减少量子比特泄漏错误的装置包括：能够选择性地彼此耦合的第一量子比特和第二量子比特。该装置还可包括第一能量耗散结构，其能够选择性地与第一量子比特耦合，其中第一能量耗散结构构造成耗散传递到第一能量耗散结构的能量。该装置还可包括控制单元，其构造成：执行第一量子操作以将量子态的至少一种属性从第一量子比特传递到第二量子比特；将第一量子比特耦合于第一能量耗散结构，持续一时间间隔；以及在所述时间间隔之后执行第二量子操作以将量子态的至少一种属性从第二量子比特传递到第一量子比特。
用于减少量子比特泄漏错误装置计算系统

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