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[发明专利]将漏斗装置并入到电容器配置中以减少单元干扰的方法及并入有漏斗装置的电容器配置-CN201880080638.7有效
发明人： A·A·恰范;B·R·曲克;M·纳哈尔;D·V·N·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：一些实施例包含一种具有通过支撑结构支撑的水平隔开底部电极的设备。漏斗装置材料直接抵靠所述底部电极。绝缘材料在所述底部电极上方，且上部电极在所述绝缘材料上方。板材料跨所述上部电极延伸且使所述上部电极彼此耦合。所述板材料直接抵靠所述漏斗装置材料。所述漏斗装置材料将所述底部电极电耦合到所述板材料，且可经配置以使过量电荷的至少部分从所述底部电极放电到所述板材料。一些实施例包含形成包含具有底部电极及顶部电极的电容器的设备的方法，其中所述顶部电极通过导电板彼此电耦合。形成漏斗装置以将所述底部电极电耦合到所述导电板。
漏斗装置并入电容器配置减少单元干扰方法

[发明专利]晶体管及形成晶体管的方法-CN202080055910.3在审
发明人： M·纳哈尔;V·N·安东诺夫;K·M·考尔道;M·米奇;刘鸿威;J·B·赫尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体管，其包括顶部源极/漏极区域、底部源极/漏极区域、垂直位于所述顶部源极/漏极区域与所述底部源极/漏极区域之间的沟道区域，及以操作方式横向邻近所述沟道区域的栅极。所述沟道区域是结晶的且包括多个垂直伸长晶粒，所述垂直伸长晶粒个别地直接抵靠所述顶部源极/漏极区域及所述底部源极/漏极区域中的两个。本发明公开其它实施例，包含方法。
晶体管形成方法

[发明专利]垂直晶体管，集成电路，以及形成垂直晶体管及集成电路的方法-CN202111090814.5在审
发明人：刘鸿威;V·N·安东诺夫;A·A·恰范;D·F·范;J·B·赫尔;A·A·卡恩德卡尔;M·R·拉斯卡尔;A·廖;X-F·林;M·纳哈尔;I·V·瓦西里耶沃 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本申请案的实施例涉及一种垂直晶体管、集成电路，以及形成垂直晶体管及集成电路的方法。一种形成垂直晶体管的方法，所述垂直晶体管包括顶部源极/漏极区、底部源极/漏极区、垂直地位于所述顶部与底部源极/漏极区之间的沟道区，以及可操作地横向邻近所述沟道区的栅极，所述方法包括在多个时间间隔的微波退火步骤中，使至少所述沟道区微波退火。所述多个时间间隔的微波退火步骤使所述沟道区中的元素形式H的平均浓度从其在所述多个时间间隔的微波退火步骤开始之前的情况降低。元素形式H的所述降低的平均浓度为0.005到小于1原子百分比。本发明揭示结构实施例。
垂直晶体管集成电路以及形成方法

[发明专利]晶体管和形成晶体管的方法-CN202080054273.8在审
发明人： M·纳哈尔;V·N·安东诺夫;D·F·范;A·莫巴尔利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：一种晶体管包括顶部源极/漏极区、底部源极/漏极区、竖直处于所述顶部与底部源极/漏极区之间的沟道区，以及以操作方式侧向邻近于所述沟道区的栅极。上部材料在下部材料正上方。所述上部材料在所述顶部源极/漏极区、所述底部源极/漏极区和所述沟道区中的至少一者中。所述下部材料在所述顶部源极/漏极区、所述底部源极/漏极区和所述沟道区中的至少一者中。所述上部材料包括1原子百分比到10原子百分比的元素形式H和0总原子百分比到小于0.1总原子百分比的一或多个惰性元素。所述下部材料包括0原子百分比到小于1原子百分比的元素形式H和0.1总原子百分比到10总原子百分比的一或多个惰性元素。公开了其它实施例，包含方法。
晶体管形成方法

[发明专利]晶体管和形成晶体管的方法-CN202080054770.8在审
发明人： M·纳哈尔;M·米奇 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体管，其包括：顶部源极/漏极区域；底部源极/漏极区域；以及竖直地位于所述顶部与底部源极/漏极区域之间的沟道区域。栅极可操作地横向邻近所述沟道区域。所述顶部源极/漏极区域、所述底部源极/漏极区域和所述沟道区域分别具有晶粒和紧邻的所述晶粒之间的晶界。所述底部源极/漏极区域和所述沟道区域中的至少一者在其内具有内部界面，所述内部界面位于在所述内部界面上方的所述晶粒与在所述内部界面下方的所述晶粒之间。直接在所述内部界面上方的所述晶粒中的至少一些与直接在所述内部界面下方的所述晶粒中的至少一些物理接触。直接在所述界面上方和下方的紧邻的所述物理接触的晶粒之间的所有所述晶界相对于彼此对准。所述内部界面包括(a)和(b)中的至少一者，其中(a)：直接在所述内部界面上方的电导率修改掺杂剂浓度低于直接在所述内部界面下方的浓度，和(b)：横向不连续的绝缘氧化物。本发明公开包含方法的其它实施例。
晶体管形成方法

[发明专利]铁电电容器、铁电场效应晶体管及在形成包含导电材料与铁电材料的电子组件时使用的方法-CN202110941803.7在审
发明人： A·A·恰范;D·V·N·拉马斯瓦米;M·纳哈尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本申请涉及铁电电容器、铁电场效应晶体管及在形成包含导电材料与铁电材料的电子组件时使用的方法。一种在形成包含导电材料与铁电材料的电子组件时使用的方法包含在衬底上方形成非铁电含金属氧化物的绝缘体材料。在所述衬底上方形成包含至少两种不同组合物非铁电金属氧化物的复合堆叠。所述复合堆叠具有至少1×102西门子/厘米的总体导电率。使用所述复合堆叠来使所述非铁电含金属氧化物的绝缘体材料变为铁电的。在所述复合堆叠及所述绝缘体材料上方形成导电材料。本发明还揭示独立于制造方法的铁电电容器及铁电场效应晶体管。
电容器电场效应晶体管形成包含导电材料电子组件使用方法

[发明专利]铁电电容器、铁电场效应晶体管及在形成包含导电材料与铁电材料的电子组件时使用的方法-CN201680070615.9有效
发明人： A·A·恰范;D·V·N·拉马斯瓦米;M·纳哈尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：一种在形成包含导电材料与铁电材料的电子组件时使用的方法包含在衬底上方形成非铁电含金属氧化物的绝缘体材料。在所述衬底上方形成包含至少两种不同组合物非铁电金属氧化物的复合堆叠。所述复合堆叠具有至少1×102西门子/厘米的总体导电率。使用所述复合堆叠来使所述非铁电含金属氧化物的绝缘体材料变为铁电的。在所述复合堆叠及所述绝缘体材料上方形成导电材料。本发明还揭示独立于制造方法的铁电电容器及铁电场效应晶体管。
电容器电场效应晶体管形成包含导电材料电子组件使用方法

[发明专利]用于形成包括在其间具有电容器绝缘体的一对导电性电容器电极的电容器的至少一个导电性电容器电极的至少一部分的方法及形成电容器的方法-CN201880083774.1在审
发明人： M·纳哈尔;V·N·安东诺夫 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种用于形成电容器的至少一个导电性电容器电极的至少一部分的方法，所述电容器包括在其间具有电容器绝缘体的一对导电性电容器电极，所述方法包括：形成包括非晶绝缘性金属氧化物的绝缘性第一材料。在还原环境中还原所述非晶绝缘性金属氧化物，以从所述绝缘性第一材料形成导电性第二材料。在所述还原环境中的此还原(a)从所述金属氧化物去除氧并改变其化学计量，以及(b)使所述金属氧化物结晶成导电性的结晶态。
用于形成包括其间具有电容器绝缘体一对导电性电极至少一个一部分方法

[发明专利]铁电电容器、铁电场效应晶体管以及用于形成包括导电材料和铁电材料的电子装置的方法-CN201880056036.8在审
发明人： M·纳哈尔;A·A·恰范 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-07-30 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L27/11514 文献下载
摘要：用于形成包括导电材料和铁电材料的电子装置的方法包括形成复合堆叠，所述复合堆叠包括多种含金属氧化物的绝缘体材料。所述含金属氧化物的绝缘体材料中的至少一种在非铁电绝缘材料之间并且直接抵靠非铁电绝缘材料。所述多种含金属氧化物的绝缘体材料具有与紧邻的所述非铁电绝缘体材料不同的组成。所述复合堆叠经受至少200℃的温度。在所述经受处理之后，所述复合堆叠包括多种含铁电金属氧化物的绝缘体材料，其中至少一种在非铁电绝缘材料之间并且直接抵靠非铁电绝缘材料。在所述经受处理之后，所述复合堆叠是铁电的。形成与所述复合堆叠相邻的导电材料。还公开了装置。
电容器电场效应晶体管以及用于形成包括导电材料电子装置方法

[发明专利]半导体结构、存储器装置和系统以及形成它们的方法-CN201910832635.0在审
发明人： M·米奇;M·纳哈尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体结构、存储器装置和系统以及形成它们的方法。一种形成半导体结构的方法包含通过气相外延在基础材料上形成第一材料。所述第一材料具有晶体部分和非晶部分。通过研磨平面化去除所述第一材料的所述非晶部分。通过气相外延在所述第一材料的所述晶体部分上形成至少第二材料。所述第二材料具有晶体部分和非晶部分。通过研磨平面化去除所述第二材料的所述非晶部分。通过此方法形成的半导体结构包含基板、所述第一材料、所述第二材料和任选地在所述第一材料和所述第二材料之间的氧化物材料。所述基板、所述第一材料和所述第二材料限定连续的晶体结构。还公开了半导体结构、存储器装置和系统。
半导体结构存储器装置系统以及形成它们方法

[发明专利]半导体结构、存储器装置和系统以及形成它们的方法-CN201910833310.4在审
发明人： M·米奇;M·纳哈尔;W·I·肯尼 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本申请涉及半导体结构、存储器装置和系统以及形成它们的方法。一种方法包含形成半导体结构。所述结构包含第一材料、阻挡材料、非晶形式的第二材料和非晶形式的第三材料。所述阻挡材料设置在所述第一材料和所述第二材料之间。至少所述第二材料和所述第三材料各自包括硅和/或锗。所述结构暴露于高于所述第三材料的结晶温度并低于所述第二材料的结晶温度的温度。还公开了半导体结构、存储器装置和系统。
半导体结构存储器装置系统以及形成它们方法

[发明专利]形成结晶半导体材料的方法及形成晶体管的方法-CN201910780602.6在审
发明人： M·纳哈尔;达尔文·法兰塞达·范;刘君庭;米迦勒·米奇 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请案涉及形成结晶半导体材料的方法及形成晶体管的方法。一些实施例包含一种形成结晶半导体材料的方法。提供具有沿着表面的多晶区的模板。在从所述多晶区的颗粒生长结晶半导体结构的条件下沿着所述表面沉积半导体材料。所述沉积是在小于或等于500℃的温度下进行。一些实施例包含一种形成晶体管的方法。提供具有沿着表面的多晶区的模板。在从所述多晶区的颗粒生长结晶半导体结构的条件下沿着所述表面沉积半导体材料。所述半导体材料包含锗。掺杂所述结晶半导体结构以形成在第二部分上具有第一部分的配置。邻近于所述第二部分形成绝缘材料。沿着所述绝缘材料形成晶体管栅极。
形成结晶半导体材料方法晶体管

[发明专利]包含第一及第二区的层压件的半导体结构及形成半导体结构的方法-CN201910792787.2在审
发明人： M·纳哈尔;D·F·范 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及包含第一及第二区的层压件的半导体结构及形成半导体结构的方法。一些实施例包含一种具有层压件的半导体结构，所述层压件具有与第二区交替的第一区。所述第一区包含硅，且所述第二区包含锗。一些实施例包含一种形成半导体结构的方法。所述半导体结构可对应于晶体管的有源区的至少一部分。第一半导体材料用第一沉积工艺沉积。所述第一半导体材料包含硅。所述第一沉积工艺间歇中断以蚀刻所述经沉积第一半导体材料的表面及用第二沉积工艺沉积第二半导体材料。所述第二半导体材料包含锗。所述半导体结构是至少部分结晶的。
包含第一第二层压半导体结构形成方法

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