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[发明专利]自-对准栅极边缘三栅极和finFET器件-CN201680087349.0有效
发明人： S.S.廖;B.古哈;T.加尼;C.N.凯尼恩;L.P.古勒 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：描述了自‑对准栅极边缘三栅极和finFET器件以及制作自‑对准栅极边缘三栅极和finFET器件的方法。在示例中，半导体结构包括被部署在衬底以上并且突出穿过沟槽隔离区域的最上方表面的多个半导体鳍。栅极结构被部署在所述多个半导体鳍之上。所述栅极结构限定所述多个半导体鳍的每个中的沟道区域。源极和漏极区域是在所述多个半导体鳍的每个的所述沟道区域的相对端，在所述栅极结构的相对侧。所述半导体结构还包括多个栅极边缘隔离结构。所述多个栅极边缘隔离结构的各个栅极边缘隔离结构与所述多个半导体鳍的各个半导体鳍交替。
对准栅极边缘 finfet 器件

[发明专利]非平面晶体管中的栅极隔离-CN201580085575.0有效
发明人： L.P.古勒;G.比马拉塞蒂;V.沙尔马;W.M.哈费茨;C.P.奥思 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-12-26 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施例包括一种装置，所述装置包括：彼此平行的第一和第二半导体鳍片；在第一鳍片上的第一栅极，其包括在第一和第二鳍片之间的第一栅极部分；在第二鳍片上的第二栅极，其包括在第一和第二鳍片之间的第二栅极部分；沿第一栅极部分的第一面延伸的第一氧化物层，沿第二栅极部分的第二面延伸的第二氧化物层，以及将第一和第二氧化物层连接到彼此的第三氧化物层；以及在第一和第二栅极部分之间的绝缘材料；其中，第一、第二和第三氧化物层每个包括氧化物材料，并且绝缘材料不包括氧化物材料。在本文中描述了其他实施例。
平面晶体管中的栅极隔离

[发明专利]具有分离的外延源极或漏极区域的相邻环栅集成电路结构-CN201910758470.7在审
发明人： L.P.古勒;B.古哈;T.贾尼;S.西瓦库马 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：描述具有分离的外延源极或漏极区域的相邻环栅集成电路结构以及用于制造具有分离的外延源极或漏极区域的相邻环栅集成电路结构的方法。例如，一种结构包括第一和第二纳米线垂直布置，第二纳米线垂直布置的纳米线具有大于第一纳米线垂直布置的纳米线的水平宽度的水平宽度。第一和第二栅极堆叠分别位于第一和第二纳米线垂直布置上。第一外延源极或漏极结构位于第一纳米线垂直布置的末端，并且第二外延源极或漏极结构位于第二纳米线垂直布置的末端。居间电介质结构位于第一外延源极或漏极结构和第二外延源极或漏极结构中的一些相邻源极或漏极结构之间。
具有分离外延区域相邻集成电路结构

[发明专利]具有全环栅器件的自对准栅极端盖（SAGE）架构-CN201910438948.8在审
发明人： B.古哈;W.徐;L.P.古勒;D.M.克鲁姆;T.加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：具有全环栅器件的自对准栅极端盖（SAGE）架构。描述了具有全环栅器件的自对准栅极端盖（SAGE）架构，以及制造具有全环栅器件的自对准栅极端盖（SAGE）架构的方法。在示例中，一种集成电路结构，包括：半导体鳍片，其在衬底上方并且具有在第一方向上的长度。纳米线在半导体鳍片上方。栅极结构在纳米线和半导体鳍片上方，栅极结构具有与第二方向上的第二端相对的第一端，所述第二方向垂直于第一方向。包括一对栅极端盖隔离结构，其中，该对栅极端盖隔离结构中的第一个与半导体鳍片的第一侧等距间隔开，同时该对栅极端盖隔离结构中的第二个与半导体鳍片的第二侧间隔开。
半导体鳍片栅极端隔离结构自对准全环架构栅极结构纳米线对栅集成电路结构等距间隔方向垂直第一端衬底制造