专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]穿体过孔衬垫沉积-CN201480079660.1在审
  • P·普里;J·康;J·Y·郑 - 英特尔公司
  • 2014-07-08 - 2017-02-22 - H01L21/60
  • 公开了用于穿体过孔衬垫结构以及在集成电路中形成这样的衬垫结构的工艺的技术。在实施例中,集成电路包括具有一个或多个穿硅过孔(TSV)的硅半导体衬底,尽管如鉴于本公开内容将意识到的,也可以使用其它穿体过孔。每个TSV延伸穿过衬底的至少一部分,例如,从衬底的一侧(例如,顶部)延伸到衬底的相对侧(例如,底部),或者从衬底的一个内部层延伸到另一个内部层。衬垫被设置在衬底与每个TSV之间。衬垫由夹在一起的相异绝缘膜(例如,拉伸膜和压缩膜)的多个交替层构成。
  • 衬垫沉积
  • [发明专利]使用二极管电压控制的功率放大器的温度补偿电路-CN200480042509.7无效
  • J·Y·郑;J·H·金 - 阿瓦戈科技韩国有限公司
  • 2004-12-02 - 2007-04-18 - H03F1/30
  • 提供了一种通过二极管电压控制的功率放大器的温度补偿电路,其中第一电阻器(Rref)、第一二极管(D1)和第二二极管(D2)串联连接于参考电压。所述温度补偿电路包括:连接于参考电压的第二电阻器(R1),串联连接于第二电阻器的第三电阻器(R2),一个端子连接于参考电压的第四电阻器(Rc),一个端子接地的第五电阻器(Re),偏置晶体管,其基极端连接于第二电阻器与第三电阻器之间的触点(VS)、集电极端连接于第四电阻器的另一个端子、且发射极端连接于第五电阻器的另一个端子,以及连接在第一二极管和第二二极管之间的串联连接端子与偏置晶体管的集电极端之间的第六电阻器(Rf)。集电极端的电压为温度的补偿而变化。
  • 使用二极管电压控制功率放大器温度补偿电路

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