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[发明专利]光伏装置及制造方法-CN201210325699.X有效
发明人： J·N·约翰逊;B·A·科雷瓦尔;T·J·索默雷尔 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：在本发明的一个方面，提供一种光伏装置。该光伏装置包括窗口层和设置在窗口层上的吸收器层，其中吸收器层包括第一区域和第二区域，第一区域邻近窗口层设置。吸收器层进一步包括第一添加剂和第二添加剂，其中第一区域中第一添加剂的浓度高于第二区域中第一添加剂的浓度，以及其中第二区域中第二添加剂的浓度高于第一区域中第二添加剂的浓度。还提供一种制造光伏装置的方法。
装置制造方法

[发明专利]用于薄膜光伏的层和由此制造的太阳能电池-CN201010545218.7无效
发明人： B·A·科尔瓦尔;Y·A·奚;F·R·艾哈迈德;J·N·约翰逊 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2010-11-04 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：提供光伏器件。该光伏器件包括吸收层，其包括p型半导体，其中至少一层设置在该吸收层之上。该至少一层是具有比该吸收层的载流子密度高的载流子密度的半导体。该至少一层包括硅。该至少一层包括p+型半导体。该吸收层基本上没有硅。提供形成该光伏器件的方法。
用于薄膜由此制造太阳能电池

[发明专利]用于在衬底上沉积多种材料的方法和系统-CN201010538504.0有效
发明人： B·A·科列瓦;F·R·艾哈迈德;J·A·德卢卡;J·N·约翰逊;J·P·勒蒙;Y·A·奚 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明涉及用于在衬底上沉积多种材料的方法和系统。提供了一种用于在衬底(100)上沉积两种或更多种材料的系统(10)。系统(10)包括一个或多个接受器(11)，该一个或多个接受器(11)构造成限定用于分别容纳至少第一材料(13)和第二材料(14)的两个或更多个凹部(12)。第一材料和第二材料(13，14)是不同的。系统(10)进一步包括一个或多个加热器，以加热第一材料(13)和第二材料(14)，以使第一材料和第二材料(13，14)升华，以便在衬底(100)上沉积。还提出了一种用于在衬底(100)上沉积两种或更多种材料的方法。
用于衬底沉积多种材料方法系统

[发明专利]用于薄膜光伏的层和由其制成的太阳能电池-CN201010159775.5无效
发明人： B·A·科列瓦尔;J·N·约翰逊;D·钟;Y·A·奚;F·R·艾哈迈德 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：提供了一种光伏装置，其包括吸收层，其中吸收层包括由晶界隔开的多个晶粒。至少一个层布置在吸收层上。吸收层包括基本上垂直于布置在吸收层上的至少一个层的晶界。多个晶粒具有小于1微米的中值晶粒直径。而且，晶粒为p型或n型。晶界包括活性掺杂剂。晶界中的活性掺杂剂浓度高于晶粒中的有效掺杂剂浓度。晶粒和晶界可为相同类型或相反类型。而且，在晶界为n型时，晶界的底部可为p型。还公开了一种制成吸收层的方法。
用于薄膜制成太阳能电池

[发明专利]绝缘涂料,它的制造方法和包括它的制品-CN200910149112.2无效
发明人： B·A·科尔瓦尔;J·N·约翰逊;T·米巴赫;H·A·布莱德斯;J·E·皮克特 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2009-06-12 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明涉及绝缘涂料，它的制造方法和包括它的制品。在这里公开的是制品，它包括金属基材10；绝缘层20，该绝缘层20在膨胀的热等离子体中被布置在金属基材10上；和半导体层40，该半导体层40被布置在绝缘层20上。在这里公开的还有方法，该方法包括：将绝缘层20布置在金属基材上；绝缘层20与金属层紧密接触；其中绝缘层20是从金属-有机前体形成的，和其中绝缘层20是在膨胀的热等离子体中沉积的；和将半导体层40布置在绝缘层上。
绝缘涂料制造方法包括制品

[发明专利]在组成上被分级的和在结构上被分级的光伏器件以及制造这种器件的方法-CN200910141996.7有效
发明人： B·A·科雷瓦尔;J·N·约翰逊;T·R·托利弗;T·C·克罗伊茨;X·张 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2009-04-30 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明涉及在组成上被分级的和在结构上被分级的光伏器件以及制造这种器件的方法。本发明描述了半导体结构，其包括半导体衬底(12)和布置在半导体衬底(12)上的半导体层(14)。该半导体层(14)同时在组成上被分级和在结构上被分级。特别地，该半导体层(14)沿着其厚度在组成上被分级从在与衬底(12)的界面(16)处为基本上本征的到相对表面(18)处为基本上掺杂的。另外，该半导体层(14)沿着其厚度在结构上被分级从在与衬底(12)的界面(16)处为基本上晶态的到相对表面(18)处为基本上非晶态的。本发明还描述了相关的方法。
组成分级在结构上器件以及制造这种方法

[发明专利]用于形成了至少一个通孔的半导体结构的方法和设备-CN200810003798.X无效
发明人： B·A·科尔瓦尔;J·N·约翰逊 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2008-01-23 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构，作为一个示范性实施例的半导体结构可以包括：具有一种导电类型的半导体衬底，其具有前表面和后表面，并包括至少一个穿过所述半导体衬底的通孔，其中，采用导电材料填充所述至少一个通孔；以及设置在所述半导体衬底的所述前表面或后表面的至少部分上的半导体层，其中，就一种或多种所选的掺杂剂而言，所述半导体层在其深度范围内是成分递变的，并且将所述导电材料配置为将所述半导体层电连接至设置在所述衬底的表面上或者上方的至少一个正面接触。
用于形成至少一个半导体结构方法设备

[发明专利]分级混合式非晶硅纳米线太阳能电池-CN200710194457.0无效
发明人： L·察卡拉科斯;J·N·约翰逊;V·马尼文南 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2007-11-15 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：在某些实施例中，本发明提供成分分级混合式纳米结构基光电器件，包括加长半导体纳米结构以及非晶半导体单层，该非晶半导体单层在其厚度上具有从基本上本征到基本上导电连续分级的掺杂浓度。在其他实施例中，本发明提供制造这种光电器件的方法，还提供采用这种器件的应用(例如，太阳能电池模块)。
分级混合式非晶硅纳米太阳能电池

[发明专利]包括所有背面接触结构的光电器件以及相关处理-CN200710126319.9无效
发明人： J·N·约翰逊;V·马尼文南 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2007-06-29 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：一种半导体结构包括一种导电类型的半导体衬底，其具有前表面和后表面。将第一非晶半导体层涂敷到前表面上；将第二和第三非晶半导体层设置在衬底的部分后表面上。第二和第三层每一个都沿其深度有组分梯度，从在与衬底的界面处的基本本征到其相反表面处的基本导电。在一些情况下，第一半导体层也有组分梯度，同时在其他情况下，其特性是本征的。半导体结构可用作太阳能电池；和包括多个这种电池的模块表示为本发明的另一实施例。也描述了用于制造光电器件的方法。
包括所有背面接触结构光电器件以及相关处理

[发明专利]对物件进行等离子体处理的装置和方法-CN200480042839.6无效
发明人： M·沙伊肯斯;C·D·伊亚科范格洛;J·N·约翰逊;W·A·莫里森 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2004-03-01 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体源(102)，其中，可以响应等离子体室(104)内的选定条件而将间隙(110)(即阴极与阳极之间距离)实时地调节为所希望的距离。至少一个传感器(116)监视并检测等离子体室(104)内的所述条件的任何变化。包括至少一个等离子体源(102)的装置(100)产生至少一种稳定的、并可实时调节的等离子体。在一个实施例中，装置(100)包括多个等离子体源(102)，可以实时地将这些等离子体源(102)“调谐”，以产生互相类似的等离子体，或者相反地，可以将它们“去调谐”，以产生不相类似的等离子体。装置(100)可用于等离子体处理(例如但不限于物件(160)的镀膜、蚀刻和激活)。也公开了提供所述等离子体以及使用所述等离子体处理物件(160)的方法。
物件进行等离子体处理装置方法

[发明专利]表面钝化的光生伏打器件-CN200610082694.3有效
发明人： V·曼尼文南;A·U·埃邦;J·－R·J·黄;T·P·费斯特;J·N·约翰逊 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2006-05-12 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：提供了一种包括光生伏打单元(12)的光生伏打器件(10)。光生伏打单元(12)包括包含结晶半导体材料的发射层(16)和邻接发射层(16)设置的轻掺杂结晶衬底(22)。轻掺杂结晶衬底(22)和发射层(16)相反地掺杂。而且，光生伏打器件(10)包括耦接至光生伏打单元(12)的背面钝化结构(14)。该结构包括邻接轻掺杂结晶衬底(22)设置的重掺杂背面场层(24)。重掺杂背面场层(24)包括非晶或微晶半导体材料，其中重掺杂背面场层(24)和轻掺杂结晶衬底(22)相同地掺杂，以及其中重掺杂背面场层(24)的掺杂水平比轻掺杂结晶衬底(22)的掺杂水平高。另外，该结构还可包括邻接轻掺杂结晶衬底(22)设置的本征背面钝化层(26)，其中本征背面钝化层(26)包括非晶或微晶半导体材料。
表面钝化光生伏打器件

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