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[发明专利]具有激光激活的吸气剂材料的传感器元件-CN201680071579.8有效
发明人： J·赖因穆特;A·布赖特林;J·弗莱;E·格拉夫;M·阿梅托沃布拉 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提出一种用于制造微机械结构元件的方法，该微机械结构元件具有衬底和与衬底连接并且与衬底包围第一空穴的罩，其中，在第一空穴中存在第一压力并且包含具有第一化学组分的第一气体混合物，其中，在第一方法步骤中，在衬底中或在罩中构造连接第一空穴与微机械结构元件的周围环境的进入开口，其中，在第二方法步骤中，设定在第一空穴中的第一压力和/或第一化学组分，其中，在第三方法步骤中，通过借助于激光将能量或热量引入到衬底或罩的吸收部分中来封闭进入开口，其中，在时间上在所述第三方法步骤之前将用于进一步设定第一压力和/或第一化学组分的可逆吸气剂引入到第一空穴中。
具有激光激活吸气材料传感器元件

[发明专利]具有不同罩材料的激光再封装-CN201611114288.0有效
发明人： A·布莱特林;F·赖兴巴赫;J·弗莱;J·莱茵穆特;J·阿姆托尔 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明提出用于制造微机械构件的方法，具有衬底和与衬底连接且与衬底包围第一空穴的罩，在第一空穴中存在第一压力且包含具有第一化学组分的第一气体混合物，‑第一方法步骤中，在衬底或罩中构造连接第一空穴与微机械构件周围环境的进入开口，‑第二方法步骤中，调节第一空穴中的第一压力和/或第一化学组分，‑第三方法步骤中，通过借助激光将能量或热量引入衬底或罩的吸收部分来封闭进入开口，其特征在于，‑第四方法步骤中，第一晶体层或第一无定型层或第一纳米晶体层或第一多晶体层在衬底或罩表面上沉积或生长，‑第五方法步骤中，提供包括第二晶体层和/或第二无定型层和/或纳米晶体层和/或第二多晶体层的衬底或者罩。
具有不同材料激光封装

[发明专利]用于加工衬底的设备-CN201610082140.7有效
发明人： F·赖兴巴赫;J·弗莱;M·阿梅特沃布拉;P·卡佩;J·巴茨;J·赖因穆特;J·阿姆托尔 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种用于加工衬底的设备(100)，所述设备具有：‑至少一个真空腔室(10)，在所述至少一个真空腔室中能够调节限定的气压；‑用于加热所述衬底的加热装置；以及‑布置在所述真空腔室(10)之外的激光器装置(20)，其中，所述激光器装置(20)相对于所述衬底可运动，其中，借助所述激光器装置(20)能够通过熔化衬底材料封闭布置在所述真空腔室(10)中的衬底的至少一个空腔。
用于加工衬底设备

[发明专利]区块链随机计时器事务同步-CN201980028141.5在审
发明人： J·弗莱;C·彭尼;J·J·德马雷斯特;M·伯根戴尔;J·温;C·沃斯基威克斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G06F9/52 文献下载
摘要：一种计算机实现的方法，包括：在区块链网络中生成区块解决方案；响应于生成的区块解决方案，从区块链网络向次级网络提供随机定时信号；以及根据随机定时信号触发次级网络的一个或多个过程中的一个或多个事件。
区块随机计时器事务同步

[发明专利]具有机械结构增强的垂直存储单元-CN201980007407.8在审
发明人： A·杨;李忠浩;E·马泰弗;J·弗莱;林政毅;B·比亚尼;沈章焕 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：提供一种增强的垂直NAND结构。所述增强的垂直‑NAND结构包括形成为第一和第二垂直结构的第一组交错的氧化物和氮化物层。所述第一垂直结构从衬底的第一部分升高，并且所述第二垂直结构从所述衬底的第二部分升高。所述增强的垂直‑NAND结构还包括增强层以及形成为第三和第四垂直结构的第二组交错的氧化物和氮化物层。所述增强层包括彼此分开且横跨所述第一和第二垂直结构的各个顶部的片材，以及连接所述片材的桥。
具有机械结构增强垂直存储单元

[发明专利]微机械装置和用于制造微机械装置的方法-CN201911315373.7在审
发明人： E·格拉夫;H·伦普夫;J·弗莱;J·莱茵穆特;K-U·里曹;A·布莱特林 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微机械装置，其具有硅基底(100)，硅基底具有置于硅基底上的氧化物层(200)和置于氧化物层上的微机械功能层(300)，它们平行于主延伸平面(10)延伸，其中，至少在微机械功能层(300)和氧化物层(200)中构造空穴(320)。本发明的核心在于，在氧化物层(200)和/或微机械功能层(300)中构造入口通道(250)，入口通道从空穴(320)开始平行于主延伸平面(10)延伸并且在此在垂直于主延伸平面(10)的投影方向(20)上看延伸到空穴(320)外部的入口区域(400)中。本发明还涉及一种用于制造微机械装置的方法。
微机装置用于制造方法

[发明专利]用于制造具有电覆镀通孔的构件的方法-CN201310414868.1有效
发明人： J·莱茵穆特;J·弗莱;Y·贝格曼 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：描述一种用于制造具有电覆镀通孔(110)的部件(300)的方法，其中所述方法包括以下步骤：‑提供具有前侧(101)和与所述前侧(101)相反对置的背侧(102)的半导体衬底(100)，‑在所述半导体衬底(100)的所述前侧(101)上产生环形包围接触区域(103)的绝缘沟槽(121)，‑在所述绝缘沟槽(121)中施加绝缘材料(122)，‑在所述半导体衬底(100)的所述前侧(101)上通过去除所述接触区域(103)中被所述绝缘沟槽(121)包围的半导体材料(104)产生接触孔(111)，以及‑在所述接触孔(111)中沉积金属材料(114)。
用于制造具有电覆镀通孔构件方法

[发明专利]用于制造用于MEMS构件的罩的方法和具有这样的罩的混合集成部件-CN201310507867.1有效
发明人： J·克拉森;A·弗兰克;J·弗莱;H·韦伯;F·菲舍尔;P·韦尔纳 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2013-10-24 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明提出一种用于罩的制造方法，通过所述方法在具有MEMS构件的垂直混合集成部件的框架中不仅可以实现具有低空穴内压的相对较大的空穴容积而且可以实现MEMS构件的微机械结构的可靠过载保护。按照本发明，在多级的各向异性的刻蚀工艺中在面状的罩衬底中产生罩结构，所述罩结构包括至少一个装配框和罩内侧上的至少一个止挡结构，所述至少一个装配框具有至少一个装配面，所述至少一个止挡结构具有至少一个止挡面，其中，对于多级的各向异性的刻蚀工艺以至少两个由不同材料构成的掩蔽层掩蔽罩衬底的表面；其中，如此选择至少两个掩蔽层的布局和刻蚀步骤的数量和持续时间，使得装配面、止挡面和罩内侧位于罩结构的不同的面水平上。
用于制造 mems 构件方法具有这样混合集成部件

[发明专利]具有敷镀通孔的器件及其制造方法-CN201180026916.9有效
发明人： J·贡斯卡;R·施洛瑟;J·弗莱;H·韦伯;E·格拉夫 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2011-04-13 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：建议了一种用于实现器件中的在电方面非常可靠且在机械方面极其稳定的敷镀通孔的有利可能性，其功能在导电衬底(100)上的层结构中实现。引导到器件背侧的用于与在层结构中实现的功能元件(18)电接通的覆镀通孔(垂直互连通道VIA)(3)包括衬底(100)中的连接区域，所述连接区域在整个衬底厚度上延伸并且通过同样在整个衬底厚度上延伸的沟槽状绝缘框架(2)相对于邻接的衬底(100)电绝缘。根据本发明，所述沟槽状绝缘框架(2)以电绝缘的聚合物(21)填充。
具有敷镀通孔器件及其制造方法

[发明专利]晶片级封装形式的部件及其制造方法-CN201410270139.8有效
发明人： H·韦伯;H·屈佩尔斯;J·弗莱;J·赖因穆特;N·戴维斯 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：提出一种基于晶片级的用于垂直混合集成部件的封装方案，其能够实现各个部件元件和整个部件的简单且低成本的电接通。因此，实现晶片级封装形式的部件(100)，其具有至少两个相互重叠地装配的构件衬底(110，120)和一个浇注的、上方的、由电绝缘的浇注材料构成的封闭层(30)，其中在上侧上通过至少一个接触凸柱(24)实现所述部件(100)的外部电接通，所述接触凸柱嵌入所述封闭层(30)中，从而所述接触凸柱的下端与一个构件衬底(110)的布线层(114)连接，而所述接触凸柱的上端在所述封闭层(30)的表面中暴露。
晶片封装形式部件及其制造方法

[发明专利]微机械结构元件和用于制造微机械结构元件的方法-CN201410418243.7有效
发明人： J·弗莱;J·赖因穆特 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： G01C19/5769 文献下载
摘要：本发明涉及微机械结构元件，具有一具有主延伸平面的衬底、沿第一平面扁平延伸的第一电极、沿第二平面扁平延伸的第二电极和沿第三平面扁平延伸的第三电极，第一、第二和第三平面平行于主延伸平面定向且沿与主延伸平面垂直的法线方向间隔地相叠布置，微机械结构元件具有能偏移的质量元件，其不仅能平行也能垂直于主延伸平面偏移，第二电极与质量元件抗相对运动地连接且在静止位置中沿与法线方向平行的投影方向具有与第一电极的第一重叠区域并且沿与投影方向平行的投影方向具有与第三电极的第二重叠区域，质量元件沿第三平面扁平延伸，质量元件具有沿第三平面扁平延伸且平行于法线方向完全穿过质量元件延伸的凹部，第三电极至少部分地布置在凹部中。
微机结构元件用于制造方法

[发明专利]微机械传感器设备-CN201410613568.0有效
发明人： J·弗莱;A·克尔布尔;J·赖因穆特;J·克拉森 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2014-11-04 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种微机械传感器设备(100)，其具有：一个未经封装的第一传感器装置(10)；和至少一个未经封装的第二传感器装置(20)，其中，所述传感器装置(10、20)相互在功能上连接，其中，所述传感器装置(10、20)基本上垂直地如此相叠地设置，使得在基面方面较大的传感器装置(10)完全覆盖在基面方面较小的传感器装置(20)。
传感器装置微机械传感器基面封装第二传感器装置第一传感器装置垂直地

[发明专利]具有两个半导体构件的部件和用于制造两个半导体构件之间的键合连接的方法-CN201510306060.0有效
发明人： C·谢林;J·弗莱;R·赖兴巴赫;A·皮格勒尼耶 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2015-06-05 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：为了在两个半导体构件(10，20)的连接时实现具有不同的内部压力的腔(21，22)而提出，结构化所述两个待连接的构件表面中的至少一个，使得至少一个环绕的键合框区域相对于至少一个另外的环绕的键合框区域凹入或凸出。然后，应施加至少一个连接层到所述经结构化的构件表面上并且在所述构件表面的不同表面水平上由所述连接层结构化出至少两个环绕的键合框(31，32)。构件表面中的如此实现的表面轮廓能够实现顺序键合，其中，能够相继地在所述两个构件(10)之间严密密封地封闭多个腔(21，22)，使得在所述腔(21，22)的每一个中存在限定的内部压力。
具有两个半导体构件之间构造至少严密密封部件用于制造相应连接方法

[发明专利]混合集成部件-CN201310756912.7有效
发明人： J·克拉森;A·弗兰克;J·弗莱;H·韦伯;F·菲舍尔;P·韦尔纳;M·哈塔斯;D·C·迈泽尔 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：提出用于具有至少一个MEMS构件(10)并且具有至少一个由半导体材料制成的罩(20)的部件(100)的措施，通过所述措施能够使得所述罩(20)除其作为空腔的封闭和微机械结构的保护的机械功能之外，配备有电功能。这种部件(100)的MEMS构件(10)的微机械结构设置在载体(1)与所述罩(20)之间的空腔中，并且包括至少一个结构元件(11)，所述至少一个结构元件能够在空腔内从构件层面向外偏转。根据本发明，所述罩(20)应包括至少一个在所述罩(20)的整个厚度上延伸的区段(21，22)，所述至少一个区段与相邻的半导体材料电绝缘，使得其能够与所述罩(20)的其余区段无关地电接通。
混合集成部件

[发明专利]具有穿通接触部的ASIC构件-CN201410275934.6有效
发明人： H·韦伯;H·屈佩尔斯;J·弗莱;J·赖因穆特;N·戴维斯 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于ASIC构件中的穿通接触部的实现方案，所述ASIC构件能够简单地集成在ASIC衬底的CMOS工艺中。所述ASIC构件(120)具有有效的前侧，在所述有效的前侧中实现电路功能(20)。所述至少一个穿通接触部(15)应建立所述有效的前侧与所述构件背侧之间的电连接。根据本发明，在前侧通过至少一个完全填充的前侧沟槽(151)限定所述穿通接触部(15)，而在背侧通过至少一个没有完全填充的背侧沟槽(154)限定所述穿通接触部。所述背侧沟槽(154)通到经填充的前侧沟槽(151)中。
穿通填充背侧沟槽电路功能电连接衬底

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