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[发明专利]电镀金属化结构-CN201811342215.6有效
发明人： J·库比克;B·P·斯滕森;M·N·莫里塞 -专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：本公开涉及电镀金属化结构。所公开的技术一般涉及通过电镀形成用于集成电路器件的金属化结构，更具体地说，涉及比用于限定金属化结构的模板更厚的金属化结构。在一方面，一种金属化集成电路器件的方法包括：在通过第一掩模层形成的第一开口中在基板上电镀第一金属，其中第一开口限定基板的第一区域，并且在通过第二掩模层形成的第二开口中在基板上电镀第二金属，其中第二开口限定基板的第二区域。第二开口比第一开口宽，并且第二区域包括基板的第一区域。
电镀金属化结构

[发明专利]电流或电容隔离器的成形金属边缘-CN202310165673.1在审
发明人： M·T·坎蒂;S·迪亚哈姆;J·库比克;P·M·拉姆伯金;陈宝兴;Y·原;J·G·沙纳汉 -专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本公开涉及电流或电容隔离器的成形金属边缘。所公开的技术一般涉及用于通过电镀形成的集成电路器件的光刻限定的导线，更具体地，涉及成形为减小集成和单片变压器和隔离器的导线周围的电场分布中的电场大小的导线。
电流电容隔离器成形金属边缘

[发明专利]磁传感器封装-CN202180038019.3在审
发明人： A·里查德;M·米勒-奥尔曼;P·托格;M·杜特;J·库比克;J·奥多德;E·尼科尔;S·奥布莱恩;J·施密特;R·古优乐;C·诺;C·吉列斯;B·欧玛拉;W·王 -专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01R33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种磁传感器封装，包括磁多匝传感器管芯和磁单匝传感器管芯，其中两个传感器管芯封装在同一引线框上。本公开还提供了一种制造磁传感器封装的方法。本公开还提供了一种磁传感器系统，其包括旋转磁体和磁传感器封装，其中传感器封装被布置成使得两个传感器管芯位于均匀磁场内，从而确保每个传感器的输出信号不被任何杂散场破坏。
传感器封装

[发明专利]验配助听器增益的方法以及助听器验配系统-CN202180018199.9在审
发明人： J·凯蒂克;A·V·丹斯加德;S·A·卡波拉利;J·库比克 -专利权人：唯听助听器公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H04R25/00 文献下载
摘要：适合于考虑通气孔效应的验配助听器增益(100)的方法。本发明还涉及适合于进行所述方法的助听器验配系统。
助听器增益方法以及系统

[发明专利]包括磁性结构的设备、系统和方法-CN202210175180.1在审
发明人： A·J·奥唐奈;R·古优乐;M·J·玛提纳斯;J·库比克;P·L·菲兹格拉德;J·卡尔皮玛拉维拉;M·P·林奇;E·E·英格列斯 -专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本公开涉及包括磁性结构的设备、系统和方法。磁性设备可以包括磁结构、设备结构和相关联的电路。磁性结构可以包括具有预定磁性的图案化材料层。图案化层可以被配置为例如提供磁场、感测磁场、通道或集中磁通量，从磁场屏蔽组件或提供磁致动运动等。设备结构可以是该物理连接到磁性结构或相对于磁性结构布置以例如在结构上支撑的另一结构，以实现磁性结构的操作或以其它方式结合到磁性设备等中。相关联的电路可以电连接到磁性结构，以接收、提供、调节或处理磁性设备的信号。
包括磁性结构设备系统方法

[实用新型]巨型磁阻元件和磁性多匝传感器-CN202121137772.1有效
发明人： J·施密特;C·P·欧达赖;M·塔雷克萨曼;O·N·乌尔;J·库比克;E·拉格 -专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本公开涉及巨型磁阻元件和磁性多匝传感器。巨型磁阻元件用于磁性多匝传感器，该巨型磁阻元件包括：参考层；与所述参考层相邻的非磁性层；和铁磁性材料的自由层，其中该自由层包括与所述非磁性层相邻的铁磁性材料的第一层、和至少包括多个第一材料层和多个第二材料层的多层布置，所述第一材料是铁磁性的。
巨型磁阻元件磁性传感器

[发明专利]监测磁性传感器的方法-CN202110588886.6在审
发明人： P·J·唐吉;M·杜特;J·库比克;J·施密特;E·拉格 -专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本公开提供了一种监测磁场的方法，其中磁性传感器在其中工作以确保传感器在其限定的磁窗内工作。所述方法包括：测量位于所述外部磁场附近的另一个磁性传感器的信号；基于测量的信号确定所述外部磁场的磁场强度；和确定所述外部磁场的磁场强度是否在所述第一磁性传感器的操作窗口内。例如，该方法使用多匝传感器或与多匝传感器结合使用的某种其他磁阻传感器(例如，磁性单匝传感器或第二多匝传感器)的传感器输出，以监测工作磁场。
监测磁性传感器方法

[发明专利]用于磁芯的通孔以及相关系统和方法-CN201810593926.4有效
发明人： J·库比克;B·P·斯坦森;M·N·莫里塞 -专利权人：亚德诺半导体无限责任公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01F27/24 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于磁芯的通孔以及相关系统和方法。提供了在磁芯内制造低损耗磁通孔的技术。根据一些实施方案，具有小的、明确定义的尺寸的通孔可以在不依赖于精确对准层的情况下制造。根据一些实施方案，可以将包括低损耗磁通孔的磁芯包裹在电感器的导电线圈周围。低损耗磁通孔可以通过改善相对于更高损耗磁通孔的品质因数来改善电感元件的性能。
用于以及相关系统方法

[发明专利]磁场检测器-CN201710179177.6有效
发明人： J·施密特;J·库比克 -专利权人：亚德诺半导体集团
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本公开涉及磁场检测器。本装置和方法使用磁阻元件提供象限、角度或距离的感测。象限或角度传感器可以具有分离成多个角度的磁阻元件，以产生具有减少谐波的输出。距离传感器可以具有分开和间隔开的磁阻元件，以产生具有减少谐波的输出。偏置导体可以交替地携带用于DC偏移补偿或消除的不同的电流量(在大小或方向中的至少一个上不同)。
磁场检测器

[发明专利]磁场检测器的偏移补偿-CN201710178371.2有效
发明人： J·施密特;J·库比克 -专利权人：亚德诺半导体集团
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本公开涉及磁场检测器的偏移补偿。本装置和方法使用磁阻元件提供象限、角度或距离的感测。象限或角度传感器可以具有分离成多个角度的磁阻元件，以产生具有减少谐波的输出。距离传感器可以具有分开和间隔开的磁阻元件，以产生具有减少谐波的输出。偏置导体可以交替地携带用于DC偏移补偿或消除的不同的电流量(在大小或方向中的至少一个上不同)。
磁场检测器偏移补偿

[发明专利]薄膜磁阻器件以及单片集成电路-CN201610995575.0有效
发明人： J·库比克;S·P·威斯顿;P·M·朵兰 -专利权人：亚德诺半导体集团
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明公开用于集成电路的薄膜电阻设备，包括薄膜电阻设备的集成电路。如薄膜电阻传感器通常包括多个电阻元件。这些部件应当良好匹配，以便传感器提供准确的读数。当传感器结合在集成电路内时，电阻元件可以形成在形成其它部件的一部分的金属迹线上方或下方。结果，薄膜电阻部件经受不同水平的应力。本公开提供了一种被布置为减轻应力的影响的结构。
薄膜磁阻器件以及单片集成电路

[发明专利]用于确定可移动物体的位置的系统、电路和方法-CN201610402339.3有效
发明人： J·C·玛拉维拉;R·古优乐;K·巴利基;E·E·英格列斯;A·J·奥唐奈;M·J·玛提纳斯;J·库比克 -专利权人：亚德诺半导体集团
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： G01D5/12 文献下载
摘要：本申请涉及用于确定可移动物体的位置的系统、电路和方法。位置感测系统的实施例包括：信号发生电路，以根据预定的特征信号产生激励信号；驱动电路，以使用激励信号驱动激励源；输入电路，在驱动激励源的同时接收传感器输出；信号检测电路，以识别对应于所述特征信号的传感器输出的分量；和控制电路，以从传感器输出的所识别分量的分析，确定可移动物体的位置。定位系统可包括电子照相机，其中所述可移动物体可以是透镜。所述激励源可以是导电线圈，所述激励是磁场，以及该传感器是磁阻传感器。可替代地，所述激励源可以是光学激励源，所述激励是光激励，以及传感器是光学传感器。
用于确定移动物体位置系统电路方法

[发明专利]用在集成电路的电感组件，形成部分集成电路的变压器和电感器-CN201510377927.1有效
发明人： J·库比克 -专利权人：亚德诺半导体集团
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：诸如变压器的电感组件可以通过包括磁芯得以改进。然而，如果磁芯进入磁饱和，具有磁芯的优势将丢失。避免饱和的一种方式是提供较大的磁芯，但这在集成电路的环境中是昂贵的。本发明人认识到，磁通密度随着集成电路中磁芯的位置而改变，使得部分磁芯比其他部分更早地饱和。这样降低磁芯的最终性能。本公开提供了延迟早期饱和开始的结构，使得变压器处理更大功率。
集成电路电感组件形成部分变压器电感器

[发明专利]磁场方向检测器-CN201310486346.2有效
发明人： J·库比克 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2013-10-17 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明涉及磁场方向检测器，公开了一种用于检测磁通量是否具有来自检测轴的第一侧或第二侧的场分量的磁场方向检测器；所述磁场方向检测器包括第一磁阻传感器；和扰动产生器；其中所述扰动产生器造成外部磁场受扰动而造成磁通量的视向在第一磁阻传感器处改变角度θ1。
磁场方向检测器

[发明专利]磁场方向传感器-CN201410285925.5有效
发明人： J·库比克 -专利权人：亚德诺半导体集团
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明涉及磁场方向传感器。一种磁方向传感器包括磁阻元件的第一阵列，所述阵列具有第一阵列主方向，而且其中磁阻元件中的一些但不是所有被完全地或者部分地布置成相对于主方向的第一角度，而且剩余元件也相对于主方向倾斜。
磁场方向传感器

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