“H·雷辛格”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于轴流式压缩机的进口接管-CN200880127166.2有效
发明人： C·兰奇;H·雷辛格;F·艾纳乔格卢;D·安丁;K-H·德雷耶 -专利权人：曼柴油机和涡轮机欧洲股份公司
申请日： 2008-11-03 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： F04D29/52 文献下载
摘要：一种用于轴流式压缩机、尤其是涡轮压缩机的进口接管，包括进口壳体(1)，在该进口壳体(1)中布置有带有用于转子的轴承(3)、尤其是径向轴承和/或轴向轴承的轴承壳体(2)，其中，轴承壳体(2)通过入口撑条(4)与进口壳体(1)相连接，入口撑条(4)在正横截面中与进口壳体相连接。轴承(3)的轴承中心在待压缩流体的流动方向上轴向上至少以正横截面的弦长的0.1倍、尤其地至少以其0.15倍、尤其地至少以其0.2倍、尤其地至少以其0.25倍而布置在正横截面的面中心之后。额外地或备选地，在入口撑条(4)中构造有流体通道(5，6)，其中，流体通道(5，6)至少部分段地与相对于进口接管的纵轴线而言的法平面构成锐角。
用于轴流压缩机进口接管

[发明专利]存储器单元装置及其制造方法-CN99804414.8无效
发明人： H·雷辛格 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 1999-03-17 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器单元装置，根据本发明多个存储器单元存在于半导体衬底(10)的主表面区，其中每个存储器单元各包含至少一个具有源极(29)、栅极(WL1或WL2)和漏极(60)的MOS晶体管，存储器单元主要按照平行存储器单元行的方式安排，其中相邻的存储器单元的行通过一条绝缘沟(20)彼此绝缘，并且相邻的存储器单元行各自至少包含一条位线(60)，并且两相邻存储器单元行的位线(60)彼此相向取向。根据本发明这种存储单元装置是这样设计安排的，使绝缘沟(20)比位线(60)更深地延伸入半导体衬底(10)内，并且至少有源极(29)和/或漏极的部分区域在绝缘沟下。此外，本发明还涉及这种存储器单元装置的一种制造方法。
存储器单元装置及其制造方法

[发明专利]存储器单元装置及其制造方法-CN97180720.5有效
发明人： F·霍夫曼;J·维勒;H·雷辛格;P·－W·冯巴斯;W·克劳特施内德 -专利权人：西门子公司
申请日： 1997-11-20 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供存储器单元装置及其制造方法，这种存储器单元装置：在半导体基片(11)配置多个存储器单元行，相邻存储器单元各行互相绝缘，存储器单元各行在起端和终端只分别具有一个第一掺杂区(D1)相应于源/漏区和一个第二掺杂区(D2)相应于源/漏区，此两个掺杂区之间在半导体基片(11)的主面上配置栅极电介质(15，18)和多个相邻配置的栅极(WL1，WL2)，其中栅极电介质包含一种具有载流子俘获陷阱的材料，相邻栅极(WL1，WL2)的间距小于栅极(WL1，WL2)的尺寸，其中栅极(WL1，WL2)平行于第一掺杂区(D1)和第二掺杂区(D2)之间的连接线。
存储器单元装置及其制造方法

[发明专利]存储器单元装置及其制造方法-CN99101090.6无效
发明人： H·雷辛格;W·克劳特施奈德;R·斯藤格尔;J·韦勒;F·霍夫曼 -专利权人：西门子公司
申请日： 1999-01-15 - 公布日： 2003-08-20 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种存储器单元装置包括三维布置的各晶体管。在此各垂直MOS晶体管是布置在半导体接片的各侧壁上的，在此在每个侧壁上相叠地布置了多个晶体管。这些在侧壁上相叠地布置的各晶体管是串联的。
存储器单元装置及其制造方法

[发明专利]铁电体晶体三极管及其在存储单元装置中的应用-CN00813472.3有效
发明人： R·斯坦格尔;H·雷辛格;T·汉德;H·巴奇霍弗 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2000-09-29 - 公布日： 2002-10-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的半导体衬底(11)上彼此相挨地排列着第一源漏区(121)、沟道区(13)和第二源漏区(122)。一个电介质层(14)至少覆盖了该沟道区的表面和第一源漏区的大部分。上述电介质层的表面上两个极化电极(16、18)之间具有一铁电机体层(17)。一个栅电极就位于此电介质层表面上。所述电介质层厚度尺寸的确定,要使得位于两个极化电极之间并与它们对齐的铁电体层的剩余的极化强度,能够在所述沟道区的一个部分中产生出补偿电荷来。这种铁电体晶体三极管适宜在一个存储单元装置中用作存储单元。
铁电体晶体三极管及其存储单元装置中的应用