“H·克拉莫”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果13个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于过滤图像的方法和相关联的量测设备-CN202080065378.3在审
发明人： A·E·A·科伦;J·克鲁泽;N·梅塔;帕特里克·华纳;V·T·滕纳;P·A·J·廷尼曼斯;H·克拉莫 -专利权人： ASML控股股份有限公司;ASML荷兰有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：披露了一种用于在衬底的包括目标结构的至少一部分的区域上进行量测测量的方法。所述方法包括：接收表示由所述区域所散射的辐射的一部分的辐射信息；以及在傅里叶域中使用滤波器以用于移除或抑制所接收的辐射信息的、与已由所述目标结构散射的辐射不相关的至少一部分，以用于获得用于所述量测测量的经滤波的辐射信息，其中所述滤波器的特性基于与所述目标结构相关的目标信息。
用于过滤图像方法相关设备

[发明专利]用于评价结构的所感兴趣的参数的值的重构品质的方法和检验设备以及计算机程序产品-CN201480044273.4有效
发明人： S·I·马萨瓦特;H·克拉莫;W·J·格鲁特吉恩斯;A·范李斯特 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2014-08-05 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：用于评价结构的所感兴趣的参数的值的重构品质的方法和检验设备以及计算机程序产品，其可以应用于例如显微结构的量测中。重要的是重构提供结构的所感兴趣的参数(例如，CD)的值，当重构值被用于监测和/或控制光刻过程时所述值是精确的。这是一种通过使用结构的参数的重构值预测(804)结构的所感兴趣的参数的值并且通过对比(805)所感兴趣的参数的预测值和所感兴趣的参数的重构值来评价结构的所感兴趣的参数的值的重构(803)品质的方法，其不需要使用扫描电子显微镜。
用于评价结构感兴趣参数品质方法检验设备以及计算机程序产品

[发明专利]检查方法及设备、光刻系统以及器件制造方法-CN201380039089.6有效
发明人： H·克拉莫;R·索哈;P·蒂纳曼斯;J-P·拉森 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2013-06-18 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种检查方法确定了衬底图案的轮廓参数的值。制造具有基准图案目标(BP)的基准衬底，其具有由例如CD(中间临界尺寸)、SWA(侧壁角)和RH(抗蚀剂高度)等轮廓参数所描述的轮廓。散射量测用于获得来自第一和第二目标的第一和第二信号。微分图案轮廓参数的值通过使用贝叶斯微分成本函数基于基准光瞳和受扰光瞳之间的差并且光瞳对图案轮廓参数的依赖性来计算。例如，测量基准过程和受扰过程之间的差，用于光刻过程的稳定控制。正向反馈微分叠层参数也由与图案目标相同的衬底上的叠层目标的观测来计算。
检查方法设备光刻系统以及器件制造

[发明专利]检验方法和设备、光刻设备、光刻处理单元和器件制造方法-CN201510113206.X在审
发明人： H·克拉莫;P·海恩 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及检验方法和设备、光刻设备、光刻处理单元和器件制造方法。为了确定曝光设备是否输出正确的辐射剂量以及曝光设备的投影系统是否正确地聚焦辐射，在掩模上使用测试图案、用于印刷特定标记到衬底上。这种标记可以通过例如散射仪等检验设备测量以确定是否在焦距、剂量和其他相关性质中存在误差。这种测试图案布置成使得焦距和剂量中的改变可以容易地通过测量使用掩模曝光的图案的性质而确定。掩模的测试图案布置成使得其产生衬底表面上的标记图案。标记图案包含具有至少两个可测量的侧壁角度的结构。结构的侧壁角度之间的不对称与来自曝光设备的曝光辐射的聚焦(或散焦)相关。散焦的程度由此通过测量印刷的标记图案结构的侧壁角度中的不对称而确定。
检验方法设备光刻处理单元器件制造

[发明专利]衬底上结构的测量-CN201180027375.1有效
发明人： M·埃本;H·克拉莫;N·莱特;R·埃尔瓦埃森切兹;M·斯拉伯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2011-05-03 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：衍射模型和散射仪用于重构衬底上的显微结构(30)的模型。限定多个备选结构，每个通过多个参数(p1、p2等)表示。通过模拟所述备选结构中的每一个的照射来计算多个模型衍射信号。通过将一个或更多个所述模型衍射信号与由结构(30)检测的信号拟合来重构所述结构。在备选结构的生成过程中，使用模型选配方案，其中参数被指定为固定的或可变的。在可变参数当中，特定参数被约束以根据特定约束(A)，例如线性约束，一起变化。通过参照用于指定一个或更多个对测量感兴趣的参数的用户输入(988)并通过模拟重构过程重构来确定约束(990)的优化组，并因此确定优化的模型选配方案(994)。使用多个备选模型选配方案通过模拟参考结构的组(984)的重构的“参数顾问”过程(986)可以确定优化的模型选配方案。在生成参考结构的过程中，限制可以被应用(985)以排除“不现实”的参数组合。
衬底结构测量

[发明专利]用于确定衬底上的对象的近似结构的方法、检验设备以及衬底-CN201080045674.3有效
发明人： H·克拉莫;H·麦根斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2010-09-13 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G03F1/84 文献下载
摘要：一种通过重构确定衬底上的对象的近似结构的系统和方法。其可以被应用于例如显微结构的基于模型的量测中，例如以便估计光刻设备的重叠性能或临界尺寸(CD)。散射仪被用以确定对象的近似结构，例如衬底上的叠层上的光栅。晶片衬底具有上层和下层。衬底包括第一散射测量目标区域，包括叠层对象上的光栅。叠层上的光栅由上层和下层构成。上层被图案化具有周期性光栅。衬底还具有相邻的第二散射测量目标区域，其中没有上层。第二区域仅具有未图案化的下层。
用于确定衬底对象近似结构方法检验设备以及

[发明专利]量测方法和设备、光刻系统以及光刻处理单元-CN201080034105.9有效
发明人： H·克拉莫;A·邓鲍夫;H·麦根斯;H·斯米尔德;A·斯盖勒肯斯;M·库比斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2010-07-27 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：在确定在光刻过程中使用的光刻设备在衬底上的聚焦量的方法中，光刻过程被用于在衬底上形成结构，所述结构具有至少一个特征，所述至少一个特征在所印刷的轮廓中具有作为光刻设备在衬底上的聚焦量的函数而变化的不对称度。周期结构的第一图像在用第一辐射束照射所述结构的同时被形成和检测，使用非零级衍射辐射的第一部分形成所述第一图像。周期结构的第二图像在用第二辐射束照射所述结构的同时被形成和检测。使用非零级衍射辐射的与衍射光谱中的第一部分对称地相对的第二部分形成所述第二图像。测量的光谱的第一部分和第二部分强度的比值被确定并且用以确定周期结构的轮廓中的不对称度和/或提供衬底上的聚焦量的指示。在相同仪器中，跨过被检测部分的强度变化被确定为跨过结构的过程引起的变化的测量。结构的具有不期望的过程变化的区域可以被识别并且被排除到结构测量之外。
方法设备光刻系统以及处理单元

[发明专利]用于光刻技术的检查方法-CN201080020718.7有效
发明人： A·邓鲍夫;H·克拉莫;P·海恩 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2010-05-04 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种方法用以确定在衬底上的光刻工艺中使用的光刻设备的聚焦。光刻工艺用以在衬底上形成至少两个周期结构。每个结构具有至少一个特征，所述至少一个特征具有以衬底上的光刻设备的聚焦的不同函数变化的、在相对的侧壁角之间的不对称度。测量通过引导辐射束到至少两个周期结构上而产生的光谱，并确定不对称度的比值。使用所确定的比值以及每一个特征的聚焦和侧壁不对称度之间的关系以确定衬底上的聚焦。
用于光刻技术检查方法

[发明专利]检验方法和设备、光刻设备、光刻处理单元和器件制造方法-CN200980153558.0无效
发明人： H·克拉莫;P·海恩 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：为了确定曝光设备是否输出正确的辐射剂量以及曝光设备的投影系统是否正确地聚焦辐射，在掩模上使用测试图案、用于印刷特定标记到衬底上。这种标记可以通过例如散射仪等检验设备测量以确定是否在焦距、剂量和其他相关性质中存在误差。这种测试图案布置成使得焦距和剂量中的改变可以容易地通过测量使用掩模曝光的图案的性质而确定。掩模的测试图案布置成使得其产生衬底表面上的标记图案。标记图案包含具有至少两个可测量的侧壁角度的结构。结构的侧壁角度之间的不对称与来自曝光设备的曝光辐射的聚焦(或散焦)相关。散焦的程度由此通过测量印刷的标记图案结构的侧壁角度中的不对称而确定。
检验方法设备光刻处理单元器件制造

[发明专利]使用二维目标的光刻聚焦和剂量测量-CN200980138923.0有效
发明人： C·李维斯;H·克拉莫;M·范德克尔克霍夫;J·奎达克尔斯;C·马特兹尤斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2009-10-02 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：为了确定曝光设备是否输出正确的辐射剂量以及其投影系统是否正确地聚焦辐射，在掩模上使用测试图案用于将特定标记印刷到衬底上。然后通过例如散射仪等检查设备测量该标记，以确定焦距和剂量以及其他相关性质是否存在误差。测试图案配置成使得焦距和剂量的这种改变可以容易地通过测量使用掩模曝光的图案的性质来确定。测试图案可以是二维图案，其中物理或几何性质，例如节距，在两个维度的每一个上是不同的。测试图案还可以是一维的图案，其由一维的结构的阵列构成，该结构由至少一个亚结构构成，该亚结构与焦距和剂量不同地相互作用并给出可以确定焦距和剂量的曝光图案。
使用二维目标光刻聚焦剂量测量

[发明专利]除草剂－安全剂组合物-CN200580009946.3无效
发明人： M·希尔斯;C·罗辛格尔;E·哈克;H·克拉莫;U·比克斯;F·齐默;C·瓦尔德拉夫;H·迪特里希;L·威尔姆斯;D·福伊希特;K－H·米勒;U·菲利普 -专利权人：拜尔作物科学有限公司
申请日： 2005-03-12 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： A01N47/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种除草剂－安全剂组合物，其包含(A)一种或多种式(I)化合物或其盐，和(B)一种或多种安全剂；在式(I)中，A为氮或CR¹¹－基团，R¹¹为氢、烷基、卤素和卤烷基；R¹为氢或任选经取代的选自下组的基团：烷基、烷氧基、烷氧烷基、烯基、炔基、环烷基、环烷基烷基、芳烷基和芳基，R²为氢、卤素或分别任选经卤素取代的分别具有1至6个碳原子的烷基、烷氧基、烷硫基、烷基氨基或二烷基氨基，R³为氢、卤素或分别任选经卤素取代的分别具有1至6个碳原子的烷基、烷氧基、烷硫基、烷基氨基或二烷基氨基，R⁴－R⁷各自独立地为氢、卤素、氰基、氰硫基或分别任选经卤素取代的分别具有1至3个碳原子的烷基、烷氧基、烷硫基、烷基亚磺酰基、烷基磺酰基、烷基氨基、烷基羰基、烷氧羰基、烷基氨基羰基，R⁸为氢、卤素、氰基、氰硫基或分别任选经卤素取代的分别具有1至3个碳原子的烷基、烷氧基、烷硫基、烷基亚磺酰基、烷基磺酰基、烷基氨基、烷基羰基、烷氧羰基、烷基氨基羰基，其中在上述基团中，烷基和亚烷基可以分别含有1至6个碳原子，烯基和炔基可以分别含有2至6个碳原子，环烷基可以分别含有3至6个碳原子，并且芳基可以分别含有6或10个碳原子。
除草剂安全组合

[发明专利]磺酰脲的用途-CN200580003930.1无效
发明人： M·希尔斯;H·克拉莫;H·迪特里希;C·瓦尔德拉夫;D·福伊希特;K－H·米勒;U·菲利普 -专利权人：拜尔作物科学有限公司
申请日： 2005-03-12 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： A01N47/36 文献下载
摘要：本发明涉及将一种或多种式(I)化合物及其盐用于非选择性控制不期望植物或用于选择性控制豆科植物中的不期望植物的用途，其中，A为氮或CR¹¹基团，其中R¹¹为氢、烷基、卤素或卤烷基，R¹为氢或任选经取代的选自下组的基团：烷基、烷氧基、烷氧烷基、烯基、炔基、环烷基、环烷基烷基、芳烷基和芳基，R²为氢、卤素或在每种情形下为任选经卤素取代的分别具有1至6个碳原子的烷基、烷氧基、烷硫基、烷基氨基或二烷基氨基，R³为氢、卤素或在每种情形下为任选经卤素取代的分别具有1至6个碳原子的烷基、烷氧基、烷硫基、烷基氨基或二烷基氨基，R⁴－R⁷各自独立地为氢、卤素、氰基、氰硫基或在每种情形下为任选经卤素取代的分别具有1至3个碳原子的烷基、烷氧基、烷硫基、烷基亚磺酰基、烷基磺酰基、烷基氨基、烷基羰基、烷氧羰基、烷基氨基羰基，R⁸为氢、卤素、氰基、氰硫基或在每种情形下为任选经卤素取代的分别具有1至3个碳原子的烷基、烷氧基、烷硫基、烷基亚磺酰基、烷基磺酰基、烷基氨基、烷基羰基、烷氧羰基、烷基氨基羰基，其中在上述基团中，烷基和亚烷基可以分别含有1至6个碳原子，烯基和炔基可以分别含有2至6个碳原子，环烷基可以分别含有3至6个碳原子，以及芳基可以分别含有6或10个碳原子。
磺酰脲用途

[发明专利]除草制剂-CN00815994.7有效
发明人： H·克拉莫;T·奥勒;C·罗辛格;H·哈格梅斯特;D·德莱克斯勒 -专利权人：阿温提斯作物科学有限公司
申请日： 2000-10-10 - 公布日： 2003-01-15 - 主分类号： A01N47/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种除草制剂，它含有A)一种或多种通式(I)所示磺酰脲类化合物和/或它们的盐，和B)一种或多种植物油。
除草制剂

1
共 13 条