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[发明专利]用于电源平面的局部调节的高密度电力转换器架构-CN202310192610.5在审
发明人： T·罗西格;T·A·菲利普斯;D·利德斯基;G·施罗姆;熊娅俐;A·德米纳西亚斯 -专利权人：予力半导体公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H02M3/00 文献下载
摘要：本公开涉及用于电源平面的局部调节的高密度电力转换器架构。一种电子系统包括电路板，该电路板包括电源平面。集成电路(例如，处理器)附接到该电路板的第一侧并且被布置成从该电源平面接收电力。多个DC到DC转换器附接到该电路板的第二侧并且被布置成将电力转移到该电源平面。每个DC到DC转换器包括电连接到该电源平面上的单独位置的相应电压感测输入。遥测电路耦接到该多个DC到DC转换器中的每个DC到DC转换器并且被配置为检测从该多个电力转换设备中的每个电力转换设备转移到该公共电源平面的电力量。
用于电源平面局部调节高密度电力转换器架构

[发明专利]高击穿电压Ⅲ-N耗尽型MOS电容器-CN201710310671.1有效
发明人： H·W·田;S·达斯古普塔;G·施罗姆;V·R·拉奥;R·S·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L29/94 文献下载
摘要：本发明描述了Ⅲ‑N高电压MOS电容器以及片上系统(SoC)解决方案，所述SoC解决方案集成了能够实现高击穿电压(BV)的至少一个Ⅲ‑N MOS电容器，以实现高电压和/或高功率电路。可以实现超过4V的击穿电压，而不需要在RFIC和/或PMIC中串联耦合电容器。在实施例中，GaN层的耗尽型Ⅲ‑N电容器与诸如平面和非平面硅CMOS晶体管技术之类的IV族晶体管架构单片集成，在所述GaN层中，在低于0V的阈值电压下形成了二维电子气(2DEG)。在实施例中，对硅衬底进行蚀刻，以提供(111)外延生长表面，在所述生长表面之上形成了GaN层和Ⅲ‑N阻挡层。在实施例中，沉积高K电介质层，并且制作针对所述2DEG并且位于所述电介质层之上的电容器端子接触部。
击穿电压耗尽 mos 电容器

[发明专利]调压器的电流平衡、电流传感器和相位平衡的装置和方法-CN201610880940.3有效
发明人： G·施罗姆;J·K·霍奇森;A·利亚霍夫;C·K·唐;N·拉古拉曼;N·纳塔拉詹;F·帕耶;S·萨曼;R·S·文纳姆;E·A·伯顿;M·W·罗杰斯;J·P·道格拉斯;D·W·凯斯林;G·L·贾诺普洛斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H02M3/157 文献下载
摘要：本发明涉及调压器的电流平衡、电流传感器和相位平衡的装置和方法。描述的是电流平衡、电流感测和相位平衡、消除偏移、使用二进制编码输入(无需二进制至温度计解码器)的单调输出的数字至模拟电流变换器，用于调压器(VR)的补偿器等等的装置和方法。在一个实例中，装置包括：多个耦接至电容器和负载的电感器；多个电桥，每一个电桥均耦接至来自多个电感器的相应的电感器；以及多个电流传感器，每个电流传感器耦接至电桥，用来感测流经电桥的晶体管的电流。
调压器电流平衡电流传感器相位装置方法

[发明专利]调压器的非线性控制-CN201610627326.6有效
发明人： E·A·伯顿;G·施罗姆;M·W·罗杰斯;A·利亚霍夫;R·S·文纳姆;J·P·道格拉斯;F·帕耶;J·K·霍奇森;D·W·凯斯林;C·K·唐;N·拉古拉曼;N·纳塔拉詹;S·萨曼;G·L·贾诺普洛斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及调压器的非线性控制。描述了一种装置，该装置具有用于管理在调压器的输出处的电源下降的非线性控制设备。所述装置包括：用于耦合到负载的第一电感器；耦合到所述第一电感器、并用于耦合到所述负载的电容器；耦合到所述第一电感器的第一高侧开关；耦合到所述第一电感器的第一低侧开关；用于控制何时接通和断开所述第一高侧开关和所述第一低侧开关的桥控制器；以及非线性控制(NLC)单元，其用于监控所述负载上的输出电压，并且当在所述负载上检测到电压下降时，使得所述桥控制器接通所述第一高侧开关并且断开所述第一低侧开关。
调压器非线性控制

[发明专利]用于电压调节器的扩频设备-CN201410094168.3有效
发明人： G·施罗姆;A·利亚霍夫;M·W·罗杰斯;D·W·凯斯林;J·P·道格拉斯;J·K·霍奇森 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H02M1/44 文献下载
摘要：描述了一种用于提供对时钟信号扩频的设备。所述设备包括生成输出时钟信号的振荡器，所述振荡器接收可调整参考信号，以调整所述输出时钟信号的频率；提供指示所述输出时钟信号的中心频率的第一信号的第一电路；第二电路，用于生成开关波形，从而为所述输出时钟信号提供扩频；以及耦合至所述第一和第二电路的第三电路，其用于根据所述第一信号和所述开关波形提供可调整参考信号。
用于电压调节器设备

[发明专利]用于大量制造的管芯上可微调无源部件-CN201410095370.8有效
发明人： F·帕耶;G·施罗姆;A·利亚霍夫;G·L·贾诺普洛斯;R·S·文纳姆;J·K·霍奇森 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H03K3/02 文献下载
摘要：说明的是一种用以微调管芯上无源部件的装置。所述装置包括电阻器‑电容器（RC）控制振荡器，其独立于一阶的晶体管速度依赖性，其中，RC控制振荡器包括一个或多个具有可编程的电阻和电容的电阻器和电容器，并且其中，所述RC控制振荡器用于产生输出信号，所述输出信号的频率实质上依赖于可编程电阻和电容的值；以及可微调电阻器或电容器，所述可微调电阻器或电容器能够进行操作以被微调，从而根据与RC控制振荡器的可编程电阻和电容相关的编程码来补偿工艺变化。
用于大量制造管芯微调无源部件

[发明专利]高击穿电压Ⅲ‑N耗尽型MOS电容器-CN201380045147.6有效
发明人： H·W·田;S·达斯古普塔;G·施罗姆;V·R·拉奥;R·S·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明描述了Ⅲ‑N高电压MOS电容器以及片上系统(SoC)解决方案，所述SoC解决方案集成了能够实现高击穿电压(BV)的至少一个Ⅲ‑N MOS电容器，以实现高电压和/或高功率电路。可以实现超过4V的击穿电压，而不需要在RFIC和/或PMIC中串联耦合电容器。在实施例中，GaN层的耗尽型Ⅲ‑N电容器与诸如平面和非平面硅CMOS晶体管技术之类的IV族晶体管架构单片集成，在所述GaN层中，在低于0V的阈值电压下形成了二维电子气(2DEG)。在实施例中，对硅衬底进行蚀刻，以提供(111)外延生长表面，在所述生长表面之上形成了GaN层和Ⅲ‑N阻挡层。在实施例中，沉积高K电介质层，并且制作针对所述2DEG并且位于所述电介质层之上的电容器端子接触部。
击穿电压耗尽 mos 电容器

[发明专利]调压器的电流平衡、电流传感器和相位平衡的装置和方法-CN201410267109.1有效
发明人： G·施罗姆;J·K·霍奇森;A·利亚霍夫;C·K·唐;N·拉古拉曼;N·纳塔拉詹;F·帕耶;S·萨曼;R·S·文纳姆;E·A·伯顿;M·W·罗杰斯;J·P·道格拉斯;D·W·凯斯林;G·L·贾诺普洛斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H02M3/157 文献下载
摘要：本发明涉及调压器的电流平衡、电流传感器和相位平衡的装置和方法。描述的是电流平衡、电流感测和相位平衡、消除偏移、使用二进制编码输入(无需二进制至温度计解码器)的单调输出的数字至模拟电流变换器，用于调压器(VR)的补偿器等等的装置和方法。在一个实例中，装置包括：多个耦接至电容器和负载的电感器；多个电桥，每一个电桥均耦接至来自多个电感器的相应的电感器；以及多个电流传感器，每个电流传感器耦接至电桥，用来感测流经电桥的晶体管的电流。
调压器电流平衡电流传感器相位装置方法

[实用新型]用于生成具有相位角配置的信号的装置-CN201320617205.5有效
发明人： G·施罗姆;N·拉古拉曼;F·帕耶 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H03K5/13 文献下载
摘要：本文描述了一种用于生成具有相位角配置的信号的装置和系统。所述装置包括开关-电阻器的阵列，每一开关-电阻器用于接收控制信号，其中所述开关-电阻器的阵列用于生成输出信号；以及用于配置输出信号的相位角的电路。所述装置可以用于不同的封装与电感器配置。所述装置通过调整相位角提供了用于减轻开关噪声的灵活性，并且提供了在不生成纹波的情况下快速启用和禁用开关-电阻器的能力。所述装置还通过在禁用一些相时选择性地关闭开关-电阻器而节省功耗。所述装置的输出信号具有用于改善使用输出信号生成的电源的质量的平滑的三角波形。总之，所述装置与传统信号发生器相比，表现出用于处理变化的减小的灵敏度。
用于生成具有相位角配置信号装置

[发明专利]调压器的非线性控制-CN201410267108.7有效
发明人： E·A·伯顿;G·施罗姆;M·W·罗杰斯;A·利亚霍夫;R·S·文纳姆;J·P·道格拉斯;F·帕耶;J·K·霍奇森;D·W·凯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及调压器的非线性控制。描述了一种装置，该装置具有用于管理在调压器的输出处的电源下降的非线性控制设备。所述装置包括：用于耦合到负载的第一电感器；耦合到所述第一电感器、并用于耦合到所述负载的电容器；耦合到所述第一电感器的第一高侧开关；耦合到所述第一电感器的第一低侧开关；用于控制何时接通和断开所述第一高侧开关和所述第一低侧开关的桥控制器；以及非线性控制(NLC)单元，其用于监控所述负载上的输出电压，并且当在所述负载上检测到电压下降时，使得所述桥控制器接通所述第一高侧开关并且断开所述第一低侧开关。
调压器非线性控制

[实用新型]电压调节装置、电压调节器和包括电压调节装置或电压调节器的系统-CN201320374293.0有效
发明人： G·施罗姆;M·S·米尔施泰因;A·利亚霍夫 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：描述了一种电压调节装置，包括：低侧开关，其耦合至用于提供调节后的供电电压的输出节点；以及第一驱动器，其被操作用于当输出节点上升至第一晶体管阈值电压以上时使低侧开关关断。也描述了一种电压调节器，包括：信号发生器，其产生脉宽调制（PWM）信号；桥，其具有耦合至输出节点的低侧开关，所述输出节点用于根据PWM信号提供调节后的供电电压；第一驱动器，被操作用于当所述输出节点上升至第一晶体管阈值电压以上时使所述低侧开关关断；以及桥控制器，其用于向所述第一驱动器提供控制信号。所述电压调节器可以在没有二极管钳位的情况下操作，并且其操作是自定时的。所述电压调节器还提供了针对制程变异的耐受性。还描述了一种包括电压调节装置或电压调节器的系统，包括存储器，无线接口，处理器，和上述电压调节装置或电压调节器。
电压调节装置调节器包括系统

[实用新型]用于进行电平移位的装置和具有该装置的系统-CN201220716504.X有效
发明人： G·施罗姆;R·S·文农 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本文说明的是一种用于进行电平移位的装置和具有该装置的系统，高压电平移位器可以用于NMOS和PMOS桥，展现了比传统电平移位器更高的对超频的电压容限，在其输入驱动器中具有减小的消弧电流，并且在其输出驱动器中没有争用。HVLS包括输入驱动器，该输入驱动器包括第一信号调节单元，所述输入驱动器运行在第一电源电平上，用于调节输入信号，作为所述第一信号调节单元中的第一信号；及电路，接收所述第一信号，并至少部分基于所述第一信号提供第二信号，将所述第二信号从所述第一电源电平电平移位到第二电源电平，其中第二电源电平高于第一电源电平。
用于进行电平移位装置具有系统

[发明专利]脉宽调制器-CN201210352460.1有效
发明人： F·帕耶;P·哈祖哈;G·施罗姆;T·卡尔尼克;S·T·文;D·S·加德纳 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2007-12-19 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H03K7/08 文献下载
摘要：根据一些实施例，提供了一种具有比较器的脉宽调制器，所述比较器利用所施加的可调波形生成具有可控可调占空比的比特流。
脉宽调制

[发明专利]功率输送系统-CN201010169352.1有效
发明人： S·伯卡尔;T·卡尔尼克;P·哈祖查;G·施罗姆;G·德梅尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2005-07-29 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： G06F1/28 文献下载
摘要：公开了一种系统。该系统包括负载、耦合至该负载的调压器、电源、耦合至该电源以从该电源接收一个或多个电压的负载、以及耦合在电源和负载之间的数字总线。该数字总线将功耗测量值从负载发送至电源并将功耗测量值从电源发送至负载。
功率输送系统

[发明专利]CPU电力输送系统-CN200910133153.2有效
发明人： S·纳伦德拉;H·威尔逊;D·加纳;P·哈祖查;G·施罗姆;T·卡尼克;N·博尔卡;V·德;S·博尔卡 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2005-09-29 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：公开了一种中央处理单元(CPU)。该CPU包括CPU小片；和在三维插件布局中与CPU小片焊接的稳压器小片。
cpu 电力输送系统

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