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[发明专利]用于真空处理系统的负载锁定腔室和真空处理系统-CN201480078013.9有效
发明人： F·皮耶拉利西;T·格贝勒 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-04-16 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：描述一种用于真空处理系统的负载锁定腔室(122；422；522)。所述负载锁定腔室包括形成负载锁定腔室容积的负载锁定壁和用于将所述负载锁定腔室抽空的真空产生装置(425)。所述负载锁定腔室还进一步包括颗粒捕集器(127；427；527)，所述颗粒捕集器至少位于所述负载锁定腔室的一个壁(430；528；529；530；531)处。此外，描述一种包括负载锁定腔室和处理腔室的处理系统。
用于真空处理系统负载锁定

[发明专利]PVD阵列涂覆器中的边缘均匀性改善-CN201480077982.2有效
发明人： E·希尔;M·本德;F·皮耶拉利西;D·泽韦林;R·林德伯格;H·嘉特纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-04-17 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：描述了一种用于材料在基板上的沉积的设备。所述设备包括沉积阵列(222)，所述沉积阵列具有三个或更多个阴极(122)，其中所述沉积阵列包括：第一外侧沉积组件(301)，所述第一外侧沉积组件至少包括所述三个或更多个阴极中的第一阴极；第二外侧沉积组件(302)，所述第二外侧沉积组件与所述第一外侧沉积组件相对，所述第二外侧沉积组件(302)至少包括所述三个或更多个阴极中的第二阴极；内侧沉积组件(303)，所述内侧沉积组件包括位于所述第一外侧沉积组件与所述第二外侧沉积组件之间的至少一个内侧阴极。所述第一外侧沉积组件(301)和所述第二外侧沉积组件(302)中的至少一者被配置成用于在相同时间中、在相同基板上、以比所述内侧沉积组件(303)高的速率来沉积材料。
pvd 阵列涂覆器中的边缘均匀改善

[发明专利]具有相邻溅射阴极的装置及其操作方法-CN201380073537.4有效
发明人： F·皮耶拉利西;U·米尔菲尔德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-02-25 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：描述一种用于在载体内提供的非柔性基板或基板上沉积层堆叠的装置。所述装置包括：真空腔室；运输系统，其中所述运输系统和所述真空腔室被配置用于内联沉积；第一支撑件，所述第一支撑件用于可围绕所述真空腔室内的第一旋转轴线旋转的第一旋转溅射阴极，其中提供用于沉积第一材料的第一沉积区；第二支撑件，所述第二支撑件用于可围绕所述真空腔室内的第二旋转轴线旋转的第二旋转溅射阴极，其中提供用于沉积第二材料的第二沉积区，其中所述第一旋转轴线和所述第二旋转轴线的彼此相距距离为700mm或更小；以及分离器结构，所述分离器结构介于所述第一旋转轴线与所述第二旋转轴线之间，适于接收朝向所述第二沉积区溅射的所述第一材料以及朝向所述第一沉积区溅射的所述第二材料，其中装置被配置成用来沉积包括所述第一材料的层以及所述第二材料的后续层的所述层堆叠。
具有相邻溅射阴极装置及其操作方法

[发明专利]用于在真空工艺期间保持基板的保持设备、用于在基板上沉积层的设备及用于输送保持设备的方法-CN201380081823.5有效
发明人： F·皮耶拉利西;W·克莱恩;R·林德伯格;W·布施贝克;J·斯罗伊德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：提供一种用于在真空层沉积期间保持基板(20)的保持设备(10)。所述保持设备(10)包括：框架，所述框架具有一或多个框架元件；以及一或多个接触界面(50、500)，所述一或多个接触界面提供在所述框架元件中的一或多个处，并且被配置来接触输送系统的一或多个输送辊(60)，其中所述一或多个接触界面(50、500)的材料的萧氏D硬度在85至90的范围内。
保持设备

[发明专利]用以涂布溅镀材料层于基板上的装置及沉积系统-CN201280075041.6有效
发明人： A·克勒佩尔;M·哈尼卡;E·谢尔;K·施沃恩特兹;F·皮耶拉利西;J·刘 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-07-02 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：本发明描述了一种用以涂布溅镀材料层于基板(12)上的装置(10；166；224)。所述装置(10；166；224)包括至少两个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)，其中每个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)具有外磁极性及内磁极性。所述至少两个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)中的一者的外磁极性不同于所述至少两个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)中的另一者的相邻的外磁极性。并且，本发明描述了一种沉积系统(14)，所述沉积系统包括所述装置(10；166；224)。
用以涂布溅镀材料基板上装置沉积系统

[发明专利]用于PVD阵列应用的多方向跑道旋转阴极-CN201180065117.2有效
发明人： E·谢尔;M·哈尼卡;R·林德伯格;M·班德尔;A·洛珀;K·施沃恩特兹;F·皮耶拉利西;J·刘 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-10-24 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：提供了一种用于溅射沉积装置的阴极组件（130、200、300、400）以及用于涂布基板的方法。阴极组件具有用于在基板上涂布的涂布侧。此外，阴极组件包括旋转靶组件，所述旋转靶组件适合于围绕旋转轴（220、320、420）旋转靶材料（210、310、410）；至少一个第一磁体组件（230、330、340、430、431、432、433），所述至少一个第一磁体组件具有内部磁极和至少一个外部磁极且适于产生一个或多个等离子体区（240、250、340、350、440、441、442、443）。阴极组件（130、200、300、400）具有对于一个磁极的第一角坐标，将所述磁极提供用于所述涂布侧；以及对于另一磁极的第二角坐标，将所述磁极提供用于涂布侧；其中第一角坐标（260、360、460）和第二角坐标（270、370、461）界定大于约20度且小于约160度的角度α。
用于 pvd 阵列应用多方跑道旋转阴极

[发明专利]沉积薄膜电极与薄膜堆迭的方法-CN201180051782.6有效
发明人： F·皮耶拉利西 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-10-18 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本申请提供沉积至少一个薄膜电极（402、403）至透明导电氧化物膜（405）上的方法。首先，沉积透明导电氧化物膜（405）至待处理基板（101）上。接着，使基板（101）和透明导电氧化物膜（405）经受含有处理气体（207）的处理环境，该处理气体相对于透明导电氧化物膜（405）作为施体材料或受体材料。沉积至少一个薄膜电极（402、403）至至少部分的透明导电氧化物膜（405）上。当沉积至少一个薄膜电极（402、403）至至少部分的透明导电氧化物膜（405）上时，改变相对于透明导电氧化物膜（405）作为施体材料或受体材料的处理气体（207）的分压。如此可得到具有较低界面电阻（408）与体电阻（409’）的改性透明导电氧化物膜（410）。
沉积薄膜电极方法

[发明专利]用于涂布基板的方法及涂布机-CN201280073588.2在审
发明人： E·谢尔;M·哈尼卡;K·施沃恩特兹;F·皮耶拉利西;A·克勒佩尔;J·刘;A·洛珀 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-05-29 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过一阴极配置来涂布一基板的方法，所述阴极配置包括至少二个可转动阴极。此方法包括于一第一方向中转动所述至少二个可转动阴极的至少一者，且同时于一第二方向中转动所述至少二个可转动阴极的至少一者。第一方向是相反于第二方向。再者，公开了一种用于控制一涂布工艺的控制器。此外，公开了一种用于涂布一基板的涂布机。此涂布机包括一阴极配置及一控制器。阴极配置具有至少二个可转动阴极。此控制器是如此处所公开的。
用于涂布基板方法涂布机

[发明专利]可调整的遮罩-CN201180072999.5无效
发明人： E·谢尔;M·哈尼卡;R·林德伯格;M·班德尔;A·洛珀;K·施沃恩特兹;F·皮耶拉利西;J·刘 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-08-09 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：说明了一种用以形成沉积材料层于基板上的沉积设备。沉积设备包括：基板支撑件，用以支撑基板；以及边缘（660）排除遮罩（640），用以在层沉积期间覆盖基板（610）的周边。遮罩具有至少一框部，该至少一框部定义一孔洞。遮罩的该至少一框部用以根据在遮罩的该至少一框部上沉积的沉积材料的数量来相对于基板移动（670，680）。进一步来说，说明了一种利用边缘排除遮罩来沉积沉积材料层于基板上的方法。
可调整

[发明专利]错列薄膜晶体管及形成错列薄膜晶体管的方法-CN201180044614.4有效
发明人： F·皮耶拉利西 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-08-09 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明提供一种错列薄膜晶体管及一种形成该错列薄膜晶体管的方法。该薄膜晶体管包括退火层堆叠，该退火层堆叠包括：含氧化物层；铜合金层，该铜合金层沉积于导电氧化物层上；含铜氧化物层；以及含铜层。
薄膜晶体管形成方法

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