“E.费尔姆”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]过渡金属氮化物沉积方法-CN202210728990.5在审
发明人： E.费尔姆;J.W.梅斯;C.德泽拉;岩下信哉 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本公开涉及在制造半导体器件领域中用于在衬底上沉积含过渡金属氮化物的材料的方法和设备。根据本公开的方法包括循环沉积过程，其中在反应室中提供衬底，以气相向反应室提供有机金属过渡金属前体，并且以气相向反应室中提供氮前体，以在衬底上形成过渡金属氮化物。本公开还涉及过渡金属氮化物层、半导体结构和器件以及用于在衬底上沉积过渡金属氮化物的沉积组件。
过渡金属氮化物沉积方法

[发明专利]用于填充间隙的方法和系统-CN202210176471.2在审
发明人： E.费尔姆;岩下信哉;C.德泽拉;J.W.梅斯;T.布兰夸特;R.H.J.沃乌尔特;V.波雷;G.A.沃尼;谢琦;R-J.张;E.J.希罗 -专利权人： ASMIP私人控股有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开了用于填充间隙的方法和系统。示例性方法包括向反应室提供衬底。衬底包括间隙。该方法还包括用间隙填充流体至少部分地填充间隙。该方法和系统例如在集成电路制造领域中是有用的。
用于填充间隙方法系统

[发明专利]含过渡金属材料的选择性沉积-CN202210117534.7在审
发明人： E.费尔姆;J.W.梅斯;S.阿里 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本公开涉及用于制造半导体器件的方法和设备。在本公开中，通过循环沉积过程将含过渡金属材料选择性地沉积在衬底上。沉积方法包括在反应室中提供衬底，其中衬底包括包含第一材料的第一表面和包含第二材料的第二表面。包含过渡金属卤化物的过渡金属前体以气相提供在反应室中，第二前体以气相提供在反应室中，以相对于第二表面在第一表面上沉积含过渡金属材料。过渡金属化合物可以包含加合物形成配体。此外，公开了一种用于沉积含过渡金属材料的沉积组件。
过渡金属材料选择性沉积

[发明专利]过渡金属沉积方法-CN202111549045.0在审
发明人： C.德泽拉;J.W.梅斯;E.费尔姆;S.阿里;A.尼斯卡宁 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本公开涉及在衬底上沉积过渡金属的方法。本公开还涉及过渡金属层、包括过渡金属层的结构和器件。在该方法中，过渡金属通过循环沉积过程沉积在衬底上，并且该方法包括在反应室中提供衬底，以气相向反应室提供过渡金属前体，以及以气相向反应室提供反应物，以在衬底上形成过渡金属。过渡金属前体包括来自第4至6族中任一族的过渡金属，反应物包括选自Si,Ge或Sn的第14族元素。
过渡金属沉积方法

[发明专利]钼沉积方法-CN202111253491.7在审
发明人： E.费尔姆;J.W.梅斯;C.德泽拉;岩下信哉 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本公开涉及在衬底上沉积钼的方法。本公开还涉及钼层、包括钼层的结构和器件。在该方法中，钼通过循环沉积过程沉积在衬底上，并且该方法包括在反应室中提供衬底，以气相向反应室提供钼前体，以及以气相向反应室提供反应物，以在衬底上形成钼。钼前体包含钼原子和烃配体，反应物包括含有两个或更多个卤素原子的烃，并且至少两个卤素原子附接到不同的碳原子。
沉积方法

[发明专利]渗透设备和渗透可渗透材料的方法-CN201980034922.5在审
发明人： K.K.卡切尔;E.费尔姆 -专利权人： ASMIP私人控股有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：公开了一种渗透设备。所述渗透设备可以包括：反应室，其被构造和布置成容纳其上具备可渗透材料的至少一个衬底；第一前体源，其被构造和布置成提供包含硅化合物的第一前体的蒸气；前体分布系统和去除系统，其被构造和布置成向所述反应室提供来自所述第一前体源的所述第一前体的蒸气并从所述反应室去除所述第一前体的蒸气；和顺序控制器，其可操作地连接到所述前体分布系统和去除系统，并且包含存储器，所述存储器具备一定程序以当在所述顺序控制器上运行时通过以下操作执行所述可渗透材料的渗透；启动所述前体分布系统和去除系统以将所述第一前体的蒸气提供到所述反应室中的所述衬底上的所述可渗透材料，由此使所述反应室中的所述衬底上的所述可渗透材料通过所述第一前体的蒸气与所述可渗透材料的反应而被硅原子渗透。还提供渗透方法和包括渗透材料的半导体装置结构。
渗透设备材料方法