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[发明专利]将薄层转移到设有电荷俘获层的载体衬底的方法-CN202180048518.0在审
发明人： B·克莱门梭;卢多维克·埃卡尔诺;A·戈贝尔;M·波卡特;D·德尔普拉;S·鲁契尔;S·蒂弗里;卡里纳·杜雷特 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种将薄层(5)转移到支承衬底(1)上的方法，该方法包括使用制备方法来制备支承衬底(1)，该制备方法包括提供在主面上具有电荷俘获层(2)的基础衬底(3)并且在电荷俘获层(2)上形成厚度大于200nm的介电层(4)。一旦介电层(4)形成，同时执行介电层的沉积和离子溅射。该转移方法还包括通过分子键合将施主衬底接合到载体衬底(1)的介电层(4)，而不通过抛光来准备介电层(4)的自由面，施主衬底具有限定薄层(5)的脆化平面。最后，该方法包括在脆化平面处分离施主衬底，以便释放薄层(5)并将其转移到支承衬底(1)。
薄层转移设有电荷俘获载体衬底方法

[发明专利]形成针对RF应用的复合结构的处理衬底的方法及处理衬底-CN202080072350.2在审
发明人：金勇必;D·德尔普拉;L·卡佩罗;I·伯特兰;F·阿利伯特 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于复合结构的处理衬底(100)，所述处理衬底(100)包括：基础衬底(12)，所述基础衬底(12)由通过Czochralski拉制获得的单晶硅晶片(1)上的硅外延层(2)构成，所述单晶硅晶片(1)具有10到500ohm.cm之间的电阻率，所述硅外延层(2)具有高于2000ohm.cm的电阻率以及2到100微米之间的厚度；钝化层(3)，所述钝化层(3)在所述硅外延层(2)上并且与所述硅外延层(2)接触，所述钝化层(3)是非晶的或多晶的；‑电荷俘获层(4)，所述电荷俘获层(4)在所述钝化层(3)上并且与所述钝化层(3)接触。本发明还涉及一种形成这种衬底的方法。
形成针对 rf 应用复合结构处理衬底方法

[发明专利]通过层转移来制造绝缘体上半导体型结构的方法-CN201980005951.9在审
发明人： D·德尔普拉;D·帕里西;M·波卡特 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2019-02-12 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及通过将层从供体基底转移到接受基底上来制造绝缘体上半导体型结构的方法，该方法包括以下步骤：a)提供供体基底和接受基底，b)在供体基底中形成脆化区，该脆化区界定要转移的层，c)在接受基底上接合供体基底，供体基底的关于要转移的层而与脆化区相反的表面处在接合界面处，d)将供体基底沿脆化区分离，使得层的转移能够转移到接受基底上，转移方法的特征在于，在接合步骤之前，转移方法包括以下步骤：受控地改变供体基底和/或接受基底的弯曲，以使基底至少在其外围的一个区域中彼此移开，供体基底和/或接受基底的旨在形成接合界面的一个面或两个面形变以具有大于或等于136μm的弯曲幅度(Bw)。
通过转移制造绝缘体上半导体结构方法

[发明专利]用于分子键合硅衬底和玻璃衬底的方法-CN201510836412.3在审
发明人： S·凯尔迪勒;D·德尔普拉 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2011-10-10 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于分子键合硅衬底和玻璃衬底的方法。本发明涉及一种用于将具有第一表面(2a)的第一衬底(1a)键合到具有第二表面(2b)的第二衬底(1b)的方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：通过至少两个支撑点(S1，S2)来保持所述第一衬底(1a)，将所述第一衬底(1a)和所述第二衬底(1b)放置成第一表面(2a)和第二表面(2b)彼此相对，通过在至少一个压力点(P1)和两个支撑点(S1，S2)之间朝向所述第二衬底(1b)施加应变(F)，使所述第一衬底(1a)变形，使变形的第一表面(2a)与所述第二表面(2b)相接触，逐渐释放应变(F)。
用于分子键合硅衬底玻璃方法

[发明专利]用于分子键合硅衬底和玻璃衬底的方法-CN201110309281.5无效
发明人： S·凯尔迪勒;D·德尔普拉 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2011-10-10 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于分子键合硅衬底和玻璃衬底的方法。本发明涉及一种用于将具有第一表面(2a)的第一衬底(1a)键合到具有第二表面(2b)的第二衬底(1b)的方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：通过至少两个支撑点(S1，S2)来保持所述第一衬底(1a)，将所述第一衬底(1a)和所述第二衬底(1b)放置成第一表面(2a)和第二表面(2b)彼此相对，通过在至少一个压力点(P1)和两个支撑点(S1，S2)之间朝向所述第二衬底(1b)施加应变(F)，使所述第一衬底(1a)变形，使变形的第一表面(2a)与所述第二表面(2b)相接触，逐渐释放应变(F)。
用于分子键合硅衬底玻璃方法

[发明专利]用于获得具有低密度孔的薄层的方法-CN200480044745.2有效
发明人： N·本穆罕默德;E·内雷;D·德尔普拉 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2004-12-28 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提出了一种用于确定将被转移到支撑衬底上的施主衬底部分的厚度的方法，所述部分在之后将受到包括至少一种操作的所选精整序列，该方法特征在于确定将被转移的最小厚度，以使所述转移部分：在精整序列的每个操作之后，呈现出小于所述最大密度的致命孔密度，以及一旦完成了整个精整序列就达到了所述的选择厚度。
用于获得具有密度薄层方法

[发明专利]晶片表面处理方法-CN200580044846.4无效
发明人： C·马勒维尔;D·德尔普拉;C·德拉特;F·梅特拉尔 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2005-12-21 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种处理称为施主晶片(10)的第一晶片和称为接收晶片(20)的第二晶片的任一个或两个称为键合表面的表面(12，22)的方法，这两个晶片将互相键合。该方法特征之处在于，它包括通过向所述键合表面(12，22)施加处理溶液，在键合所述施主晶片(10)和接收晶片(20)之前立即实施的清洗及激活步骤。该溶液包含至少97％的氨的水溶液(NH₄OH)，优选为去离子水溶液，其重量浓度范围约从0.05％至2％。本发明适合制造用于光学、电子学或光电子学领域的结构。
晶片表面处理方法