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[实用新型]电子器件和功率电子模块-CN202320689155.5有效
发明人： C·G·斯特拉;A·米诺蒂;F·萨拉莫内 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本申请涉及电子器件和功率电子模块。一种电子器件包括至少第一分支和第二分支，每个分支包括彼此串联布置并且被形成在半导体材料的相应管芯中的第一晶体管和第二晶体管。管芯被夹在第一衬底元件和第二衬底元件之间。第一衬底元件和第二衬底元件分别由多层结构形成，多层结构包括第一导电层、第二导电层以及在第一导电层和第二导电层之间延伸的绝缘层。第一衬底元件和第二衬底元件的第一导电层面向电子器件的外侧，并且限定电子器件的第一主面和第二主面。第一衬底元件和第二衬底元件的第二导电层被成形为形成接触区域，接触区域面向多个管芯并且与多个管芯选择性地电接触。
电子器件功率电子模块

[发明专利]包括多个功率晶体管的封装电子器件-CN202310337658.0在审
发明人： C·G·斯特拉;A·米诺蒂;F·萨拉莫内 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本申请涉及包括多个功率晶体管的封装电子器件。一种电子器件包括至少第一分支和第二分支，每个分支包括彼此串联布置并且被形成在半导体材料的相应管芯中的第一晶体管和第二晶体管。管芯被夹在第一衬底元件和第二衬底元件之间。第一衬底元件和第二衬底元件分别由多层结构形成，多层结构包括第一导电层、第二导电层以及在第一导电层和第二导电层之间延伸的绝缘层。第一衬底元件和第二衬底元件的第一导电层面向电子器件的外侧，并且限定电子器件的第一主面和第二主面。第一衬底元件和第二衬底元件的第二导电层被成形为形成接触区域，接触区域面向多个管芯并且与多个管芯选择性地电接触。
包括功率晶体管封装电子器件

[实用新型]电子器件-CN202123237900.2有效
发明人： C·G·斯特拉;R·里扎 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及电子器件。电子器件包括：支撑结构，包括基底部分和横向于基底部分延伸的横向部分；管芯，被耦合到支撑结构的基底部分的第一面；传导层，在基底部分的第二面上；第一端子、第二端子和第三端子，第一端子在管芯的第一主面上，并且第二端子和第三端子在管芯的第二主面上；一个或多个绝缘材料层，包围并且内嵌有管芯、第二端子、第三端子和基底部分；第一主表面，一个或多个绝缘材料层中的至少一层绝缘材料存在于第一主表面处；第二主表面，与第一主表面相对，一个或多个绝缘材料层中的至少一个绝缘材料层存在于第二主表面处。利用本公开的实施例有利地实现大的爬电距离和高散热性。
电子器件

[实用新型]经封装的高压HV MOSFET器件以及电子设备-CN202121546891.2有效
发明人： C·G·斯特拉;F·鲁索 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本公开涉及一种经封装的高压HV MOSFET器件以及电子设备。HV MOSFET器件具有集成了源极导电区的主体。突出的栅极结构被设置在主体之上，相对于源极导电区横向偏移。第一金属的源极接触区被布置在与源极导电区电接触的主体上，并且第二金属的源极连接区被布置在源极接触区之上、并且具有相对于突出的栅极结构凸起的高度。封装件包括与主体的第二表面键合的金属支撑件以及在半导体裸片的第一表面之上的耗散区。耗散区包括导电板，导电板具有与源极连接区键合、并且与突出的栅极结构间隔开的平坦面。介电材料的封装质量体被设置在支撑件和耗散区域之间、并且将半导体裸片并入。耗散区是DBC型绝缘多层。
封装高压 hv mosfet 器件以及电子设备

[发明专利]高散热性封装电子器件及其制造工艺-CN202111576916.8在审
发明人： C·G·斯特拉;R·里扎 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及高散热性封装电子器件及其制造工艺。封装的功率电子器件具有承载结构，该承载结构包括基底部分和横向于基底部分延伸的横向部分。管芯被结合到承载结构的基底部分并且具有第一主面上的第一端子和第二主面上的第二端子和第三端子。绝缘材料的封装件内嵌有半导体管芯、第二端子、第三端子并且至少部分地内嵌有运载基底。第一外连接区域、第二外连接区域和第三外连接区域分别被电气耦合到管芯的第一端子、第二端子和第三端子，该管芯被封装件侧面地围绕并且面对封装件的第二主表面。承载结构的横向部分从基底部分朝向封装件的第二主表面延伸，并且相对于管芯具有更高的高度。
散热封装电子器件及其制造工艺

[实用新型]用于表面安装的功率器件、安装式电子设备和电路装置-CN202120780810.9有效
发明人： C·G·斯特拉;F·V·科波内;F·萨拉莫内 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于表面安装的功率器件、安装式电子设备和电路装置。用于表面安装的功率器件具有引线框架，引线框架包括管芯附接支撑件以及至少一个第一引线和一个第二引线。半导体材料的管芯被键合到管芯附接支撑件，并且绝缘材料和平行六面体形状的封装件包围管芯并且至少部分地包围管芯附接支撑件并且具有封装件高度。第一引线和第二引线具有在封装件外部、从封装件的两个相对侧表面延伸的外部部分。引线的外部部分具有大于封装件高度的引线高度，贯穿封装件高度延伸并且具有从第一基部突出的相应部分。
用于表面安装功率器件电子设备电路装置

[发明专利]具有连接夹具的经封装的高压MOSFET器件及其制造工艺-CN202110772361.8在审
发明人： C·G·斯特拉;F·鲁索 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本公开涉及一种具有连接夹具的经封装的高压MOSFET器件及其制造工艺。HV MOSFET器件具有集成了源极导电区的主体。突出的栅极结构被设置在主体之上，相对于源极导电区横向偏移。第一金属的源极接触区被布置在与源极导电区电接触的主体上，并且第二金属的源极连接区被布置在源极接触区之上、并且具有相对于突出的栅极结构凸起的高度。封装件包括与主体的第二表面键合的金属支撑件以及在半导体裸片的第一表面之上的耗散区。耗散区包括导电板，导电板具有与源极连接区键合、并且与突出的栅极结构间隔开的平坦面。介电材料的封装质量体被设置在支撑件和耗散区域之间、并且将半导体裸片并入。
具有连接夹具封装高压 mosfet 器件及其制造工艺

[发明专利]封装后的用于表面安装的可堆叠电子功率器件和电路装置-CN202110410359.6在审
发明人： C·G·斯特拉;F·V·科波内;F·萨拉莫内 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本公开涉及一种封装后的用于表面安装的可堆叠电子功率器件和电路装置。用于表面安装的功率器件具有引线框架，引线框架包括管芯附接支撑件以及至少一个第一引线和一个第二引线。半导体材料的管芯被键合到管芯附接支撑件，并且绝缘材料和平行六面体形状的封装件包围管芯并且至少部分地包围管芯附接支撑件并且具有封装件高度。第一引线和第二引线具有在封装件外部、从封装件的两个相对侧表面延伸的外部部分。引线的外部部分具有大于封装件高度的引线高度，贯穿封装件高度延伸并且具有从第一基部突出的相应部分。
封装用于表面安装堆叠电子功率器件电路装置

[实用新型]封装的功率电子设备-CN202021557997.8有效
发明人： C·G·斯特拉;F·萨拉莫内 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及封装的功率电子设备，该设备具有：第一支撑元件，形成第一热耗散表面并且承载第一功率部件；第二支撑元件，形成第二热耗散表面并且承载第二功率部件；第一接触元件，叠置到第一功率部件；第二接触元件，叠置到第二功率部件；多个引线，通过第一支撑元件和/或第二支撑元件与功率部件电耦合；以及热传导性的主体，布置在第一接触元件与第二接触元件之间。第一支撑元件和第二支撑元件以及第一接触元件和第二接触元件由电绝缘并且热传导性的多层形成。
封装功率电子设备

[发明专利]封装的功率电子设备及其组装方法-CN202010756491.8在审
发明人： C·G·斯特拉;F·萨拉莫内 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及封装的功率电子设备及其组装方法，该设备具有：第一支撑元件，形成第一热耗散表面并且承载第一功率部件；第二支撑元件，形成第二热耗散表面并且承载第二功率部件；第一接触元件，叠置到第一功率部件；第二接触元件，叠置到第二功率部件；多个引线，通过第一支撑元件和/或第二支撑元件与功率部件电耦合；以及热传导性的主体，布置在第一接触元件与第二接触元件之间。第一支撑元件和第二支撑元件以及第一接触元件和第二接触元件由电绝缘并且热传导性的多层形成。
封装功率电子设备及其组装方法

[实用新型]功率半导体器件和封装件-CN201920468185.7有效
发明人： C·G·斯特拉;A·米诺蒂 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种功率半导体器件和封装件。该功率半导体器件包括第一裸片和第二裸片，每个裸片包括钝化区域和多个导电接触区域，钝化区域包括多个突出电介质区域和多个窗口。相邻窗口由对应的突出电介质区域隔开，每个导电接触区域布置在对应的窗口内。表面安装型封装件容纳第一裸片和第二裸片。该封装件包括分别承载第一裸片和第二裸片的第一底部绝缘多层和第二底部绝缘多层。覆盖金属层布置在第一裸片和第二裸片的顶部，并且包括延伸到窗口中以与对应的导电接触区域电耦合的突出金属区域。此外，覆盖金属层形成介于突出金属区域之间以便覆盖对应的突出电介质区域的多个腔体。
裸片导电接触区域电介质区域封装件功率半导体器件覆盖金属层钝化区域金属区域多层绝缘表面安装型电耦合隔开腔体承载容纳延伸覆盖

[发明专利]具有双岛表面安装封装件的功率半导体器件-CN201910279496.3在审
发明人： C·G·斯特拉;A·米诺蒂 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种功率半导体器件包括第一裸片和第二裸片，每个裸片包括钝化区域和多个导电接触区域，钝化区域包括多个突出电介质区域和多个窗口。相邻窗口由对应的突出电介质区域隔开，每个导电接触区域布置在对应的窗口内。表面安装型封装件容纳第一裸片和第二裸片。该封装件包括分别承载第一裸片和第二裸片的第一底部绝缘多层和第二底部绝缘多层。覆盖金属层布置在第一裸片和第二裸片的顶部，并且包括延伸到窗口中以与对应的导电接触区域电耦合的突出金属区域。此外，覆盖金属层形成介于突出金属区域之间以便覆盖对应的突出电介质区域的多个腔体。
裸片导电接触区域电介质区域封装件功率半导体器件覆盖金属层钝化区域金属区域多层绝缘表面安装型表面安装电耦合隔开腔体承载容纳延伸覆盖

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