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[发明专利]高k介电膜,及其形成方法和相关的半导体器件-CN03826872.8有效
发明人： C·林;K·李 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2003-07-30 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：提供了高k介电膜，及其形成方法和相关半导体器件，其中具有第一氮含量(zB)和第一硅含量(xB)的金属硅氮氧化物的底层(B)，和具有第二氮含量(zT)和第二硅含量(xT)的金属硅氮氧化物的顶层(T)以这种方式形成，即第二氮含量(zT)高于第一氮含量(zB)，并且第二硅含量(xT)高于第二硅含量(xB)。由此，具有极好的泄漏特性和很高的介电常数的介电膜(2)形成。
介电膜及其形成方法相关半导体器件

[发明专利]使用金属－金属键接络合物的分子电子器件-CN03807494.X有效
发明人： C·R·卡干;C·林 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2003-03-27 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：本发明提供一种分子器件，它包括源极区和漏极区，在其间延伸的分子介质，和在源极区、漏极区和分子介质之间的电绝缘层。在本发明的分子器件内的分子介质是具有金属－金属键接络合物单层和有机单层的交替单层的薄膜。
使用金属金属键络合物分子电子器件

[发明专利]针对不同部位皮肤使用活性剂的产品-CN200410095190.6有效
发明人： R·B·伊斯坦尼斯劳;D·L·兰比诺;C·林;杉本真贵 -专利权人：强生消费者公司
申请日： 2004-10-08 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： A61K7/48 文献下载
摘要：本发明涉及的产品包括第一水不溶性基材和第二水不溶性基材，其中(a)第一水不溶性基材和第二水不溶性基材的形状不同；(b)第一水不溶性基材含第一种活性剂；(c)第二水不溶性基材含第二种活性剂，但不含第一种活性剂。
针对不同部位皮肤使用活性剂产品

[发明专利]用于实现在存储器控制器和存储器模块之间的一个缓冲菊花链连接的装置-CN01819005.7有效
发明人： J·哈尔伯特;R·博内拉;C·林;J·多德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2001-09-18 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：多个通过一个提供用于每个存储器模块的点对点连接的菊花链的存储器模块接口。在该菊花链中的第一和最后一个存储器模块每个都连接到一个分隔的存储器控制器端口以形成一个环形电路。一个不同组的信号沿每个方向连接该存储器模块。在每个存储器模块中的连接电路提供了线路隔离与在该菊花链中相邻存储器模块的连接，或者在该菊花链中第一和最后存储器模块的情况中，与一个存储器模块和存储器控制器、以及一个数据同步电路的连接。每个连接电路还提供了电压转换以便在一个存储器模块上的存储器设备以一个与该存储器控制器不同的电压进行操作，以及多路复用/解多路复用以便一个更少数量的线路与每个连接电路接口。
用于实现存储器控制器模块之间一个缓冲菊花连接装置

[发明专利]调整输入/输出电路的相位的方法和装置-CN01813919.1有效
发明人： K·王;G·泰勒;S·金;C·－Y·曹;C·林 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2001-06-07 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： H03L7/081 文献下载
摘要：用于集成电路芯片的输入/输出电路的输入/输出时钟相位调整电路。在一个实施例中，集成电路芯片包括经连接以接收系统时钟的相位调整电路。相位调整电路生成输入/输出时钟，该时钟经连接被集成电路芯片的输入/输出电路接收，用于系统中的输入/输出数据传输。相位调整电路包括经连接而通过第一延迟电路接收系统时钟的锁相环电路。该锁相环电路所生成的输入/输出时钟通过第二延迟电路在锁相环电路的反馈时钟输入端被接收。第一和第二延迟电路被用于相对于系统时钟控制锁相环电路所生成的输入/输出时钟的相位。在一个实施例中，集成电路的输入/输出电路的输入/输出数据通道中包含第三延迟电路。所述第三延迟电路使来自该集成电路的输入和输出数据传输能以与系统时钟异相的方式定时。
调整输入输出电路相位方法装置

[发明专利]改善化学机械抛光的均匀性-CN00104365.X有效
发明人： C·林;R·范登伯格;S·潘德 -专利权人：因芬尼昂技术北美公司
申请日： 2000-03-20 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：通过提高对浆料分布的控制改善了CMP的均匀性。通过例如使用浆料分送器将浆料从多个分送点分送浆料改善了浆料分布。在浆料和衬底之间提供挤压杆以重新分布浆料，也提高了对浆料分布的控制。
改善化学机械抛光均匀

[发明专利]防止堆叠电容器的部件间相互作用的延伸沟槽-CN99126739.7无效
发明人： C·林;A·克诺尔 -专利权人：西门子公司
申请日： 1999-12-10 - 公布日： 2000-06-14 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：根据本发明的堆叠电容器包括设置于沟槽内的连接存取器件的导电栓塞。阻挡层形成于该栓塞上,并设置于沟槽内。介质层形成于沟槽之上,穿通电介层形成有孔,从而至少露出阻挡层的一部分。第一电极形成于孔内,从孔延伸出。电容器介质层形成于第一电极上,隔开第一电极与第二电极,所说介质层和第一电极基本上防止了阻挡层材料和电容器介质层材料及形成电容器介质层时所用的氧化环境间的化学作用。还涉及一种制造方法。
防止堆叠电容器部件相互作用延伸沟槽