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[发明专利]用于沉积多晶硅的反应器-CN201680060315.2有效
发明人： H·克劳斯;C·库察 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2016-10-11 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于沉积多晶硅的反应器，所述反应器的侧面和顶部由反应器壁划界，底部由基板划界，其包括多个丝棒、进料气体系统和废气系统，所述多个丝棒可通过直接通入电流而加热，并附着于所述基板上，所述进料气体系统由所述基板中的一个或多个开口中通过用于向反应器中通入含硅反应气体混合物，所述废气系统由所述基板中的一个或多个开口中通过用于从反应器中排出废气。本发明的特征在于，所述进料气体系统和/或废气系统包括至少一个由金属、陶瓷或CFC制成的保护元件，所述保护元件具有多个开口或网状孔。所述保护元件的开口和网状孔的构造使得只有可通过冲洗从所述进料气体系统或废气系统中去除的硅碎片能进入到保护元件下方的进料气体系统或废气系统中。
用于沉积多晶反应器

[发明专利]对CVD反应器中的电极夹持器进行绝缘和密封的设备-CN201680060401.3有效
发明人： D·伦施密德;H·克劳斯;C·库察 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明涉及对CVD反应器中的电极夹持器进行绝缘和密封的设备，所述反应器包括适合于容纳细丝棒的电极，电极位于由导电材料制成并且安装在底板的凹坑中的电极夹持器上，其中在电极夹持器与底板之间设置有由在室温下的热导率为0.2至50W/mK、最小弯曲强度大于120MPa且在室温下的电阻率大于109Ωcm的材料制成的电绝缘环，其中在电极夹持器与底板之间具有至少两个环形密封元件以实现密封，其中电绝缘环或电极夹持器或底板包括至少一个凹槽，第一密封元件固定在凹槽中，其中在电绝缘环与底板之间或者在电绝缘环与电极夹持器之间具有至少一个并非固定在凹槽中的第二密封元件。
cvd 反应器中的电极夹持进行绝缘密封设备

[发明专利]绝缘和密封CVD反应器中的电极夹持机构的设备-CN201580061012.8有效
发明人： H·克劳斯;C·库察;D·伦施密德 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及绝缘和密封CVD反应器中的电极夹持机构的设备，其包括适合于容纳细丝棒的电极，电极位于安装在底板的凹坑中的由导电材料制成的电极夹持机构上，其中在电极夹持机构与底板之间设置由室温下的比导热率为1至200W/mK、持续使用温度大于或等于400℃且室温下的电阻率大于10⁹Ωcm的材料制成的电绝缘环，其中设置至少两个环形密封元件以在电极夹持机构与底板之间实现密封，其中电绝缘环或电极夹持机构或底板包括将密封元件固定在其中的凹槽，其中至少一个密封元件固定在安装在电极夹持机构中或安装在底板中的位于电绝缘环上方或下方的凹槽中。
绝缘密封 cvd 反应器中的电极夹持机构设备

[发明专利]用于保护沉积多晶硅的反应器中的电极密封的装置-CN201480009598.9有效
发明人： H·克劳斯;A·黑根;C·库察 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： B01J15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种保护用于沉积多晶硅的反应器中的电极密封的装置，其中在电极的电极固定器(1)和反应器的底板(3)之间的中间空间中设置密封体(2)，其中提供保护环(4)，所述保护环径向环绕电极固定器(1)和密封体(2)，并且接触底板，或者提供罩(6)，所述罩径向环绕电极固定器(1)和密封体(2)，并且接触电极固定器(1)，条件是如果除了保护环(4)之外，不提供其他径向环绕电极固定器(1)和密封体(2)或接触电极固定器的保护体，则一体式或多块式保护环(4)横向接触电极固定器(1)并且由电绝缘材料构成，所述电绝缘材料在室温下的电阻率为大于109Ωcm，以及在室温下的导热率为大于10W/mK。
用于保护沉积多晶反应器中的电极密封装置