专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]量子级联激光器-CN201480064803.1有效
  • C·G·卡诺;C·E·扎赫;谢峰 - 统雷量子电子有限公司
  • 2014-11-26 - 2019-06-18 - H01S5/34
  • 一种量子级联激光器结构,包括多个量子阱和多个势垒,所述多个量子阱的至少一部分限定了一激活区,所述激活区的一端邻接一注入势垒,其中:在限定激活区的多个量子阱中的两个或多个相邻量子阱位于注入势垒的附近,并且每一个所述两个或多个量子阱都具有一宽度,所述宽度比所述限定激活区的多个量子阱中两个或多个后续量子阱的宽度要窄。所述生成的激活区具有增加的从较高的光子发射能态跃迁到较低的光子发射能态的寿命,并带来更高的效率和更好的整体性能,特别是对于在长波长(>7μm)上发射或者产生激光的设备。
  • 量子级联激光器
  • [发明专利]用于光电子器件的无源波导结构-CN201580020836.0有效
  • C·G·卡诺;谢峰;C·E·扎赫 - 统雷量子电子有限公司
  • 2015-02-23 - 2019-05-07 - H01S5/20
  • 公开了一种具有光学模式和增益区的半导体光发射器,所述光发射器包括由半导体材料A和B的双交替层制成的低损耗波导结构,半导体材料A和B分别具有折射率Na和Nb,低损耗波导中的光学模式的有效折射率No处于Na和Nb之间。其中No与增益区折射率的差值在5%的误差容限内,其中所述增益区是与低损耗波导相对接,其中所述低损耗波导中的光学模式的大小及形状和增益区的大小及形状的差值在10%的误差容限内。理想地,所述半导体材料A和B中至少一个具有足够较大的带隙,使得在15V的偏压下,无源波导结构能够阻挡电流。
  • 用于光电子器件无源波导结构
  • [发明专利]具有P型隔离区的多段量子级联激光器-CN201280013813.3有效
  • C·G·卡诺;谢峰;C-E·扎 - 康宁股份有限公司
  • 2012-03-08 - 2013-12-04 - H01S5/0625
  • 提供了量子级联激光器及其制造方法。该量子级联激光器包括沿激光器的波导轴延伸的一个或多个p型电隔离区(40)和多个电隔离的激光器段(10,12,16)。有源波导芯(20)被夹在上侧(22,26)和下侧(24)n型包覆层之间,且有源芯以及上侧和下侧n型包覆层延伸通过该量子级联激光器的电隔离的激光器各段。上侧n型包覆层的一部分包括足够多的p型掺杂剂变为p型且变为电隔离区,该电隔离区沿着用于分离该量子级联激光器各段的突出物、横跨上侧n型包覆层的厚度的至少一部分而延伸。
  • 具有隔离量子级联激光器

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