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专利名称

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公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括排气管的衬底处理设备-CN202310389478.7在审
发明人：任平 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：公开了一种衬底处理设备。示例性衬底处理设备包括设置有室壁的反应室；设置在反应室内以支撑衬底的基座；气体供应单元，用于向衬底供应气体；以及设置在反应室内的排气管，包括：包括第一内端和第二内端的内环；其中第一内端配置为接触室壁的底部；以及设置有多个孔的外环，该外环包括第一外端和第二外端；其中第一外端配置为接触室壁的一侧，第二外端配置为与第二内端接合。
包括排气管衬底处理设备

[发明专利]用于形成碳氧化硅层的方法和系统及使用其形成的结构-CN202310423857.3在审
发明人：冉凡勇;刘泽铖;久保田智广;吉田嵩志;冈部介 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/515 文献下载
摘要：公开了在衬底表面上形成碳氧化硅层的方法。示例性方法包括向反应室提供无氧反应物，并执行一个或多个沉积循环，其中每个沉积循环包括在硅前体脉冲周期内向反应室提供硅前体，并且在等离子体功率周期内提供等离子体功率，以形成碳氧化硅层。示例性硅前体包括含有硅、氧、碳和可选的氮的分子。硅前体可以进一步包括以下中的一个或多个：(i)一个或两个硅‑氧键，(ii)一个或两个硅‑碳键，或(iii)一个碳‑碳双键。
用于形成氧化方法系统使用结构

[发明专利]使用纳米颗粒形成超晶格结构的方法-CN202310449981.7在审
发明人： J·德克斯 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：使用纳米颗粒形成包括含硅外延层超晶格的结构的方法和系统。示例性方法可以包括原位形成纳米颗粒并将纳米颗粒沉积到衬底表面上，从而形成外延层。
使用纳米颗粒形成晶格结构方法

[发明专利]通过等离子体增强原子层沉积沉积可流动SICN膜-CN202310390291.9在审
发明人：吉本信哉;J·R·古希特;五十岚诚;福田秀明;奥雷利·黑田;T·布兰夸特;小沼隆大 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：根据本文的一些实施例，描述了用于薄膜的可流动沉积的方法和设备。一些实施例涉及用于间隙填充的循环处理器，其中沉积之后是热退火和紫外线处理，并且重复进行。在一些实施例中，沉积、热退火和紫外线处理在单独的站中进行。在一些实施例中，第二站被加热到比第一站更高的温度。在一些实施例中，单独的模块用于固化。
通过等离子体增强原子沉积流动 sicn

[发明专利]具有风扇过滤器单元的接口模块-CN202310397245.1在审
发明人：中野雅史;诹访田雅英 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： F25D31/00 文献下载
摘要：一种接口模块的示例包括：包括风扇和过滤器的风扇过滤器单元；围绕邻近过滤器的空间的壳体；附接到壳体的排放系统；设置在壳体中的衬底支撑仪器；围绕邻近风扇的空间的上壳体；附接到上壳体的气体供应系统；连接到壳体和上壳体的流通导管；以及设置在风扇和过滤器之间的散热器。
具有风扇过滤器单元接口模块

[发明专利]包括衬底传送机器人的衬底处理设备-CN202310358797.1在审
发明人：西胁和浩;村上隆弘 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：公开了一种衬底处理设备。示例性衬底处理设备包括多个反应室；多个基座，其设置在反应室内并配置成支撑衬底；设置在衬底处理设备内的衬底传送机器人，其包括：包括多个臂的旋转臂，所述臂配置为在反应室之间传送衬底；以及连接到多个臂的旋转轴；配置为旋转旋转轴的马达；配置为驱动马达的马达控制器；以及第一传感器，其一部分设置在多个臂中的至少一个上。
包括衬底传送机器人处理设备

[发明专利]用于室盖冷却的方法和设备-CN202310318742.8在审
发明人： A·金蒂;A·法德尼斯;K·范德如里奥;T·菲茨杰拉德 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种用于半导体处理的反应器系统，例如用于化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)和其他沉积步骤，其利用具有两个或更多个反应室的反应器模块。反应器系统包括冷却系统的部件，以在包围包含反应室的壳体或容器的室盖上提供增强的温度均匀性。部分地，冷却系统适于利用对流传热，并且包括位于反应室喷淋头的外部部分之间的中心空间中的室盖中心的带翅片的散热器。此外，冷却系统包括风扇，该风扇定位成使其出口位于中心空间并位于带翅片的散热器上方，使得空气被导入中心空间并到散热器上。
用于冷却方法设备

[发明专利]气体输送组件和包括该组件的反应器系统-CN202310369207.5在审
发明人： T·菲茨杰拉德;R·巴特 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：公开了一种气体输送组件和包括该气体输送组件的反应器系统。气体输送组件包括传输管和挡板，以促进可以包括活性物种的气体的期望分布。
气体输送组件包括反应器系统

[发明专利]门开启器和一同提供的衬底处理设备-CN202010206476.6有效
发明人： J.弗卢伊特 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开涉及一种打开含有衬底的匣盒的门的门开启器，所述开启器具有第一壁和第二壁，所述第一壁与所述匣盒接合并且具有第一开口以转移所述匣盒的所述门和衬底，所述第二壁与所述第一壁相对并且具有第二开口以转移衬底。所述门开启器可具有封闭装置，所述封闭装置抓住所述匣盒的所述门并具有第一侧和第二侧且可在形成于所述第一壁与第二壁之间的室中移动。所述开启器可具有第一致动器以使所述封闭装置在第一方向上从第一闭合位置移动到第二闭合位置以及从所述第二闭合位置移动到所述第一闭合位置与第二闭合位置之间的输送位置，在所述第一闭合位置，所述第一侧抵靠着所述第一壁闭合，在所述第二闭合位置，所述第二侧抵靠着所述第二壁闭合。
开启一同提供衬底处理设备

[发明专利]高温计控制的多晶片清洁过程-CN202310305083.4在审
发明人： E·苏亚雷斯;A·卡杰巴夫瓦拉;C·米斯金;B·B·乔希斯沃兰;A·德莫斯 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：一种使用基于高温计的控制来沉积外延材料层的方法。该方法包括清洁反应器系统的反应室，并且在清洁之后，在反应室内提供衬底。该方法包括相对于目标沉积温度稳定衬底的温度。在稳定过程中，加热器组件用控制信号操作，以操作加热器组件中的加热器，该控制信号基于衬底温度的直接测量产生，例如用一到三个高温计。该方法包括，在稳定衬底温度之后，在衬底表面上沉积外延材料层。然后，对于额外数量的衬底，该方法包括重复以下步骤：在反应室内提供衬底，稳定衬底的温度，以及在衬底上沉积外延材料层，随后进行另一次室清洁。
高温控制多晶清洁过程

[发明专利]气相沉积过程、反应物和沉积组件-CN202310300641.8在审
发明人： S·T·巴里;G·巴西克;C·德泽拉;T·布兰夸特;R·H·J·沃乌尔特;P·戈登 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本公开涉及在衬底上沉积含金属或半金属材料的气相方法。在该方法中，各种金属或半金属前体可以与可以产生氢自由基或氨基自由基的反应物一起使用，以与金属或半金属前体反应，从而在衬底上沉积含金属或半金属材料。本公开还涉及通过所公开的方法沉积的材料和结构，以及沉积组件。
沉积过程反应物组件

[发明专利]衬底处理设备及其制造方法-CN202310267584.8在审
发明人：田星训;B·P·朴;上田真也 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种制造衬底处理设备的冷却装置的方法，包括：提供具有通孔的铝板；通过阳极氧化铝板形成温度控制部分；以及将温度控制部分布置在衬底支撑部分下方，其中温度控制部分布置成使得衬底支撑部分的支撑杆穿过通孔。
衬底处理设备及其制造方法

[发明专利]半导体处理系统和组装方法-CN202310273291.0在审
发明人： A·加森 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种半导体处理系统和一种用于在半导体制造工厂的房间中组装这种系统的方法。该系统包括设备模块和基座。设备模块可以在基座上移动，以将设备模块带到末端位置，并且可以具有多个止动表面。该方法包括将基座放置在房间中，将两个止动件放置在基座上并相对于房间中的参考元件定位两个止动件，以及将定位的止动件连接到基座，使得其在X方向和Y方向上的位置固定。设备模块可以在基座上移动，直到设备模块的止动表面抵靠止动件，以便相对于参考元件在X方向和Y方向上定位设备模块。
半导体处理系统组装方法

[发明专利]控制半导体处理系统排放装置中的堆积的系统和方法-CN202310262390.9在审
发明人： G·戴耶;C·米斯金;F·高;高培培 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种半导体处理系统包括室装置、连接到室装置的排放装置、支撑在排放装置内的堆积传感器以及处理器。处理器设置成与堆积传感器通信，并响应记录在非暂时性机器可读介质上的指令，以接收来自堆积传感器的堆积信号，该堆积信号指示设置在排放装置内的堆积量，接收预定堆积量值，并将该堆积量与预定堆积量值进行比较。这些指令还使处理器在接收到的堆积量大于预定堆积量值时执行堆积对策。还描述了控制半导体处理系统的排放装置和半导体处理系统的前级管道组件内的堆积的方法。
控制半导体处理系统排放装置中的堆积方法

[发明专利]衬底处理方法-CN202310238388.8在审
发明人：千承珠;C·W·李 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：公开了一种处理衬底的方法，包括：将衬底提供到反应空间中，衬底包括具有预定横截面积和深度的间隙，执行第一子循环步骤，用于通过原子层沉积方法沿着间隙的表面沉积预定厚度的间隙填充材料，执行第二子循环步骤，用于使用沉积抑制剂在间隙的上部区域中形成沉积抑制区域，并重复超循环，使得间隙的入口区域的横截面积保持大于位于入口区域下方的其下部区域的横截面积，超循环包括至少一个第一子循环和至少一个第二子循环，其中间隙被填充而在间隙中不出现空隙。此外，公开了一种使用上述公开的方法来控制空隙在间隙中的位置的衬底处理方法。
衬底处理方法

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