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[发明专利]具有电容功能的用于集成电路的连接结构-CN201180058905.9有效
发明人： A·帕加尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明在单个结构中组合了焊垫以及至少一个电容器，所述焊垫包括适用于将集成在芯片中的电路元件连接至位于芯片自身外部的电路的连接端子。通过将连接焊垫和电容器组合在单个结构中，能够减小否则由于电容器的存在而在通常集成电路中将更大的芯片的总面积。如此方式，可以减小芯片的成本和尺寸。
具有电容功能用于集成电路连接结构

[发明专利]用于固体结构内的参数监控设备的由建筑材料制成的封装体以及相关设备-CN201380024932.3有效
发明人： A·帕加尼;B·穆拉里;F·G·齐格利奥利;M·龙奇;G·里科蒂 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2013-05-23 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： G01D11/24 文献下载
摘要：描述了一种用于设备(100)的封装体(15)，该设备可插入在固体结构(300)中以用于检测和监控一个或多个局部参数。封装体(15)由建筑材料制成，该建筑材料由微米或亚微米尺寸的颗粒形成。进一步描述了一种用于检测和监控固体结构内的一个或多个局部参数的设备(100)。设备(100)包括具有至少一个集成传感器(10)的集成检测模块(1)，以及具有如上所述特性的封装体(15)，该封装体设置以便于覆盖设备(100)的包括集成检测模块(1)的至少一部分。也描述了一种用于制造设备(100)的方法，以及用于监控包括该设备(100)的固体结构(300)中参数的系统(200)。
用于固体结构参数监控设备建筑材料制成封装以及相关

[发明专利]分离巨大戟醇的方法-CN201280048764.7有效
发明人： M·L·贝里多卡贝洛德阿巴;G·阿潘迪诺;A·帕加尼;E·穆诺佐布朗科 -专利权人：因德纳有限公司
申请日： 2012-10-02 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： C07C45/85 文献下载
摘要：本发明涉及以单一步骤从二萜酯和巨大戟醇酯的混合物中分离巨大戟醇(C₂₀H₂₈O₅)的新方法。利用所述方法分得的巨大戟醇可用作前体，用于合成生物活性的巨大戟醇衍生物例如巨大戟醇‑3‑当归酸酯和巨大戟醇‑3‑顺芷酸酯。
分离巨大方法

[实用新型]压力传感器、压力测量设备以及制动系统-CN201520972088.3有效
发明人： A·帕加尼;B·穆拉里;M·费雷拉;D·朱斯蒂;D·卡尔塔比亚诺 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本公开涉及一种压力传感器、压力测量设备以及制动系统，压力传感器(15)带有双测量刻度，包括：柔性本体(16，34)，设计成根据压力(P)而经受偏转；压阻转换器(28，29；94)，用于检测偏转；第一聚焦区域(30)，设计成在第一操作条件过程中将压力(P)的第一值(P_INT1)集中在柔性本体的第一部分(19)中，以便使柔性本体的第一部分发生偏转；以及第二聚焦区域(33)，设计成在第二操作条件过程中将所述压力(P)的第二值(P_INT2)集中在柔性本体的第二部分(17)中，以便使柔性本体的第二部分发生偏转。压阻转换器将柔性本体的第一部分的偏转关联至第一压力值(P_INT1)，并且将柔性本体的第二部分的偏转关联至第二压力值(P_INT2)。
压力传感器压力测量设备以及制动系统

[发明专利]具有绝缘沟槽的IC及相关的方法-CN201510824999.6在审
发明人： A·帕加尼;G·吉兰多;F·G·齐格利奥利;A·菲诺基亚洛 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： G01N33/38 文献下载
摘要：本公开涉及具有绝缘沟槽的IC及相关的方法。一种IC可以包括：半导体衬底，半导体衬底具有形成在衬底中的电路；在半导体衬底上方并且具有耦合到电路的天线的互连层；以及在互连层的外围周围的密封环。IC可以包括竖直地延伸到半导体衬底中并且从半导体衬底的相邻的一侧向半导体衬底的相邻的另一侧横向地延伸跨过半导体衬底的电绝缘沟槽。
具有绝缘沟槽 ic 相关方法

[实用新型]集成电路-CN201520946134.2有效
发明人： A·帕加尼;G·吉兰多;F·G·齐格利奥利;A·菲诺基亚洛 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本公开涉及集成电路。一种IC可以包括：半导体衬底，半导体衬底具有形成在衬底中的电路；在半导体衬底上方并且具有耦合到电路的天线的互连层；以及在互连层的外围周围的密封环。IC可以包括竖直地延伸到半导体衬底中并且从半导体衬底的相邻的一侧向半导体衬底的相邻的另一侧横向地延伸跨过半导体衬底的电绝缘沟槽。
集成电路

[实用新型]压力感测设备-CN201520977679.X有效
发明人： A·帕加尼;F·G·齐格利奥利;B·穆拉里 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： G01L1/00 文献下载
摘要：一种压力感测设备，可以包括主体，其配置为将施加在彼此相抵靠地放置的第一部分和第二部分之间的负载进行分布，以及由所述主体承载的压力感测器。所述压力感测器可以包括支撑主体，以及通过所述支撑主体安装并且限定了其间的空腔的IC裸片。所述IC裸片可以包括响应于与空腔相关联的弯曲的压力感测电路，以及与所述压力感测电路耦合的IC接口。
压力设备

[实用新型]张应力测量设备-CN201520967108.8有效
发明人： A·帕加尼;B·穆拉里;F·G·齐格利奥利 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本公开涉及张应力测量设备。一种张应力测量设备要附接到待测量对象。张应力测量设备可以包括具有半导体衬底和张应力测量电路的IC，半导体衬底具有相对的第一附接区域和第二附接区域。张应力测量设备可以包括耦合到第一附接区域并且向外延伸以附接到待测量对象的第一附接板以及耦合到第二附接区域并且向外延伸以附接到待测量对象的第二附接板。张应力检测电路可以被配置成检测在第一附接板和第二附接板附接到待测量对象时施加在第一附接板和第二附接板上的张应力。
应力测量设备

[实用新型]集成电路-CN201520946630.8有效
发明人： A·帕加尼;A·莫塔 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请涉及集成电路。集成电路可包括半导体衬底以及半导体电阻器。半导体电阻器可包括在半导体衬底中并具有第一导电性类型的阱、在阱中具有L形并具有第二导电性类型的第一电阻性区域、以及与第一电阻性区域相关联的调节元件。集成电路还可包括在半导体衬底上的电阻补偿电路。电阻补偿电路可以被配置为测量第一电阻性区域的初始电阻，并基于测得的初始电阻在调节元件处产生电压，以调节第一电阻性区域的工作电阻。根据本实用新型的方案，可以提供一种能够减小/消除平面应力影响的改进的集成电路。
集成电路

[实用新型]压力传感器与测试器件-CN201520778734.2有效
发明人： A·帕加尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： G01L1/00 文献下载
摘要：本公开涉及压力传感器与测试器件。压力传感器用于定位在结构内。压力传感器可以包括具有响应于弯曲的压力传感器电路和耦合到压力传感器电路的收发器电路的压力传感器集成电路(IC)。压力传感器可以包括在其中具有凹陷、耦合到压力传感器集成电路IC的支撑体，使得压力传感器集成电路IC在压力传感器集成电路IC受到外部压力时向凹陷内弯曲。
压力传感器测试器件

[实用新型]检测装置-CN201520669198.2有效
发明人： S·洛伊;A·帕加尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： G01N15/00 文献下载
摘要：本申请涉及检测装置。该检测装置形成在具有第一面、第二面和腔的半导体材料的本体中。检测区域形成在腔中，并且气泵集成在本体中并且被配置成迫使气体朝向检测区域运动。光学型检测系统或者阿尔法粒子检测器至少部分地布置在检测区域中。根据本实用新型的实施例，可以实现增加检测效率并具有高灵敏度和短测量时间、小尺寸、低成本的集成检测装置。
检测装置

[实用新型]集成光电子器件和光电子系统-CN201420860754.X有效
发明人： A·帕加尼;A·莫塔;S·洛伊;G·基亚雷蒂 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：提供了一种集成光电子器件和光电子系统以克服现有技术不能形成基于光学通信并且包括更多器件的三维系统的缺点。集成电子器件由第一表面和第二表面界定，并且包括：由半导体材料制成的本体，在本体内部形成在探测器和发射器之间选择的至少一个光电子部件；以及光学路径，该光学路径至少部分地为引导类型的并且在第一表面和第二表面之间延伸，光学路径穿过本体。光电子部件通过光学路径光学耦合到自由空间的第一部分和自由空间的第二部分，该自由空间的第一部分和第二部分被分别布置在第一表面上方和第二表面下方。根据本公开的实施例的光电子器件和光电子系统可以形成基于光学通信并且包括更多器件的三维系统。
集成光电子器件光电子系统

[发明专利]具有波导的集成光电子器件以及其制造工艺-CN201380032245.6在审
发明人： A·帕加尼;A·莫塔;S·洛伊 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2013-07-02 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种集成电子器件由第一表面(S1)和第二表面(S2)界定，并且包括：由半导体材料制成的本体(2)，在本体内部形成在探测器(30)和发射器(130)之间选择的至少一个光电子部件；以及光学路径(OP)，该光学路径至少部分地为引导类型的并且在第一表面和第二表面之间延伸，光学路径穿过本体。光电子部件通过光学路径光学耦合到自由空间的第一部分和自由空间的第二部分，该自由空间的第一部分和第二部分被分别布置在第一表面上方和第二表面下方。
具有波导集成光电子器件及其制造工艺

[实用新型]建筑材料块以及建筑结构-CN201320602619.0有效
发明人： A·帕加尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H02J17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种建筑材料块和建筑结构。一种建筑材料块，包括：内部部分和包围所述内部部分的保护部分；磁回路，至少部分掩埋于所述内部部分，所述磁回路包括适配于通过其传送感应的可变磁场的材料；以及针对所述建筑材料的至少一个物理特性的多个感测设备，每个感测设备掩埋于所述内部部分中并且包括无接触功率供应电路，所述无接触功率供应电路被配置成与所述磁回路磁耦合，并且在所述磁回路承受所述可变磁场时通过感应生成供应电压。所述建筑结构包括上述建筑材料块。
建筑材料以及建筑结构

[实用新型]测试系统-CN201320192587.1有效
发明人： A·帕加尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2013-04-02 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型的实施例涉及测试系统，被配置成对至少部分地穿过包括半导体材料的本体的衬底延伸的至少一个通孔执行电测试，测试系统包括电测试电路，电测试电路被配置成实现通过电连接元件检测通孔的至少一个电学参数并且包括集成在衬底中的微电子掩埋结构以便限定在电连接元件和在衬底内的通孔之间的电路径；其中微电子掩埋结构包括至少一个第一掺杂掩埋区域，与通孔的掩埋在衬底内的并且不能从本体的外部访问的第一端至少部分地接触，第一掺杂掩埋区域具有与衬底相反的掺杂以便与衬底形成半导体结，该半导体结被设计为当其被正向偏置时限定电路径半导体结具有小于导电区域的在与垂直方向横切的水平面中的表面的面积的结面积。
测试系统