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[发明专利]非易失性存储器件的读取电路和方法-CN201811180366.6有效
发明人： C·鲍里诺;A·康特;A·R·M·里帕尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及非易失性存储器件的读取电路和方法。感测放大器电路可以与具有存储器阵列的非易失性存储器器件一起使用，该存储器阵列具有布置在字线和位线中并且耦合到相应源极线的存储器单元。该电路具有第一电路分支和第二电路分支，其在对存储在存储器单元中的数据的读取步骤期间在相应的第一比较输入和第二比较输入上接收来自与存储器单元相关联的位线的单元电流和参考电流，所述参考电流在差分读取操作中来自参考位线或者在单端读取操作中来自参考电流发生器。在数据读取步骤期间，第一和第二电路分支根据单元电流和参考电流之间的差值产生第一输出电压和第二输出电压。
非易失性存储器读取电路方法

[发明专利]用于读出放大器的浮置升压预充电方案-CN201910753946.8在审
发明人： A·康特;L·基亚拉蒙特;A·R·M·里帕尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： G11C7/08 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及用于读出放大器的浮置升压预充电方案。一种感测结构包括：读出放大器核，其被配置为将测量电流与参考电流进行比较；共源共栅晶体管，其耦合到读出放大器核并且被配置为耦合到负载；开关，其耦合在共源共栅晶体管的偏置电压节点和控制端子之间；本地电容器，其具有耦合到共源共栅晶体管的控制端子的第一端子；第一晶体管，其耦合在本地电容器的第二端子和参考端子之间；以及控制电路，其耦合到第一晶体管的控制端子，该控制电路被配置为将本地电容器与参考端子断开以在共源共栅晶体管的控制端子中产生电压过冲，并且在将本地电容器与参考端子断开之后，通过调整第一晶体管的控制端子的电压来限制或减少电压过冲。
用于读出放大器升压充电方案

[实用新型]一种感测结构和非易失性存储器-CN201921324397.4有效
发明人： A·康特;L·基亚拉蒙特;A·R·M·里帕尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： G11C7/08 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及感测结构和非易失性存储器。一种感测结构包括：读出放大器核，其被配置为将测量电流与参考电流进行比较；共源共栅晶体管，其耦合到读出放大器核并且被配置为耦合到负载；开关，其耦合在共源共栅晶体管的偏置电压节点和控制端子之间；本地电容器，其具有耦合到共源共栅晶体管的控制端子的第一端子；第一晶体管，其耦合在本地电容器的第二端子和参考端子之间；以及控制电路，其耦合到第一晶体管的控制端子，该控制电路被配置为将本地电容器与参考端子断开以在共源共栅晶体管的控制端子中产生电压过冲，并且在将本地电容器与参考端子断开之后，通过调整第一晶体管的控制端子的电压来限制或减少电压过冲。
控制端子电容器共源共栅晶体管耦合到参考端子晶体管读出放大器电压过冲感测结构控制电路耦合断开配置非易失性存储器参考电流测量电流偏置电压

[实用新型]感测放大器电路以及非易失性存储器件-CN201821642156.X有效
发明人： C·鲍里诺;A·康特;A·R·M·里帕尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及感测放大器电路以及非易失性存储器件，其中感测放大器电路可以与具有存储器阵列的非易失性存储器器件一起使用，该存储器阵列具有布置在字线和位线中并且耦合到相应源极线的存储器单元。该电路具有第一电路分支和第二电路分支，其在对存储在存储器单元中的数据的读取步骤期间在相应的第一比较输入和第二比较输入上接收来自与存储器单元相关联的位线的单元电流和参考电流，所述参考电流在差分读取操作中来自参考位线或者在单端读取操作中来自参考电流发生器。在数据读取步骤期间，第一和第二电路分支根据单元电流和参考电流之间的差值产生第一输出电压和第二输出电压。
感测放大器电路存储器单元参考电流电路分支非易失性存储器件存储器阵列单元电流读取操作输出电压位线非易失性存储器器件参考电流发生器读取数据读取步骤本实用新型参考位线差值产生源极线耦合到单端字线电路存储关联