|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 9个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]非线性高频放大器设备-CN201680038650.2有效
-
A·格雷德;A·阿尔特;D·格吕纳;A·拉班茨
-
通快许廷格两合公司
-
2016-06-30
-
2021-11-23
-
H03F3/193
- 一种非线性高频放大器设备(1)，其适用于在≥1MHz的频率下产生≥1kW的输出功率用于等离子体激励，所述非线性高频放大器设备包括：a.两个LDMOS晶体管(S1，S2)，所述两个LDMOS晶体管以其源极连接端分别与接地连接点(5)连接，其中，所述LDMOS晶体管(S1，S2)相同地构造并且布置在一个组件(封装)(3)中；b.功率变换器(7)，其初级绕组(6)与所述LDMOS晶体管(S1，S2)的漏极连接端连接；c.信号变换器(11)，其次级绕组(13)以第一端与一个LDMOS晶体管(S1)的栅极连接端(15)连接而以第二端与另一LDMOS晶体管(S2)的栅极连接端(17)连接，d.每个LDMOS晶体管(S1，S2)的从所述漏极连接端到所述栅极连接端(15，17)的分别一个反馈路径(34，35)。
- 非线性高频放大器设备
- [发明专利]高频放大器设备-CN201680038662.5有效
-
A·格雷德;A·阿尔特;D·格吕纳;A·拉班茨
-
通快许廷格两合公司
-
2016-06-30
-
2021-11-19
-
H03F3/193
- 一种高频放大器设备(1)，其适用于在≥2MHz的频率下产生≥1kW的输出功率用于等离子体激发，所述高频放大器设备包括：a.两个LDMOS晶体管(S1，S2)，所述两个LDMOS晶体管以其源极连接端分别与接地连接点(5)连接，其中，所述LDMOS晶体管(S1，S2)相同地构造并且布置在一个组件(3)(封装)中，b.印刷电路板(2)，所述印刷电路板平面地贴靠金属的冷却板(25)并且通过多个接地连接(8，19，21，24)与可与接地连接(26)的所述冷却板(25)连接，其中，所述组件(3)布置在所述印刷电路板上或布置在所述印刷电路板处，c.功率变换器(7)，所述功率变换器的初级绕组(6)与所述LDMOS晶体管(S1，S2)的漏极连接端连接，d.信号变换器(10)，所述信号变换器的次级绕组(13)以第一端通过一个或多个阻性元件(14)与一个LDMOS晶体管(S1)的栅极连接端(15)连接并且以第二端通过一个或多个阻性元件(16)与另一个LDMOS晶体管(S2)的栅极连接端(17)连接，其中，每个栅极连接端(15，17)通过至少一个进行电压限制的构件装置(18，20，18′，20′)与接地(19，21)连接。
- 高频放大器设备
- [发明专利]高频放大器装置-CN201680038821.1有效
-
A·格雷德;A·阿尔特;D·格吕纳;A·拉班茨
-
通快许廷格两合公司
-
2016-06-30
-
2021-09-28
-
H03F3/193
- 本发明涉及一种高频放大器装置(1)，其适用于在≥2MHz的频率下产生≥1kW的输出功率以用于等离子体激发，所述高频放大器装置包括：a.两个晶体管(S1，S2)，所述两个晶体管借助它们的源极连接端或发射极连接端分别与接地连接点(5)连接，其中，所述晶体管(S1，S2)构造成相同类型的并且布置在多层的电路板(2)上，b.功率变换器(7)，所述功率变换器的初级绕组(6)与所述晶体管(S1，S2)的漏极连接端或集电极连接端连接，c.所述功率变换器(7)的初级绕组(6)和次级绕组(4)分别实施为布置在所述多层的电路板(2)的不同的上层(61，62)中的平面印制导线。
- 高频放大器装置
- [发明专利]具有多个放大器路径的电源系统以及用于激发等离子体的方法-CN201480069013.2有效
-
A·阿尔特;A·格雷德;D·格吕纳;A·拉班茨
-
通快许廷格两合公司
-
2014-12-16
-
2019-03-26
-
H01J37/32
- 一种电源系统(2、20)，该电源系统(2、20)包括功率转换器(3、30)，该功率转换器(3、30)产生高频功率信号并且可以连接到负载(6)以便向等离子体处理或气体激光器处理供应功率，其中，功率转换器(3、30)具有包括一个第一放大器路径(42)和一个第二放大器路径(43)的至少一个放大器级(40)，在各个情况下第一放大器路径(42)和第二放大器路径(43)具有放大器(42a、43a)，其中，第一放大器路径(42)在其输出端处发射第一放大器路径输出信号并且第二放大器路径(43)在其输出端处发射第二放大器路径输出信号，该第二放大器路径输出信号具有相对于第一放大器路径输出信号的相位偏移，该相位偏移不等于且具体而言大于0°并且不等于且具体而言小于180°，其中，放大器路径(42、43)连接到相移耦合器单元(47)，其将来自放大器路径(42、43)的输出信号耦合至高频功率信号，电源系统(2、20)的特征在于：至少一个放大器(42a、43a)包括场效应晶体管(60、T1、T2)，其在晶体管部件(61)中被实现，其半导体结构被构造成大体上成层，具体而言被实现为包括沟道(71)的平面半导体部件，其中，沟道(71)中流动的电流压倒性地沿横向方向进行，即大体上平行于半导体结构的层。
- 具有放大器路径电源系统以及用于激发等离子体方法
|
