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- [发明专利]用于阻抗匹配的方法、阻抗匹配布置和等离子体系统-CN202280018122.6在审
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F·迈尔;C·博克;M·莫尔科夫斯基
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通快许廷格两合公司
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2022-03-01
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2023-10-20
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H03H7/40
- 本发明涉及一种用于借助阻抗匹配网络(2)的阻抗匹配的方法，该阻抗匹配网络具有用于连接HF功率发生器(5)的输入端(3)和用于连接到负载(6)的输出端(4)，该阻抗匹配网络至少具有第一和第二串联接通的匹配级(10，12)，所述匹配级分别具有可变电抗(XP，XS)，该方法具有以下步骤：a)测量输入阻抗(Zin)，b)由所测量的输入阻抗(Zin)和所述匹配级中的至少一个匹配级的至少一个当前状态值来求取中间阻抗(Zinter)，c)由该中间阻抗(Zinter)和该阻抗匹配网络(2)的模型来求取针对匹配级(10，12)的至少一个电抗(XP，XS)的改变期望值(dXP，dXS)，d)基于该改变期望值(dXP，dXS)来改变所述匹配级(10，12)中的至少一个匹配级的状态，e)重复所述步骤a)至d)。
- 用于阻抗匹配方法布置等离子体系统
- [发明专利]可切换电抗单元、可变电抗、HF发生器和具有可切换电抗单元的阻抗匹配布置-CN202180059468.6在审
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B·诺德曼
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通快许廷格两合公司
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2021-06-18
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2023-06-06
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H03H7/40
- 本发明涉及一种可切换电抗单元(100，101)，所述可切换电抗单元具有HF连接部(112)和电路布置(116)，所述HF连接部用于连接到传输线路(114)上，所述传输线路用于在范围1‑200MHz中的频率的情况下传输信号，所述电路布置具有多个并联置入的切换元件(T1‑T3)，所述切换元件分别具有操控连接部(G)，其特征在于，每个切换元件通过分配给所述切换元件的、与所述切换元件串联连接的至少一个单个电抗(C11‑C13，C21‑C23)连接到所述HF连接部(12)上，其中，所述切换元件通过所述切换元件的操控连接部能够这样操控或者这样操控，使得所述切换元件同时进行切换。还公开一种可变电抗(18，20，22)，所述可变电抗具有可切换电抗单元(100)。还公开一种阻抗匹配布置(11)，所述阻抗匹配布置具有可切换电抗单元(100，101)并且具有控制装置(32)。还公开一种HF功率发生器(40)，所述HF功率发生器具有至少一个可变电抗(18，20，22)。还公开一种等离子体供给系统(1)，所述等离子体供给系统具有HF功率发生器(40)、负载(28)和阻抗匹配布置(11)，所述负载呈以高频(HF)运行的、用于对衬底进行涂覆或者蚀刻的等离子体过程的形式。还公开一种用于例如在等离子体供给系统(1)中运行阻抗匹配布置(11)和/或HF功率发生器(40)的方法。
- 切换电抗单元可变hf发生器具有阻抗匹配布置
- [发明专利]非线性高频放大器设备-CN201680038650.2有效
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A·格雷德;A·阿尔特;D·格吕纳;A·拉班茨
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通快许廷格两合公司
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2016-06-30
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2021-11-23
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H03F3/193
- 一种非线性高频放大器设备(1)，其适用于在≥1MHz的频率下产生≥1kW的输出功率用于等离子体激励，所述非线性高频放大器设备包括：a.两个LDMOS晶体管(S1，S2)，所述两个LDMOS晶体管以其源极连接端分别与接地连接点(5)连接，其中，所述LDMOS晶体管(S1，S2)相同地构造并且布置在一个组件(封装)(3)中；b.功率变换器(7)，其初级绕组(6)与所述LDMOS晶体管(S1，S2)的漏极连接端连接；c.信号变换器(11)，其次级绕组(13)以第一端与一个LDMOS晶体管(S1)的栅极连接端(15)连接而以第二端与另一LDMOS晶体管(S2)的栅极连接端(17)连接，d.每个LDMOS晶体管(S1，S2)的从所述漏极连接端到所述栅极连接端(15，17)的分别一个反馈路径(34，35)。
- 非线性高频放大器设备
- [发明专利]高频放大器设备-CN201680038662.5有效
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A·格雷德;A·阿尔特;D·格吕纳;A·拉班茨
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通快许廷格两合公司
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2016-06-30
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2021-11-19
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H03F3/193
- 一种高频放大器设备(1)，其适用于在≥2MHz的频率下产生≥1kW的输出功率用于等离子体激发，所述高频放大器设备包括：a.两个LDMOS晶体管(S1，S2)，所述两个LDMOS晶体管以其源极连接端分别与接地连接点(5)连接，其中，所述LDMOS晶体管(S1，S2)相同地构造并且布置在一个组件(3)(封装)中，b.印刷电路板(2)，所述印刷电路板平面地贴靠金属的冷却板(25)并且通过多个接地连接(8，19，21，24)与可与接地连接(26)的所述冷却板(25)连接，其中，所述组件(3)布置在所述印刷电路板上或布置在所述印刷电路板处，c.功率变换器(7)，所述功率变换器的初级绕组(6)与所述LDMOS晶体管(S1，S2)的漏极连接端连接，d.信号变换器(10)，所述信号变换器的次级绕组(13)以第一端通过一个或多个阻性元件(14)与一个LDMOS晶体管(S1)的栅极连接端(15)连接并且以第二端通过一个或多个阻性元件(16)与另一个LDMOS晶体管(S2)的栅极连接端(17)连接，其中，每个栅极连接端(15，17)通过至少一个进行电压限制的构件装置(18，20，18′，20′)与接地(19，21)连接。
- 高频放大器设备
- [发明专利]高频放大器装置-CN201680038821.1有效
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A·格雷德;A·阿尔特;D·格吕纳;A·拉班茨
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通快许廷格两合公司
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2016-06-30
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2021-09-28
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H03F3/193
- 本发明涉及一种高频放大器装置(1)，其适用于在≥2MHz的频率下产生≥1kW的输出功率以用于等离子体激发，所述高频放大器装置包括：a.两个晶体管(S1，S2)，所述两个晶体管借助它们的源极连接端或发射极连接端分别与接地连接点(5)连接，其中，所述晶体管(S1，S2)构造成相同类型的并且布置在多层的电路板(2)上，b.功率变换器(7)，所述功率变换器的初级绕组(6)与所述晶体管(S1，S2)的漏极连接端或集电极连接端连接，c.所述功率变换器(7)的初级绕组(6)和次级绕组(4)分别实施为布置在所述多层的电路板(2)的不同的上层(61，62)中的平面印制导线。
- 高频放大器装置
- [发明专利]电感器和电感器装置-CN201680045101.8有效
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J-U·默林
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通快许廷格两合公司
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2016-08-01
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2021-06-01
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H05B6/10
- 一种用于感应加热的电感器(1)，其具有馈电线(8)、回线(10)以及主绕组部分(2)，所述主绕组部分具有具有第一旋转方向的至少一个主绕组(5)，其中，在所述主绕组部分(2)的两端上连接有具有与所述第一旋转方向相反的旋转方向的反绕组区段(3，4)，并且与所述至少一个反绕组区段(3，4)相比，所述主绕组部分(2)具有更多绕组，其中，所述反绕组区段(3，4)与所述主绕组部分(2)彼此同心地布置并且它们共同具有柱体的形状，其中，所述主绕组部分(2)通过串联连接与所述反绕组区段(3，4)直接彼此连接。
- 电感器装置
- [发明专利]定向耦合器-CN201680038661.0有效
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A·格雷德;A·阿尔特;D·格吕纳;N·施维格;C·旺格勒
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通快许廷格两合公司
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2016-06-30
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2020-11-06
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H01P5/18
- 一种定向耦合器(1)，所述定向耦合器至少部分地构造在尤其多层式印刷电路板(2)中，所述定向耦合器具有用于传输功率的主线路(3)并且具有至少一个辅助线路(6，7)，所述至少一个辅助线路在具有耦合区段(4，5)的耦合区域中与所述主线路(3)平行地并且间隔开地布置，其中，在所述耦合区域中，所述主线路(3)和/或所述至少一个辅助线路(6，7)布置在所述印刷电路板(2)的内部中，其特征在于，设有m个第一附加耦合线路(12‑15)，m≥1，所述第一附加耦合线路具有耦合区段(8‑11)，所述耦合区段与所述至少一个辅助线路(6，7)的耦合区段(4，5)平行地并且间隔开地延伸，其中，所述第一附加耦合线路(12‑15)具有连接端(16‑19)，所述连接端布置在所述印刷电路板(2)的外侧上用于与接地或外部布线连接。
- 定向耦合器
- [发明专利]用于使负载的阻抗与功率发生器的输出端阻抗匹配的方法和阻抗匹配装置-CN201680062761.7有效
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F·迈尔;N·施维格
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通快许廷格两合公司
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2016-10-25
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2020-04-21
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H01J37/32
- 一种用于使负载(28)的阻抗与功率发生器(40)的输出端阻抗匹配的方法，所述方法包括以下方法步骤：a.借助功率发生器(40)生成功率；b.通过具有能够通过调整元件(12，14，16)改变的至少一个电抗(18，20，22)的阻抗匹配装置(10)向负载(28)供给所述功率，其中，所述阻抗匹配装置(10)将在所述负载(18)的输入端上的负载阻抗(27)转变为在所述阻抗匹配装置(10)的输入端上的经转换的负载阻抗(29)；c.检测或者确定在所述负载(28)上反射的功率或者至少一个与之有关系的参量；d.根据所述反射功率或者所述至少一个与之有关系的参量检查：是否存在不匹配；e.根据至少一个预给定的标准确定在复数的负载平面中、尤其在Smith图(60)中的轨迹曲线(50)；f.如此控制所述至少一个调整元件(12，14，16)，使得经转换的负载阻抗遵循所述轨迹曲线(50)。
- 用于负载阻抗功率发生器输出阻抗匹配方法装置
- [发明专利]控制布置结构、控制系统和高频率功率发生装置-CN201580032851.7有效
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C·博克
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通快许廷格两合公司
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2015-05-18
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2019-10-18
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G05B11/06
- 一种控制布置结构(6)，所述控制布置结构(6)尤其用于控制功率和/或用于使高频率功率发生器的输出阻抗与负载的阻抗、尤其是等离子体放电部分的阻抗的阻抗匹配，所述控制布置结构包括：a.第一控制单元(13)，第一目标值(14)和第一实际值(12)以及校正值(15)被供给于所述第一控制单元(13)，所述第一控制单元(13)被设置成能在考虑所述校正值(15)的情况下生成第一被操纵的变量(22)，b.用于确定校正值的装置(16)，控制值(24)被供给于该装置，而且，该装置设置成能在考虑所述控制值(24)和默认值(17)的情况下确定所述校正值(15)，其中c.所述用于确定校正值的装置(16)和所述第一控制单元(13)被设计成使得：当所述控制值(24)偏离所述默认值(17)时，所述校正值(15)影响所述第一控制单元(13)，以使得在所述第一控制单元(13)的调整状态下所述第一实际值(12)偏离所述第一目标值(14)。
- 控制布置结构控制系统频率功率发生装置
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