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[发明专利]具有偏光片的光感测系统和光传感器-CN202011416211.5有效
发明人： A·博纳克达;S·J·利安 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及具有偏光片的光感测系统以及光感测器。一种光传感器包含光电二极管、层间电介质层和多个金属层。偏光片安置于所述多个金属层中。所述光电二极管经耦合以响应于入射光被引导穿过所述半导体层的第一侧而产生电荷。所述偏光片包含形成有第一金属层的第一金属网格，以及形成有第三金属层的第二金属网格。所述第二金属网格与所述第一金属网格堆叠，使得所述第一和第二金属网格安置于所述光电二极管上方并与之对准。所述光电二极管经光学耦合以接收穿过所述偏光片的所述第一和第二金属网格且穿过所述半导体层的所述第一侧的入射光。
具有偏光光感测系统传感器

[发明专利]具有LED闪烁减少及低颜色串扰的CMOS图像传感器-CN202210526612.9在审
发明人：毛杜立;比尔·潘;文成烈;刘远良;A·博纳克达;刘成明;Z·林 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种具有LED闪烁减少及低颜色串扰的CMOS图像传感器。在一个实施例中，一种图像传感器包含布置成安置在半导体衬底中的像素阵列的行及列的多个像素。每一像素包含多个大子像素LPD及至少一个小子像素SPD。多个彩色滤光片经安置在个别子像素上方。每一个别SPD横向相邻于至少一个其它SPD。
具有 led 闪烁减少颜色 cmos 图像传感器

[发明专利]具有减少的花瓣耀斑的图像传感器-CN202010895445.6有效
发明人： A·博纳克达;林志强 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及具有减少的花瓣耀斑的图像传感器。一种图像传感器包含衬底材料、滤色片阵列、波导阵列及间隔物。所述衬底材料包含安置在其中的多个光电二极管。所述滤色片阵列被安置在所述衬底材料上方。所述波导阵列被安置在所述衬底材料上方。所述缓冲层被安置在所述衬底材料与所述滤色片阵列及所述波导阵列之间。所述间隔物被安置在所述滤色片阵列中的所述滤色片之间。所述间隔物被安置在所述波导阵列中的所述波导之间。入射光适于被限定在所述间隔物之间。所述入射光适于在被引导通过所述缓冲层进入所述衬底材料中的所述光电二极管中的一者之前被引导通过所述波导中的一者且通过所述滤色片中的一者。
具有减少花瓣耀斑图像传感器

[发明专利]从单个相机确定深度信息-CN202110717267.2在审
发明人： R·曼;B·帕德马纳班;B·佛勒;A·博纳克达;船津英一 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H04N5/222 文献下载
摘要：本发明涉及从单个相机确定深度信息。一种光学系统包括用于将对象成像为图像的成像透镜，及用于检测自所述对象朝向所述图像的光的感测像素阵列。所述感测像素阵列包括第一感测像素及第二感测像素，每一感测像素包括微透镜，所述微透镜覆盖具有n个光电二极管的一维系列光电二极管。在所述第一感测像素的所述一维系列光电二极管的末端处的光电二极管检测自所述对象朝向所述图像的第一光，并且在所述第二感测像素的所述一维系列光电二极管的相对末端处的光电二极管检测自所述对象朝向所述图像的第二光，其中所述第一光及所述第二光穿过所述成像透镜的相对部分。
单个相机确定深度信息

[发明专利]生物标识技术中使用近红外和可见光波长带的偏振线索的具鲁棒性的反欺骗技术-CN202011558162.9在审
发明人： B·帕德马纳班;任仡奕;陈文首;R·曼;A·博纳克达 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本申请涉及生物标识技术中使用近红外和可见光波长带的偏振线索的具鲁棒性的反欺骗技术。一种系统包括：偏振CMOS图像传感器；至少一个处理器；以及非暂时性计算机可读媒体，其具有存储在其上的计算机可执行指令，所述指令响应于由所述至少一个处理器执行使得所述系统执行包含从所述偏振CMOS图像传感器接收偏振信息和二维图像信息的动作。所述偏振信息是使用机器学习模型处理的，以产生指示所述偏振信息是否表示对象的物理特征的有效生物标识测量的输出。
生物标识技术使用红外可见光波长偏振线索具鲁棒性欺骗

[发明专利]用于使用偏振和相位检测光电二极管获得三维形状信息的装置和方法-CN202011562351.3在审
发明人：陈文首;刘关松;任仡奕;彭进宝;B·帕德马纳班;A·博纳克达 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及用于使用偏振和相位检测光电二极管获得三维形状信息的装置和方法。在一些实施例中，提供了图像传感器。图像传感器包括布置成光电二极管阵列的多个光电二极管。多个光电二极管包含被配置为相位检测光电二极管的第一组光电二极管，以及被配置为偏振检测光电二极管的第二组光电二极管。在一些实施例中，提供了控制器。控制器包括电路系统，所述电路系统被配置为处理来自光电二极管阵列的第一组光电二极管的信号以获得深度信息；处理来自光电二极管阵列的第二组光电二极管的信号以获得偏振信息；处理偏振信息以获得模糊的一组表面法线；并且使用深度信息处理模糊的一组表面法线以获得三维形状图像。
用于使用偏振相位检测光电二极管获得三维形状信息装置方法

[发明专利]用于改善图像传感器串扰的方法和结构-CN202011577964.4在审
发明人：刘远良;B·潘;毛杜利;A·博纳克达 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及用于改善图像传感器串扰的方法和结构。图像传感器包含衬底材料，所述衬底材料具有设置在其中的多个小光电二极管SPD和多个大光电二极管LPD。在所述衬底材料中形成多个像素隔离器，每个像素隔离器设置在所述SPD中的一个与所述LPD中的一个之间。钝化层设置在所述衬底材料上，并且缓冲层设置在所述钝化层上。多个第一金属元件设置在所述缓冲层中，每个第一金属元件设置在所述像素隔离器中的一个的上方，并且多个第二金属元件设置在所述多个第一金属元件上方。
用于改善图像传感器方法结构

[发明专利]具有分割像素结构的图像传感器及其制造方法-CN202011259895.2在审
发明人：比尔·潘;刘远良;毛杜利;文成烈;A·博纳克达 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及一种具有分割像素结构的图像传感器及其制造方法。一种图像传感器包含衬底材料。所述衬底材料包含设置在其中的多个光电二极管。所述多个光电二极管包含多个小光电二极管SPD和大于所述SPD的多个大光电二极管LPD。滤色器阵列设置在所述衬底材料之上。缓冲层设置在所述衬底材料与所述滤色器阵列之间。金属图案设置在所述滤色器阵列中的滤色器之间以及所述滤色器阵列与所述缓冲层之间。衰减层设置在所述衬底材料与所述滤色器阵列之间。所述衰减层在所述多个SPD和所述多个LPD中的每一个的一部分之上并与之对准。所述衰减层的边缘在所述多个LPD中的一个之上。
具有分割像素结构图像传感器及其制造方法

[发明专利]用于抑制光学串扰的柱结构-CN202011168459.4在审
发明人：文成烈;比尔·潘;A·博纳克达 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及用于抑制光学串扰的柱结构。一种图像传感器包含布置成安置于半导体衬底中的像素阵列的行及列的多个光电二极管。所述像素阵列的个别光电二极管经配置以接收穿过所述半导体衬底的背侧的传入光。所述半导体衬底的前侧与所述背侧相对。多个深沟槽隔离DTI结构相对于所述光电二极管横向形成于所述半导体衬底的所述背侧上。所述多个DTI结构布置于邻近的光电二极管之间。多个柱结构从接近于所述背侧的金属栅格延伸且形成为接近于所述背侧并与所述DTI结构对准。
用于抑制光学结构

[发明专利]用于原位水合的非织造胶凝复合物-CN201280057881.X有效
发明人： C·E·克拉斯诺夫;B·摩巴舍;A·博纳克达;N·S·伯克;D·S·李;J·劳;J·莫里斯;M·法伊 -专利权人：皮层复合材料公司
申请日： 2012-10-31 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： B32B5/02 文献下载
摘要：本发明的一个实施例涉及一种用于原位水合的胶凝复合物材料，其具有网状层，其包括第一侧、第二侧、以及布置成非织造结构的多个纤维；胶凝材料，其包括布置在网状层内的多个胶凝微粒；密封层，其沿网状层的第一侧布置并耦接至多个非织造纤维；以及牵制层，其沿网状层的第二侧布置并被配置成防止多个胶凝微粒从网状层迁移出去。
用于原位水合织造复合物

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