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[发明专利]制造硅异质结太阳能电池的方法与设备-CN201710537333.1有效
发明人： S·盛;L·张;Z·袁;R·王;A·佐 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本申请公开了制造硅异质结太阳能电池的方法与设备。一种在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备内制造半导体层的方法。该PECVD设备包括界定处理区域的数个壁；基板支座；遮蔽框架；气体分配喷洒头；气源，该气源与该气体分配喷洒头及该处理区域流体连接；射频电源，该射频电源耦接至该气体分配喷洒头；以及一或多个VHF接地片，该一或多个VHF接地片电耦接至数个壁中的至少一个。VHF接地片于该数个壁中的至少一个以及遮蔽框架或基板支座的至少一个之间提供低阻抗电流路径。该方法进一步包括输送半导体前体气体与掺杂剂前体气体以及输送非常高频(VHF)功率，以产生等离子体，而于该一或多个基板上形成第一层。
制造硅异质结太阳能电池方法设备

[发明专利]制造硅异质结太阳能电池的方法与设备-CN201280054453.1有效
发明人： S·盛;L·张;Z·袁;R·王;A·佐 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备内制造半导体层的方法。该PECVD设备包括界定处理区域的数个壁；基板支座；遮蔽框架；气体分配喷洒头；气源，该气源与该气体分配喷洒头及该处理区域流体连接；射频电源，该射频电源耦接至该气体分配喷洒头；以及一或多个VHF接地片，该一或多个VHF接地片电耦接至数个壁中的至少一个。VHF接地片于该数个壁中的至少一个以及遮蔽框架或基板支座的至少一个之间提供低阻抗电流路径。该方法进一步包括输送半导体前体气体与掺杂剂前体气体以及输送非常高频(VHF)功率，以产生等离子体，而于该一或多个基板上形成第一层。
制造硅异质结太阳能电池方法设备

[发明专利]用于高均匀性HJT形成的大尺寸腔室-CN201310643312.X无效
发明人：王荣平;A·佐 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-12-03 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明通常涉及一种用于在等离子体沉积腔室中处理基板的装置。更具体地，本发明的实施例涉及用于高均匀性HJT形成的大尺寸腔室。在本发明的一个实施例中，双RF接地方案提供改进的RF返回路径，所述改进的RF返回路径引起等离子体沉积的增加的均匀性。在本发明的另一实施例中，波导通过减少RF扼流器对RF电流的影响来用于改进等离子体沉积的均匀性。
用于均匀 hjt 形成尺寸